英特爾發(fā)布硅自旋量子比特芯片，采用300毫米的硅晶圓
英特爾最近宣布推出了一款名為Tunnel Falls的量子芯片，這是他們迄今為止研發(fā)的最先進(jìn)的硅自旋量子比特芯片。該芯片采用了12個硅自旋量子比特，具備更高的實用性，并充分利用了英特爾數(shù)十年來在晶體管設(shè)計和制造能力方面積累的經(jīng)驗。
Tunnel Falls量子芯片是在英特爾的晶圓廠進(jìn)行制造的，使用的是300毫米的硅晶圓。他們借助英特爾在晶體管工業(yè)化制造方面的領(lǐng)先能力，如極紫外光刻技術(shù)（EUV）以及柵極和接觸層加工技術(shù)。
硅自旋量子比特的編碼原理是將信息（0/1）嵌入到單個電子的自旋狀態(tài)（上/下）中。
這種硅自旋量子比特本質(zhì)上是一個單電子晶體管，因此英特爾可以采用類似于標(biāo)準(zhǔn)CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）邏輯生產(chǎn)線的工藝流程進(jìn)行制造。
與其他量子比特技術(shù)相比，英特爾認(rèn)為硅自旋量子比特具有更多優(yōu)勢，因為它可以利用先進(jìn)的晶體管類似的生產(chǎn)技術(shù)。
硅自旋量子比特的尺寸與一個晶體管相似，約為50x50納米。相比其他類型的量子比特，它小了100萬倍，并且有望更快實現(xiàn)量產(chǎn)。
編輯：黃飛
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