瞬變抑制二極管陣列SO-8封裝，有哪些型號？

提及電路保護(hù)器件，對于新老硬件電子工程師而言，并不陌生。電路保護(hù)設(shè)計(jì)方案過程中，其中電路保護(hù)器件選型是最耐電子工程師尋味的過程。電路保護(hù)器件主要分為四類：雷擊浪涌防護(hù)器件、過電壓防護(hù)器件、過電流保護(hù)器件和靜電防護(hù)器件。接下來要分享的是瞬變抑制二極管陣列SO-8封裝產(chǎn)品常用型號：DW2.8-4LVUB-S、DW2.8-4LVU-S、DW2.8-8LVU-S、DW3.3-2PLC-S、DW3.3-4RDA-S、DW05-4RDA-S、DW06-2PLC-S、DW15-7MDA-S……

1）瞬變抑制二極管陣列DW2.8-4LVUB-S參數(shù)

工作電壓：2.8V

最小擊穿電壓：3V

結(jié)電容：1.6pF

鉗位電壓：25V

峰值脈沖電流：22A

峰值脈沖功率：550W

漏電流：1uA

封裝形式：SO-8

2）瞬變抑制二極管陣列DW3.3-2PLC-S參數(shù)

工作電壓：3.3V

最小擊穿電壓：3.7V

結(jié)電容：5pF

鉗位電壓：20V

峰值脈沖電流：100A

峰值脈沖功率：1800W

漏電流：0.5uA

封裝形式：SO-8

3）瞬變抑制二極管陣列DW15-7MDA-S參數(shù)

工作電壓：15V

最小擊穿電壓：16V

結(jié)電容：20pF

鉗位電壓：45V

峰值脈沖電流：10A

峰值脈沖功率：450W

漏電流：0.5uA

封裝形式：SO-8

由此可知，瞬變抑制二極管陣列參數(shù)有封裝、工作電壓、擊穿電壓、鉗位電壓、功率、電流、結(jié)電容等等，在瞬變抑制二極管陣列選型過程中，這些參數(shù)起到很重要的作用，最終型號的確認(rèn)，則需要電子工程師根據(jù)EMC電磁兼容性測試結(jié)果來選擇。那么，瞬變抑制二極管陣列選型技巧，有哪些呢？

1）瞬變抑制二極管陣列的工作電壓要大于電路中的最高工作電壓；

2）瞬變抑制二極管陣列的箝位電壓要小于后級電路被保護(hù)芯片所能承受的最大峰值電壓；

3）根據(jù)電路設(shè)計(jì)布局及被保護(hù)線路數(shù)選擇合適的封裝形式。一般而言，封裝形式越大，防護(hù)等級越高；

4）在通信接口靜電防護(hù)中，要尤其注意傳輸速率和信號的頻率，避免瞬變抑制二極管陣列結(jié)電容過高干擾通信質(zhì)量；當(dāng)信號頻率或傳輸速率較高時(shí)，應(yīng)選用低電容瞬變抑制二極管陣列；

5）具體選型，建議在專業(yè)的技術(shù)指導(dǎo)下完成，選型、EMC測試、樣品，一站式支持；

SO-8封裝只是瞬變抑制二極管陣列封裝形式的一種，想了解更多其他封裝形式的ESD管，可直接咨詢東沃電子！