電源電磁兼容領(lǐng)域成果發(fā)布

基于場路耦合的反激變換器板級輻射研究

研究背景

隨著無線充電、電動汽車等新能源技術(shù)的快速發(fā)展，電源產(chǎn)品逐漸趨向高頻化、小型化，隨之產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)問題正變得日益嚴(yán)重。針對電源產(chǎn)品的輻射干擾，傳統(tǒng)的仿真預(yù)測方法普遍基于兩個基本假設(shè)：①輸入輸出線纜是主要的輻射源；②共模電流是造成輸入輸出線纜輻射的主要原因?；趫雎否詈系姆抡嫠悸?，建立MOSFET的電磁場有限元模型和高頻變壓器的等效高頻電路模型,聯(lián)合ANSYS SIwave、HFSS和Circuit Designer進(jìn)行場路耦合仿真通過實(shí)驗驗證仿真的正確性，為實(shí)際研發(fā)生產(chǎn)提供參考。

成果簡介

基于場路耦合的仿真思路，建立MOSFET的電磁場有限元模型和高頻變壓器的等效高頻電路模型。結(jié)合從SIwave電磁仿真軟件中提取的PCB網(wǎng)絡(luò)參數(shù)，對反激變換器的板級輻射干擾進(jìn)行聯(lián)合仿真，并對比了兩種高頻變壓器模型對遠(yuǎn)場仿真結(jié)果的影響。實(shí)驗結(jié)果表明，在230MHz以內(nèi)的頻段3m遠(yuǎn)場仿真超標(biāo)頻點(diǎn)與實(shí)測吻合，驗證了本仿真方法的正確性，且簡化的變壓器二電容模型具有更寬頻帶的適用性；所得到的近場電磁場分布表明MOSFET和變壓器副邊的整流二極管是主要的輻射源。

亮點(diǎn)提煉

如圖1所示，HFSS和SIwave分別對MOSFET和PCB板進(jìn)行提取得到S參數(shù)；將S參數(shù)傳輸?shù)紺ircuit Designer仿真平臺，設(shè)置變壓器的高頻電路模型、有源器件的電路模型，并在關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)添加電壓電流激勵，進(jìn)行電路瞬態(tài)仿真；所得到的含激勵源信息的S參數(shù)文件被傳輸回SIwave仿真平臺；SIwave讀取Circuit Designer傳輸回來的激勵源數(shù)據(jù)，最終實(shí)現(xiàn)整塊電路板遠(yuǎn)場和近場輻射干擾的仿真預(yù)測。

圖1 仿真原理圖

建立MOSFET有限元模型和高頻變壓器模型，得到變壓器三電容、簡化二電容模型的3m遠(yuǎn)場輻射仿真曲線，如圖2所示。

圖23m遠(yuǎn)場仿真曲線

反激變換器近場輻射做仿真分析。30MHz頻點(diǎn)處的電場仿真結(jié)果呈現(xiàn)如圖3，磁場仿真結(jié)果如圖4?？梢钥闯觯米儔浩鞲哳l模型不同，近場輻射計算結(jié)果也有所差別。從圖3可以判斷，電場輻射源均為MOSFET及其周邊的電路結(jié)構(gòu)；而圖4磁場輻射源的位置有所不同。

(a)三電容模型近場電場分布

(b)簡化的二電容模型近場電場分布

圖3近場電場分布仿真

(a)三電容模型近場磁場分布

(b)簡化二電容模型近場磁場分布

圖4 近場磁場分布仿真

如圖5是在賽寶實(shí)驗室3m電波暗室的測試曲線?？梢钥闯?，超標(biāo)的部分均在230MHz以內(nèi)的低頻段。選取230MHz以內(nèi)幾個輻射的極大值點(diǎn)與仿真結(jié)果進(jìn)行比較。

圖5 3m遠(yuǎn)場實(shí)測曲線

通過對比，實(shí)測超標(biāo)的頻點(diǎn)與仿真結(jié)果一致，仿真對應(yīng)頻點(diǎn)的幅值與實(shí)測幅值進(jìn)一步比較，得到幅值的誤差(如圖6所示)?？梢钥闯觯捎枚娙菽Ｐ偷姆抡娼Y(jié)果與實(shí)測結(jié)果吻合度較大，寬頻特性優(yōu)于三電容模型，更適用于反激變換器輻射干擾的仿真預(yù)測。進(jìn)一步的可以從圖3(b)和圖4(b)的近場電磁場分布看出，MOSFET和變壓器副邊的二極管是主要的輻射源。

圖6 3m遠(yuǎn)場與實(shí)測對比

前景與應(yīng)用

將MOSFET三個引腳等效為三個天線，通過建立有限元模型，仿真分析得到其d極引腳輻射最強(qiáng)的結(jié)論；聯(lián)合Circuit Designer電路仿真平臺和SIwave、HFSS電磁場仿真平臺對反激變換器的板級輻射進(jìn)行仿真分析，通過3m遠(yuǎn)場測試驗證本文仿真方法的正確性，同時驗證了變壓器高頻電路模型對輻射仿真有影響，其中簡化的二電容更適應(yīng)于230MHz以內(nèi)頻段的輻射仿真；從近場電磁場分布可以看出，MOSFET和變壓器副邊的整流二極管是主要的輻射源。為此，針對反激變換器的EMC整改可以重點(diǎn)對MOSFET和變壓器副邊的二極管實(shí)施有效的屏蔽或抑制瞬變電壓電流的措施。