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100W MOSFET放大器電路圖

CHANBAEK ? 來(lái)源:amplifiercircuit.net ? 作者:amplifiercircuit.net ? 2023-08-24 15:44 ? 次閱讀

這種基本 MOSFET 放大器的構(gòu)建非常簡(jiǎn)單且成本低廉。非常適合 Hi-Fi 放大器和樂(lè)器放大器(吉他、鍵盤(pán)……)。 8 歐姆負(fù)載時(shí)輸出功率為+/- 100 Wrms,4 歐姆負(fù)載以下為+/- 160 Wrms。該電路的簡(jiǎn)單性導(dǎo)致失真+/-0.1%。 -3 dB 時(shí)的帶寬為 4 Hz 至 96 Khz,受 C1、R1、R2 和 C2 限制。

wKgZomTnCiuAWGD5AAA4owKfk8Q714.jpg

晶體管 T1 和 T2 構(gòu)成第一差分級(jí),+/-1 mA 的電流源由 R3 設(shè)置。 P1 允許微調(diào)放大器輸出處的直流電壓。首次通電時(shí)將 P1 置于半值,然后緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)以獲得最低的直流輸出電壓。建議使用優(yōu)質(zhì)組件。

輸入靈敏度為 1.2 伏。 27x 的增益由 R7/R6 實(shí)現(xiàn)??梢酝ㄟ^(guò)改變R7值來(lái)修改它。晶體管T5和T6構(gòu)成第二個(gè)差分級(jí)。晶體管T3和T4用作電流鏡源。它們推動(dòng)第二個(gè)差分級(jí)消耗相等的電流。這樣做我們可以獲得高增益和出色的線性度。輸出MOSFET晶體管工作在AB類(lèi),其靜態(tài)電流通過(guò)P2設(shè)置為50至100mA。要設(shè)置靜態(tài)電流,必須將 P2 設(shè)置為最小電阻,將萬(wàn)用表置于 R14 或 R15 引線的 mV DC 范圍內(nèi),緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)螺釘,直到讀取 16.5 mV 值,該值對(duì)應(yīng)于 50 mA 靜態(tài)電流。 F1和F2用作基本輸出短路保護(hù)。

wKgaomTnCieAVwdtAABHRfc86LY371.jpg

電源電壓必須介于 45 至 55 伏直流電(正和負(fù))之間。需要一個(gè)熱阻小于 2° C/W 的散熱器。所有電阻均為 1% 金屬膜 1/4 瓦。

注意:

在放大器輸出端連接揚(yáng)聲器之前,請(qǐng)?jiān)谳敵龆诉B接萬(wàn)用表并查看直流輸出電壓。該電平絕不能大于 50 mV。如果是這樣,請(qǐng)檢查所有放大器是否有錯(cuò)誤。另外,將 T2 更換為其他設(shè)備并再次檢查。

零件清單:

C1 = 2.2uF MKP、MKT 100V

C2 = 330 pF 陶瓷 50 V

C3 = 100nF MKP、MKT 100V

C4 = 40 uF 100 V 電化學(xué)

C5、C6 = 18 pF 陶瓷 50 V

C7 = 100nF MKP、MKT 250V

C8 = 47uF 100V)

R1 = 47K

R 3 = 470 歐姆

R2 = 2K2

R4、R5 = 3K9

R6=1K

R7=27K

R8、R9、R11 = 100 歐姆

R10 = 10K

R12、R13 = 470 歐姆

R14、R15 = 0.33 歐姆 5 瓦

R16=10歐姆3瓦

R17=1K

R18、R19 = 10K

T1、T2、T9、T10 = 2N5401、ZTX558、BC556B(注意不同的引腳排列 - 請(qǐng)注意引腳布局)

T3、T4 = BF470、MJE350、2SB649

T5、T6 = BF469、MJE340、2SD669

T7 = IRFP240、2SK1530、2SJ162、BUZ900DP、BUZ901DP(注意不同的引腳排列 - 請(qǐng)注意引腳布局:GDS GSD)

T8 = IRFP9240、2SJ201、2SK1058、BUZ905DP、BUZ906DP(注意不同的引腳排列 - 請(qǐng)注意引腳布局:GDS GSD)

P1 = 100 歐姆(25 圈 - 25 圈)

P2 = 2K5(25 圈 - 25 圈)

F1、F2 = 3 TA

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