非制冷紅外焦平面陣列(IRFPA)是非制冷紅外探測(cè)器的核心部件,可根據(jù)檢測(cè)機(jī)制的不同細(xì)分為:熱敏電阻型、熱釋電型、熱電堆型、二極管型、場(chǎng)效應(yīng)管型、光機(jī)械型等。其中二極管型IRFPA因制造工藝可與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝兼容,故有利于實(shí)現(xiàn)高陣列均勻性與高空間分辨率。
隨著像素尺寸的不斷縮小,二極管作為二極管型IRFPA的核心敏感元件,一方面,其電學(xué)參數(shù)影響著讀出電路的設(shè)計(jì);另一方面,在性能上直接決定著器件的噪聲等效溫差(NETD)。為此,如何在小像素情況下優(yōu)化二極管成為了研究的焦點(diǎn)。綜合考察二極管對(duì)電路以及器件性能的影響,進(jìn)而指導(dǎo)小像素中二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)具有必要性和重要性。
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)和無(wú)錫物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新中心有限公司的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)在《紅外技術(shù)》期刊上發(fā)表了以“二極管型非制冷紅外焦平面中二極管結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究”為主題的文章。該文章第一作者為瞿帆,主要從事MEMS紅外傳感器智能化關(guān)鍵技術(shù)方面的研究工作;通訊作者為傅劍宇副研究員,主要從事MEMS紅外傳感器和熱探測(cè)器智能化關(guān)鍵技術(shù)方面的研究工作。
本文針對(duì)二極管型非制冷紅外焦平面陣列,理論分析了敏感元件二極管對(duì)讀出電路以及器件性能的影響,在確定二極管最佳工作電流的同時(shí),提煉出二極管結(jié)構(gòu)中串聯(lián)個(gè)數(shù)以及結(jié)面積為主要性能影響因素。
以一個(gè)p區(qū)n區(qū)摻雜濃度分別為101? cm?3、101? cm?3的二極管為例,圖1給出了利用Sentaurus TCAD仿真軟件仿真得到的溫度特性曲線。從圖中可以看出,隨著溫度的升高,二極管I-V曲線向左偏移。當(dāng)給二極管通以恒流偏置時(shí),二極管兩端的電壓將隨溫度的升高而降低,從而實(shí)現(xiàn)熱信號(hào)向電壓信號(hào)的轉(zhuǎn)換。
圖1 二極管的溫度特性曲線
IRFPA中單個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示,敏感區(qū)通過(guò)支撐梁懸空在隔熱腔上方。敏感區(qū)由紅外吸收層以及熱敏元件,即串聯(lián)的二極管組成。當(dāng)紅外吸收層吸收紅外輻射將光能轉(zhuǎn)化為熱能后,恒流偏置下的串聯(lián)二極管輸出電壓變化,該變化的電壓通過(guò)支撐梁中的信號(hào)線引出與讀出電路連接,最終實(shí)現(xiàn)探測(cè)。
圖2 單個(gè)像素結(jié)構(gòu)示意圖
理論分析
電路性能
圖3為根據(jù)相關(guān)理論公式得到的總電容Ca與漏電流Is隨總結(jié)面積Aa變化的關(guān)系曲線。從圖中可以看出,總電容與漏電流隨結(jié)面積的增大而增大。當(dāng)總結(jié)面積小于1000 μm2時(shí),漏電流的值在1.7 nA以下,電容值保持在120 nF以下,均保持在非常小的量級(jí)范圍,故對(duì)讀出電路影響較小。
圖3 總電容Ca、漏電流Is與結(jié)面積Aa的理論關(guān)系
器件性能
器件性能主要包括:NETD和響應(yīng)時(shí)間。由于響應(yīng)時(shí)間主要由結(jié)構(gòu)的熱學(xué)參數(shù)決定,因此,二極管作為熱敏元件主要影響NETD。NETD是在帶有焦平面陣列(FPA)的成像系統(tǒng)視場(chǎng)中,探測(cè)的目標(biāo)溫度發(fā)生變化時(shí),引起輸出信噪比以及讀出電路信號(hào)產(chǎn)生最小單位變化時(shí)的溫度變化量。
圖4給出了響應(yīng)噪聲比f(wàn)?與正向偏置電流If的關(guān)系曲線。從圖中可看出,隨著If的增大,f?先增大后減小,并在10 μA處,存在極大值。主要由于噪聲電壓Vn隨If的增大先減小后增大所致。因此,10 μA為二極管工作的最優(yōu)正向偏置電流。
圖4 響應(yīng)噪聲比f(wàn)?與偏置電流If的理論關(guān)系
假設(shè)結(jié)構(gòu)中單個(gè)二極管的結(jié)面積均為Ai時(shí),圖5給出了TCV隨單個(gè)二極管結(jié)面積Ai與結(jié)構(gòu)中二極管串聯(lián)的個(gè)數(shù)N的變化趨勢(shì)圖。從圖中可知,當(dāng)N一定時(shí),增加二極管的結(jié)面積會(huì)使TCV增大;當(dāng)結(jié)面積一定時(shí),增加N值也會(huì)使得TCV增大,且比增大Ai值提升效果更明顯。
圖5 TCV隨結(jié)面積Ai與二極管串聯(lián)的個(gè)數(shù)N的變化趨勢(shì)
二極管設(shè)計(jì)與比較
如圖6所示,考察了6種二極管結(jié)構(gòu),分別為:(a)傳統(tǒng)二極管結(jié)構(gòu)、(b)回型二極管結(jié)構(gòu)、(c)p?n-n?p二合一二極管、(d)和(e)分別為在p?n-n?p二合一二極管基礎(chǔ)上直接拓展得到的2n?p-p?n三合一二極管和2p?n-n?p三合一二極管、以及(f)p?n-pn-n?p三合一二極管。其中,結(jié)構(gòu)b為本課題組張強(qiáng)等人提出;結(jié)構(gòu)c為三菱提出;結(jié)構(gòu)d是在結(jié)構(gòu)c的基礎(chǔ)上,增加了n型重?fù)诫s區(qū)結(jié)構(gòu),構(gòu)成由p?n、n?p、n?p組成的三合一二極管結(jié)構(gòu);結(jié)構(gòu)e在結(jié)構(gòu)c的基礎(chǔ)上,增加了n阱與p型重?fù)诫s區(qū)結(jié)構(gòu),構(gòu)成了p?n、p?n、n?p組成的三合一二極管結(jié)構(gòu);結(jié)構(gòu)f為在結(jié)構(gòu)c的n阱與n型重?fù)诫s區(qū)之間的區(qū)域加入n阱,與p型Si襯底形成一個(gè)新的pn結(jié),從而形成了p?n、pn、n?p三個(gè)二極管串聯(lián)的結(jié)構(gòu),n阱中n型重?fù)诫s區(qū)用以形成歐姆接觸。按此方法可繼續(xù)在結(jié)構(gòu)f的基礎(chǔ)上進(jìn)行拓展,形成N合一二極管。
圖6 二極管結(jié)構(gòu):(a)傳統(tǒng)二極管;(b)回型二極管;(c)p?n-n?p二合一二極管;(d)2p?n-n?p三合一二極管;(e)2p?n-n?p三合一二極管;(f)p?n-pn-n?p三合一二極管。
如前述討論,當(dāng)二極管工作在最優(yōu)恒流偏置情況下,總結(jié)面積Aa越大雖然會(huì)使漏電流及電容增大,但由于增大的漏電流及電容量級(jí)較小從而對(duì)讀出電路的影響較小,因而Aa的增大主要影響TCV的提升。在此,設(shè)pn結(jié)總結(jié)面積Aa與pn結(jié)整體尺寸Sa之比為有效結(jié)面積比Z,
仿真數(shù)據(jù)
利用Sentaurus TCAD仿真軟件對(duì)以上6種二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真,n型與p型重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度為101? cm?3,n阱與p型硅的摻雜濃度為101? cm?3。
圖7給出了6種結(jié)構(gòu)在正向電流10 μA偏置下的TCV與靜態(tài)工作電壓仿真結(jié)果。圖7(a)展示了6種結(jié)構(gòu)在不同溫度下的TCV值,從大到小依次是結(jié)構(gòu)f、c、e、d、b、a。對(duì)于結(jié)構(gòu)d與結(jié)構(gòu)e,N值雖為3,但兩者的TCV值卻與N=2的結(jié)構(gòu)c相接近且略小于后者,根據(jù)圖7(b)六種結(jié)構(gòu)的正向電壓隨溫度變化曲線可以看出,結(jié)構(gòu)d,e的正向電壓值與結(jié)構(gòu)c較接近,與結(jié)構(gòu)f電壓值相差了約1個(gè)二極管電壓差(約0.6 V)。當(dāng)溫度變化范圍較小時(shí),TCV可看成恒定值。結(jié)構(gòu)f的TCV值分別約為結(jié)構(gòu)c、d、e的1.5倍,為結(jié)構(gòu)a與結(jié)構(gòu)b的2.6倍,3.7倍。證明了6種結(jié)構(gòu)中,結(jié)構(gòu)f性能最優(yōu)。若在結(jié)構(gòu)f的基礎(chǔ)上拓展得到N合一二極管結(jié)構(gòu),TCV值也將因此增大。
圖7 Sentaurus器件仿真
之所以結(jié)構(gòu)d、e相對(duì)于結(jié)構(gòu)c增加了串聯(lián)二極管個(gè)數(shù),但表現(xiàn)出的正向電壓與TCV未如理論分析的隨著串聯(lián)個(gè)數(shù)的增加而增加,是因?yàn)樵谶@兩個(gè)結(jié)構(gòu)中,分別引入了額外的并聯(lián)電阻與寄生三極管。圖8(a)為結(jié)構(gòu)d的等效電路圖,電流在經(jīng)過(guò)結(jié)構(gòu)右端的p?n結(jié)后全部進(jìn)入p型襯底區(qū),此時(shí)結(jié)構(gòu)中部拓展的n型重?fù)诫s區(qū)范圍較小,導(dǎo)致該區(qū)域下的襯底所寄生出的電阻r較小,r與結(jié)構(gòu)中部拓展的n?p?結(jié)并聯(lián),因此使得電流大部分從寄生電阻r的支路經(jīng)過(guò)結(jié)構(gòu)左端的n?p?結(jié)流出,導(dǎo)致n?p?結(jié)未起到提升結(jié)構(gòu)TCV的作用。圖8(b)為結(jié)構(gòu)e的等效電路,結(jié)構(gòu)右端n阱,p型襯底與結(jié)構(gòu)左端的n型重?fù)诫s區(qū)形成的npn型寄生三極管,電流在經(jīng)過(guò)結(jié)構(gòu)右端的p?n?結(jié)后經(jīng)中部拓展的p?n?到達(dá)襯底,此時(shí)的襯底電位VB低于結(jié)構(gòu)右端n阱的電位VC,高于結(jié)構(gòu)右端n型重?fù)诫s區(qū)的電位VE,使得寄生三極管處于導(dǎo)通狀態(tài),因此電流流過(guò)p?n?結(jié)后直接經(jīng)寄生三極管流出,使得p?n?結(jié)未起到提升結(jié)構(gòu)TCV的作用。
圖8 等效電路圖
圖9為結(jié)構(gòu)f隨著整體尺寸減小時(shí)TCV的仿真情況。X軸表示整體尺寸面積,Y軸表示TCV值的大小。從圖中可得,TCV隨著整體尺寸的減小而減小,這是由于整體尺寸減小使得結(jié)構(gòu)f的有效結(jié)面積減小。但是結(jié)面積在減小了約700 μm2后TCV僅減小了約0.3 mV/K,即結(jié)構(gòu)f在小像素尺寸下也依然具有較好的性能。
圖9 結(jié)構(gòu)f不同尺寸下的TCV仿真結(jié)果
總結(jié)
本文基于二極管在IRFPA中的工作原理,從電路性能及器件性能的角度對(duì)二極管的主要結(jié)構(gòu)影響因素進(jìn)行了分析,當(dāng)結(jié)構(gòu)中二極管總體結(jié)面積在1000 μm2內(nèi)時(shí)二極管的漏電流與寄生電容預(yù)估值保持在1.7 nA及120 nF內(nèi),對(duì)電路的影響較小。響應(yīng)噪聲比f(wàn)?在偏置電流為10 μA附近存在極大值,故該電流為二極管的最佳偏置電流。TCV會(huì)隨著二極管串聯(lián)個(gè)數(shù)和結(jié)面積增加而增加,且增加二極管串聯(lián)個(gè)數(shù)對(duì)TCV的提升效果明顯優(yōu)于增加結(jié)面積。因此,將結(jié)構(gòu)中二極管的串聯(lián)個(gè)數(shù)N以及總體結(jié)面積Aa作為主要影響器件性能的結(jié)構(gòu)影響因素。由此設(shè)計(jì)了p?n-pn-n?p三合一二極管,通過(guò)理論和Sentaurus TCAD仿真軟件對(duì)比分析發(fā)現(xiàn),p?n-pn-n?p三合一二極管在同樣面積下具有最多的二極管個(gè)數(shù)和最大的結(jié)面積,且避免了并聯(lián)電阻或寄生三極管的影響,因此為6種二極管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的最優(yōu)結(jié)構(gòu)。同時(shí),在其基礎(chǔ)上拓展可得到N合一二極管能進(jìn)一步優(yōu)化器件的性能,為優(yōu)化IRFPA中單個(gè)像素的熱敏元件二極管結(jié)構(gòu)提供參考。
這項(xiàng)研究獲得中國(guó)科學(xué)院科學(xué)儀器研發(fā)項(xiàng)目(ZDKYYQ20200007)的資助和支持。
論文信息:
http://hwjs.nvir.cn/cn/article/id/e1de3056-41a6-41fa-8222-9055a9c4a3f2
審核編輯 :李倩
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原文標(biāo)題:二極管型非制冷紅外焦平面中二極管結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究
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