ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD保護(hù)和出色的散熱性能,方便安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。文章來源:http://www.ameya360.com/hangye/109156.html
特性
》650V E模式GaN FET
》低導(dǎo)通電阻
》高速開關(guān)
》內(nèi)置ESD保護(hù)
》高度可靠的設(shè)計(jì)
》幫助減少電源轉(zhuǎn)換效率和尺寸
》出色的散熱性能
》符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
》高開關(guān)頻率轉(zhuǎn)換器
》高密度轉(zhuǎn)換器
規(guī)范
》GNP1070TC-Z
》DFN8080K封裝類型
》連續(xù)漏極電流范圍:7.3A至20A
》脈沖漏極電流范圍:24A至66A
》漏源電壓:650V
》瞬態(tài)漏源電壓:750V
》柵源電壓范圍:-10VDC 至+6VDC
》瞬態(tài)柵源電壓:8.5V
》+25℃時(shí)功耗:56W
》柵極輸入電阻:0.86Ω(典型值)
》輸入電容:200pF(典型值)
》輸出電容:50pF(典型值)
》輸出電荷:44nC
》總柵極電荷:5.2nC(典型值)
》典型接通延遲時(shí)間:5.9ns
》典型上升時(shí)間:6.9ns
》典型關(guān)閉延遲時(shí)間:8.0ns
》典型下降時(shí)間:8.7ns
》GNP1150TCA-Z
》DFN8080AK封裝樣式
》連續(xù)漏極電流范圍:5A至11A
》脈沖漏極電流范圍:17A至35A
》漏源電壓:650V
》瞬態(tài)漏源電壓:750V
》柵源電壓范圍:-10VDC 至+6VDC
》瞬態(tài)柵源電壓:8.5V
》+25℃時(shí)功耗:62.5W
》柵極輸入電阻:2.6Ω(典型值)
》輸入電容:112pF(典型值)
》輸出電容:19pF(典型值)
》輸出電荷:18.5nC
》典型總柵極電荷:2.7nC
》典型接通延遲時(shí)間:4.7ns
》典型上升時(shí)間:5.3ns
》典型關(guān)閉延遲時(shí)間:6.2ns
》典型下降時(shí)間:8.3ns
審核編輯黃宇
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