來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊
近年來,芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中,氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如魚得水,從2018年開始,業(yè)界對氮化鎵關(guān)注度不斷升溫,甚至將7月31日定為世界氮化鎵日。
接下來,就讓我們一起來探究氮化鎵材質(zhì)的特性如何?氮化鎵市場的發(fā)展方向?以及氮化鎵的封裝技術(shù)需求?
△圖1:第三代半導(dǎo)體發(fā)展及特性對比。
氮化鎵材料
氮化鎵(GaN)作為一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高,以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢。其中,開關(guān)頻率高意味著應(yīng)用電路可以采用尺寸更小的無源器件;擊穿電壓高則意味著電壓耐受能力比傳統(tǒng)硅材料高,不會(huì)影響導(dǎo)通電阻性能,因此能夠降低導(dǎo)通損耗。種種優(yōu)勢加持下,氮化鎵成為了更好支持電子產(chǎn)品輕量化的關(guān)鍵材料,是目前最具發(fā)展前景的材料。
我國氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化日趨完善,多家國內(nèi)企業(yè)已擁有氮化鎵晶圓制造能力。隨著市場資本的不斷涌入,在國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策推動(dòng)下,氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域、市場規(guī)??焖贁U(kuò)大,國內(nèi)以光電器件、功率器件、射頻器件為主的氮化鎵市場,預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模達(dá)突破千億元,年復(fù)合增長率達(dá)到40.1%。
△圖2:半導(dǎo)體材料物理特性對比。
氮化鎵應(yīng)用
5G通訊基站是氮化鎵市場主要驅(qū)動(dòng)因素之一,氮化鎵射頻器件主要應(yīng)用于無線通訊,占比到達(dá)49%。氮化鎵材料耐高溫、高壓及承受更大電流的優(yōu)勢使得射頻器件應(yīng)用在5G基站中更加合適。隨著國內(nèi)5G基站覆蓋率不斷上升,對氮化鎵射頻器件需求將更大。
△圖3:氮化鎵應(yīng)用市場分類。
隨著智能終端設(shè)備的不斷普及,設(shè)備的充電技術(shù)與其電池性能成為產(chǎn)品市場競爭主要賣點(diǎn)。行業(yè)一直在努力增加充電器的功率讓充電時(shí)間更短,縮小電源適配器的尺寸使其更加便捷?,F(xiàn)代充電器本身就是“計(jì)算機(jī)”,根據(jù)連接的設(shè)備,可判斷要輸送的電流量,氮化鎵使這個(gè)過程變得更加快捷;與硅充電器相比,氮化鎵可以快速確定要輸送的電流量,并在更長的時(shí)間內(nèi)通過高功率;硅充電器通常體積很大,主要是因?yàn)樗鼈儠?huì)產(chǎn)生大量熱量,并且必須將組件放置在一定距離以便更快的冷卻。氮化鎵充電器的尺寸比硅充電器更小巧,可以長時(shí)間提供大電流而不會(huì)過熱。由于以上特性,氮化鎵是充電器和移動(dòng)電源的絕佳材料選擇,智能移動(dòng)設(shè)備的領(lǐng)頭羊——蘋果,也積極向氮化鎵進(jìn)軍。
目前第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)開始在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用,但主要是碳化硅實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)落地,氮化鎵在新能源汽車領(lǐng)域的嘗試仍限于起步階段,未來新能源汽車數(shù)量不斷增長,氮化鎵在車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域潛在市場空間巨大。
生態(tài)環(huán)境是人類賴以生存生存的保障,生活垃圾處理成為世界性難題,使用等離子體氣化技術(shù)處理垃圾經(jīng)濟(jì)環(huán)保,氮化鎵材料可以幫助等離子氣化技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
氮化鎵封裝技術(shù)
對于氮化鎵產(chǎn)品的封裝,主要有4種封裝解決方案。晶體管封裝,在其設(shè)計(jì)中包含一個(gè)或多個(gè)HEMT(High electron mobility transistor);系統(tǒng)級封裝(SiP),同一包封體中封裝不同功能的芯片;系統(tǒng)芯片封裝(SoC),將不同功能芯片通過晶圓級重構(gòu),在性能上更加突出;模塊化封裝,將多個(gè)功率封裝個(gè)體集成在一個(gè)模塊包中(截至2021年,市場上可供選擇的氮化鎵模塊并不多)。
常見的封裝類型如下:
TO類封裝:
△圖4:晶體管類封裝。
表面貼裝類封裝:
△圖5:QFN、PQFN封裝。
基板類封裝:
△圖6:LGA、BGA封裝。
嵌入式封裝:
△圖7:GaN PXTM嵌入式封裝。
GaN晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn),與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應(yīng)力更為敏感,芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現(xiàn)的問題。同時(shí),GaN產(chǎn)品的高壓特性,在封裝設(shè)計(jì)過程對爬電距離的設(shè)計(jì)要求也與硅基IC有明顯的差異。
華天科技,作為全球領(lǐng)先的集成電路封測服務(wù)提供商,積極布局第三代半導(dǎo)體封裝技術(shù)研發(fā),在氮化鎵材質(zhì)封裝領(lǐng)域,通過不斷材料性能研究、試驗(yàn)實(shí)踐,從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇、過程工藝等不同階段,筑起多維度技術(shù)護(hù)城河,形成成熟、穩(wěn)定、高可靠性的氮化鎵封裝設(shè)計(jì)生產(chǎn)能力,為國內(nèi)外多家客戶提供氮化鎵產(chǎn)品封測業(yè)務(wù),累計(jì)出貨量超過億顆。
從晶圓材質(zhì)上,目前用于GaN外延生長的襯底材料主要有Si、藍(lán)寶石、SiC、Zn和GaN,其中Si、藍(lán)寶石、SiC三種相對多些,尤其是Si具有成本優(yōu)勢應(yīng)用最廣泛。盡管GaN與Si材料之間的晶格失配和熱失配使得在Si襯底上外延生長高質(zhì)量的GaN材料及其異質(zhì)結(jié)比較困難,但通過運(yùn)用AlGaN緩沖層、AlGaN/GaN或AlN/GaN等超晶結(jié)構(gòu)和低溫AlN插入層等技術(shù),已經(jīng)能較為有效地控制由晶格及熱失配帶來的外延層中出現(xiàn)的如位錯(cuò)、裂化、晶圓翹曲等問題(說明對溫度比較敏感)。
高性能、高可靠性、低成本是集成電路產(chǎn)品市場核心競爭力,華天科技以框架類封裝為氮化鎵產(chǎn)品突破口,依據(jù)芯片材質(zhì)特性,率先在行業(yè)內(nèi)建立氮化鎵產(chǎn)品封裝工藝標(biāo)準(zhǔn)。建立了氮化鎵產(chǎn)品專用導(dǎo)入流程,保障產(chǎn)品開發(fā)導(dǎo)入一次通過,助力客戶新品快速發(fā)布。產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)動(dòng),積極探究框架設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)差異對芯片性能帶來的提升,模擬驗(yàn)證框架結(jié)構(gòu)、對比驗(yàn)證框架表層處理工藝,從設(shè)計(jì)端提升產(chǎn)品性能、可靠性,優(yōu)化材料成本。
△圖8:氮化鎵封裝產(chǎn)品芯片裂紋示意圖(左圖:Crack,右圖:Normal)。
封裝過程是集成電路質(zhì)量的核心管控要素之一,針對氮化鎵芯片材質(zhì)特征,華天科技對封裝各環(huán)節(jié)進(jìn)行工藝方案及設(shè)備參數(shù)的驗(yàn)證,管控產(chǎn)品研磨過程生產(chǎn)厚度、晶圓切割過程刀具規(guī)格以及進(jìn)刀參數(shù)、封裝材料CTE性能選擇、膠層涂覆厚度、粘接材料烘烤時(shí)間及溫度等措施,均是避免氮化鎵產(chǎn)品質(zhì)量問題的核心。
△圖9:HT-tech 氮化鎵封裝可靠性例行監(jiān)控掃描圖。
芯片裂紋是氮化鎵產(chǎn)品封裝最常見的失效現(xiàn)象,如何快速、準(zhǔn)確的識別剔除異常產(chǎn)品,是提高產(chǎn)品封測良率、保障產(chǎn)品正常使用的保障。華天科技率先制定氮化鎵產(chǎn)品裂紋、分層檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn),投入 SAM、AVI 等高精度、自動(dòng)化設(shè)備,確保異常產(chǎn)品不流通、不外溢。
△圖10:HT-tech 氮化鎵封裝產(chǎn)品示意圖。
在氮化鎵芯片封裝量產(chǎn)過程中,技術(shù)團(tuán)隊(duì)不斷探究積累,解決了 GaN 材料在封裝過程中極易產(chǎn)生的芯片裂化等關(guān)鍵性技術(shù),總結(jié)制定出 GaN-on-Si 產(chǎn)品Creepage distances(爬電距離)的 Design rule。GaN-on-Si 產(chǎn) 品封裝工藝關(guān)鍵制程技術(shù)(重點(diǎn)解決 GaN 材料在封裝過程中芯片裂紋質(zhì)量異常)的突破并用于量產(chǎn),通過產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào),率先在行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)封裝 8inch GaN-on-Si wafer。
以客戶為中心,以市場為導(dǎo)向。面對競爭激烈的氮化鎵市場以及多樣化的客戶需求,在公司的全力支持下,在無數(shù)華天人的不懈奮斗下,在科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)难邪l(fā)思路指導(dǎo)下,借助自身完善的模擬仿真、設(shè)計(jì)能力,不斷優(yōu)化材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),夯實(shí)制程能力(減薄、激光開槽、機(jī)械劃片、芯片粘接、過程烘烤等)、總結(jié) DOE(DESIGN OF EXPERIMENT)結(jié)果,確保每一顆產(chǎn)品可靠性。集成電路封測 Turnkey 業(yè)務(wù)模式,極大縮短了客戶新品發(fā)布周期,助力國內(nèi)外氮化鎵廠商產(chǎn)品迭代更新,在激烈的市場競爭中占得先機(jī)。
關(guān)于華天科技
華天科技(母公司天水華天科技股份有限公司)成立于 2003 年(深交所股票代碼 :002185),主要從事半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體元器件的封裝測試業(yè)務(wù),包含 :封裝設(shè)計(jì)、封裝仿真、引線框封裝、基板封裝、晶圓級封裝、晶圓測試及功能測試、物流配送等一站式服務(wù)。作為全球半導(dǎo)體封測知名企業(yè),華天科技憑借先進(jìn)的技術(shù)能力,智能化生產(chǎn)系統(tǒng)和質(zhì)量把控,企業(yè)營收位居國內(nèi)同行上市公司第三位,全球集成電路封裝行業(yè)排名第六位。
2023首場晶芯研討會(huì)
誠邀各企業(yè)參與2023年2月23日,晶芯研討會(huì)開年首場會(huì)議將以“先進(jìn)封裝與鍵合技術(shù)駛?cè)氚l(fā)展快車道”為主題,邀請產(chǎn)業(yè)鏈代表領(lǐng)袖和專家,從先進(jìn)封裝、鍵合設(shè)備、材料、工藝技術(shù)等多角度,探討先進(jìn)封裝與鍵合工藝技術(shù)等解決方案。點(diǎn)擊跳轉(zhuǎn)報(bào)名鏈接:http://w.lwc.cn/s/VnuEjy
審核編輯黃宇
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