長電科技：全面覆蓋功率器件封裝，工藝及設(shè)計解決方案完備可靠

4月26日，長電科技舉辦2023年第二期線上技術(shù)論壇，主題聚焦功率器件封裝及應(yīng)用，與業(yè)界交流長電科技在這一領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)驗與創(chuàng)新。

功率半導(dǎo)體器件目前廣泛應(yīng)用于汽車、光伏和儲能、高性能計算、工業(yè)控制、智能家居等領(lǐng)域，但是不同領(lǐng)域應(yīng)用的功率器件特點迥異，需要根據(jù)相應(yīng)需求和產(chǎn)品特性選擇合適的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，以提升器件性能和可靠性，降低成本，以滿足日益增長的市場需求。據(jù)芯謀研究不久前發(fā)布的報告顯示，2022年全球功率分立器件市場規(guī)模約317億美元，同比增長了19.2%。受益于新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，全球功率器件市場有望在未來幾年持續(xù)增長。

在本次論壇中，長電科技技術(shù)專家介紹，隨著新業(yè)態(tài)、新應(yīng)用的興起，各類功率器件也越來越多樣化，包括典型的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等。對于不同形態(tài)的功率器件，兼具高效率、高可靠性和低成本等特點的半導(dǎo)體封裝技術(shù)在其制造過程中不可或缺。長電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形、工藝門類，覆蓋IGBT, SiC，GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試，在車用充電樁等領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體器件成品制造的量產(chǎn)出貨。

為了更好地滿足客戶定制化、多樣化的需求，長電科技近年來不斷提升工藝及設(shè)計解決方案，推出創(chuàng)新產(chǎn)品。隨著電力電子朝著高效、高功率、高密度的方向發(fā)展，長電科技優(yōu)化了多功能集成封裝技術(shù)，滿足器件模塊的多功能集成；通過材料特性的評估和工藝創(chuàng)新，公司掌握了高效劃片，高耐壓結(jié)構(gòu)設(shè)計，散熱等關(guān)鍵核心技術(shù)能力。

例如，長電科技開發(fā)的無引線表面貼裝(TOLL)封裝技術(shù)，較傳統(tǒng)D2PAK布局縮減30%占板面積和50%高度，熱阻更小且散熱效率更高；同時，提供更大的錫接觸面積，有效減少電遷移，提升產(chǎn)品可靠性。長電科技還開發(fā)了多種內(nèi)部互連工藝，支持電流可達300A。這一技術(shù)非常適用于空間有限的應(yīng)用場景，滿足高安全性、高可靠性的大功率應(yīng)用需求。

公司開發(fā)的DrMos(Driver+MOSFET)封裝工藝，將傳統(tǒng)MOSFET供電中分離的兩組MOS管和驅(qū)動IC，以更加先進的制程集成在一起，由此封裝的DrMOS面積僅為分離MOSFET的1/4，功率密度卻達到分離MOSFET的三倍，增加了超電壓和超頻的潛力，并優(yōu)化系統(tǒng)性能和成本。同時，產(chǎn)品具備更好的散熱性能和可靠性，以及低導(dǎo)通電阻，低寄生電容等優(yōu)勢。這一技術(shù)可應(yīng)用于高性能計算、AI大模型等對算力提出苛刻要求的新興應(yīng)用領(lǐng)域。

長電科技技術(shù)專家進一步介紹，面向高速增長的汽車電子市場，公司完備、可靠的工藝解決方案，覆蓋功率器件、IC及模組封裝，并能滿足雷達、傳感器、車載信息娛樂系統(tǒng)、輔助駕駛系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)等應(yīng)用場景。在太陽能光伏及儲能等市場，封裝技術(shù)與服務(wù)覆蓋微型逆變器(Micro-inverter)、混合式逆變器(Hybrid-inverter)、串式逆變器(String-inverter)、集中式逆變器(Central-inverter)等產(chǎn)品需求。

此外，智能化汽車、光伏儲能等業(yè)態(tài)發(fā)展到今天，產(chǎn)業(yè)鏈上下游已經(jīng)不僅僅是供應(yīng)商的關(guān)系，相互之間需要有更多的協(xié)同與配合。長電科技將更加緊密的聚焦客戶需求，推進以智能化解決方案為核心的產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)，為客戶提供更加高效、可靠，更具成本優(yōu)勢的產(chǎn)品與服務(wù)。

審核編輯：湯梓紅