Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線（TOLL）封裝技術，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)布的 750V SiC FETs 產品系列中的首發(fā)產品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于受空間限制的應用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達 100A 的固態(tài)繼電器和斷路器。

在600/750V功率FETs類別中，Qorvo Gen 4 SiC FETs在導通電阻和輸出電容的主要品質方面的性能堪稱無與倫比。此外，在TOLL封裝中，這些器件具有5.4 mΩ的導通電阻，比目前市場同類產品中最佳的Si MOSFETs、SiC MOSFETs和GaN晶體管還要低上4-10倍。SiC FETs的750V額定電壓也比其它的一些替代技術高100-150伏，為管理電壓瞬變提供了顯著增強的設計余量。

Qorvo電源器件事業(yè)部首席工程師Anup Bhalla表示：“在TOLL封裝中推出我們的5.4 mΩ Gen4 SiC FET旨在為行業(yè)提供最佳性能器件以及多種器件選擇，為此我們已邁出重要的一步，尤其對于從事工業(yè)應用的客戶，他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設計組合。”

TOLL封裝的尺寸相比D2PAK表面貼裝器件減少30％，高度為2.3毫米，相當于同類產品的一半。盡管尺寸縮小，但先進的制造技術實現(xiàn)了從結到殼的行業(yè)領先的0.1°C/W熱阻。直流電流額定值為120A，最高可達144°C，脈沖電流額定值為588A，最高可達0.5毫秒。結合極低的導通電阻和出色的瞬態(tài)熱行為，產生了比相同封裝中的Si MOSFET好8倍的'I2t'評級，這將有助于提高魯棒性和免疫性，同時也簡化了設計。TOLL封裝 還提供了Kevin源連接以實現(xiàn)可靠的高速轉換。

這些第四代SiC FET利用Qorvo獨特的串聯(lián)電路結構，將SiC JFET與Si MOSFET共同封裝 在一起，實現(xiàn)寬禁帶開關技術的全部效率和Sic MOSFET簡化門級驅動。

現(xiàn)在可使用Qorvo免費在線工具計算TOLL封裝的Gen4 5.4 mΩSiC FET，該計算器可以立即評估各種交流/直流和隔離/非隔離的DC/DC轉換器拓撲連接的效率、元器件損耗和結溫上升?？蓪蝹€和并聯(lián)的器件在用戶指定的散熱條件下進行對比，以獲取最佳解決方案。

如欲了解更多Qorvo電源應用的先進解決方案，請訪問https://www.qorvo.com/innovation/power-solutions。

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