博世在美布局SiC，將嚴重依賴美國“芯片法案”的聯邦資金

集微網消息，據evertiq報道，由于碳化硅（SiC）芯片的需求正持續(xù)增加，德國工業(yè)巨頭博世近期計劃通過收購美國芯片制造商TSI半導體，來應對這一需求。

博世表示，未來幾年內，博世計劃在TSI位于美國加利福尼亞州羅斯維爾的工廠投資超過15億美元，并將TSI半導體制造設施改造為最先進的工藝。

報道稱，這家美國公司擁有250名員工，是一家專門生產專用集成電路的代工廠。目前，公司主要在200毫米碳化硅晶圓上開發(fā)和生產大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學行業(yè)。從2026年開始，第一批芯片將在這些晶圓上生產。

通過TSI半導體，博世正在加強其半導體業(yè)務，并將在2030年底之前大幅擴展其全球碳化硅芯片產品系列。更為重要的是，博世要準備好滿足全球經濟繁榮和電動汽車發(fā)展對碳化硅半導體的巨大需求。

然而，博世也明確表示，計劃中的投資將嚴重依賴于美國《芯片和科學法案》獲得的聯邦資金，以及加利福尼亞州的經濟發(fā)展機會。

兩家公司已達成協議，不披露交易的任何財務細節(jié)，交易尚待監(jiān)管部門批準。

“通過收購TSI半導體，我們在一個重要的銷售市場建立了碳化硅芯片的制造能力，同時也增加了我們在全球的半導體制造。羅斯維爾現有的潔凈室設施和專家人員將使我們能夠更大規(guī)模地生產用于電動汽車的碳化硅芯片。”博世董事會主席Stefan Hartung博士在新聞稿中表示。

審核編輯黃宇