無源晶振并聯(lián)一個1MΩ電阻電路圖
問題描述:
在一些方案中,晶振并聯(lián)1MΩ電阻時,程序運行正常,而在沒有1MΩ電阻的情況下,程序運行有滯后及無法運行現(xiàn)象發(fā)生。
原因分析:
在無源晶振應用方案中,兩個外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此,當發(fā)生程序啟動慢或不運行時,建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。
這個1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū), 以獲得增益, 在飽和區(qū)不存在增益, 而在沒有增益的條件下晶振不起振。簡而言之,并聯(lián)1M電阻增加了電路中的負性阻抗(-R),即提升了增益,縮短了晶振起振時間,達到了晶振起振更容易之目的。
換一種說法,假設電路中無任何的擾動信號,晶振不可能起振。實際上反相門電路中許多電路不加這個電阻也能起振,因為一般的電路都有擾動信號,但有個別的反相門電路不加這個電阻就不能起振,因為擾動信號強度不夠。
需要指出的是,在低溫環(huán)境下振蕩電路阻抗也會發(fā)生變化,當阻抗增加到一定程度時,晶振就會發(fā)生起振困難或不起振現(xiàn)象。這時,我們也需要給晶振并聯(lián)1MΩ電阻,建議為了增加振蕩電路穩(wěn)定性,給晶振同時串聯(lián)一個100Ω的電阻,這樣可以減少晶振的頻率偏移程度。
注:并聯(lián)電阻不能太小,串聯(lián)電阻不能太大。否則,在溫度較低的情況下不易起振。
-「END」-
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