100W基本MOSFET放大器電路圖和PCB布局

這種100W基本MOSFET放大器電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以以相對(duì)較低的成本構(gòu)建。該放大器電路可用作通用HiFi放大器和吉他放大器等。

這款 100W 基本 MOSFET 放大器電路可在 8 歐姆揚(yáng)聲器負(fù)載下產(chǎn)生 100 瓦均方根功率，在 4 歐姆負(fù)載下可產(chǎn)生 160 瓦有效值功率。在100瓦功率下，產(chǎn)生的放大器失真水平非常小，僅為0.1%。

100W 基本 MOSFET 放大器電路圖和 PCB 布局

印刷電路板布局

第一個(gè)放大由晶體管T1和T2組成，被構(gòu)造為差分放大器，其電流源可通過(guò)電阻R3調(diào)節(jié)。電位計(jì)P1用于調(diào)節(jié)直流電壓放大器輸出。P1將設(shè)置在放大器輸出端的直流電壓應(yīng)接近0V。

該MOSFET放大器電路的輸入靈敏度為1.2伏，增益由R6 / R7確定，是所獲得結(jié)果的27倍。晶體管T5和T6將構(gòu)成第二個(gè)差分放大器。這將提供差分放大器電平的最佳功率。

該放大器電路有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)，其中之一是非常好的線性度水平。MOSFET晶體管的最終電平工作在AB類，電位計(jì)P2的設(shè)置必須設(shè)置為在靜態(tài)達(dá)到50 mA至100 mA時(shí)。

設(shè)置極點(diǎn) P2 的方法是將 P2 旋轉(zhuǎn)到最小位置。此外，mV-DC萬(wàn)用表放置在R14和R15之間。然后將 P2 轉(zhuǎn)動(dòng)一點(diǎn)，直到電壓表讀數(shù)為 +/- 16.5 mV。

保險(xiǎn)絲 F1 和 F2 將保護(hù) MOSFET 放大器免受短路。該放大器電路所需的電源在 45 VDC 至 55VDC 之間，采用對(duì)稱系統(tǒng)。為了使MOSFET放大器電路具有高精度，我建議使用所有具有1%容差1/4瓦金屬膜的電阻器。