0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-05-18 10:36 ? 次閱讀

近兩年新能源汽車(chē)和光伏儲(chǔ)能市場(chǎng)的火熱,讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶對(duì)SiC的使用更有經(jīng)驗(yàn),逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn),正在SiC使用量增大的階段,卻面臨了整個(gè)市場(chǎng)的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素,目前前道是最大的瓶頸,特別是前道的“最前端” ,SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的材料。

面對(duì)這種問(wèn)題,作為功率半導(dǎo)體的領(lǐng)頭羊英飛凌又有哪些舉措呢?一方面,英飛凌與多家晶圓廠簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議推動(dòng)其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化,保證晶圓供應(yīng)。就在本月,英飛凌與中國(guó)碳化硅供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司和山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司分別簽訂了長(zhǎng)期協(xié)議,以確保獲得更多而且具有競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅材料供應(yīng)。協(xié)議將為英飛凌供應(yīng)高質(zhì)量并且有競(jìng)爭(zhēng)力的150毫米碳化硅晶圓和晶錠,以及助力英飛凌向200毫米直徑碳化硅晶圓的過(guò)渡。其供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。另一方面,英飛凌繼續(xù)在歐洲和亞洲擴(kuò)產(chǎn),增加碳化硅產(chǎn)能。

除此之外,英飛凌還有一個(gè)增加晶圓利用率的獨(dú)門(mén)黑科技:冷切割(cold split)技術(shù)。幾年前英飛凌收購(gòu)了一家名為SILTECTRA的科技公司,其核心技術(shù)“冷切割”,是一種高效的晶體材料加工工藝,能夠?qū)⒉牧蠐p失降到最低。英飛凌目前已經(jīng)開(kāi)始將這項(xiàng)技術(shù)用于SiC晶錠的切割上,從而讓單個(gè)晶錠可出產(chǎn)的芯片數(shù)量翻番。在未來(lái),這項(xiàng)技術(shù)還可以用于晶圓制作過(guò)程中的切割,進(jìn)一步提高芯片產(chǎn)量。


傳統(tǒng)的芯片制作過(guò)程包括晶圓切片,外延生長(zhǎng),芯片正面工藝和背部減薄等。其中晶錠的切片和背部減薄工序?qū)iC材料的“浪費(fèi)”最多,幾乎可以達(dá)到四分之三。

晶圓切割工藝包括鋸切割和研磨,其中鋸切割通常采用金剛石線切割碳化硅的晶錠,效率低而且碳化硅晶錠和金剛石線的損耗也很高。不僅如此,鋸切割的晶圓片切割面平整度比較差,這對(duì)后續(xù)SiC芯片的制作良率也造成一定的障礙。研磨除了在晶圓處理過(guò)程中需要使用之外,在芯片最后的背部減薄工藝中也經(jīng)常會(huì)用到,這一步對(duì)于原材料的損耗也很大。針對(duì)傳統(tǒng)的處理方式,冷切割技術(shù)則可以大大的提高晶圓利用率,并改進(jìn)切面的平整度和良率。

那么冷切割技術(shù)又是如何進(jìn)行的呢?首先在碳化硅晶錠切片過(guò)程中,采用低溫和激光技術(shù)切出晶圓片Wafer,這一步相比于鋸切割對(duì)于材料的損耗幾乎可以忽略不計(jì)。

48a6564c-f511-11ed-ba01-dac502259ad0.png

在芯片工藝的最后,冷切割技術(shù)又可以替代背部減薄工藝,將本來(lái)需要磨掉的材料切下完整的一片晶圓片。更重要的是,這一片晶圓還可以再次利用,回到之前的工藝?yán)^續(xù)生產(chǎn)芯片。

48c4ad9a-f511-11ed-ba01-dac502259ad0.png

通過(guò)晶錠的切片和背部減薄的切割方法,冷切割技術(shù)理論上可以達(dá)到傳統(tǒng)晶圓處理方法4倍的利用率。不僅如此,冷切割技術(shù)還可以用于GaN晶錠的生產(chǎn)過(guò)程中。英飛凌目前已經(jīng)在晶錠的切片過(guò)程中開(kāi)始試產(chǎn)冷切割技術(shù),未來(lái)兩年會(huì)繼續(xù)把冷切割技術(shù)用到背部減薄工藝中去。

英飛凌正著力提升碳化硅產(chǎn)能,以實(shí)現(xiàn)在2030年之前占據(jù)全球30%市場(chǎng)份額的目標(biāo)。預(yù)計(jì)到2027年,英飛凌的碳化硅產(chǎn)能將增長(zhǎng)10倍。英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的新工廠計(jì)劃于2024年投產(chǎn),屆時(shí)將補(bǔ)充奧地利菲拉赫工廠的產(chǎn)能。迄今為止,英飛凌已向全球3,600多家汽車(chē)和工業(yè)客戶提供碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    2119

    瀏覽量

    138167
  • 硅晶
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    9

    瀏覽量

    7602
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅和硅的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅和硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?805次閱讀

    CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場(chǎng)

    英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù),再度突破極限,實(shí)現(xiàn)更高效率、更低功耗,這也使英飛凌在日益發(fā)展且競(jìng)爭(zhēng)激烈的碳化硅市場(chǎng),屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在過(guò)去三年,碳化硅市場(chǎng)經(jīng)歷了蓬勃發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 07-12 08:14 ?335次閱讀
    CoolSiC? MOSFET  G2助力<b class='flag-5'>英飛凌</b>革新<b class='flag-5'>碳化硅</b>市場(chǎng)

    國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅邁入新紀(jì)元,芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破

    5月27日,中國(guó)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域迎來(lái)里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線,這一成就標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅的生產(chǎn)正式邁入國(guó)產(chǎn)化階段。此項(xiàng)目總投資高達(dá)9.61億元
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:24 ?960次閱讀
    國(guó)產(chǎn)8英寸<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>邁入新紀(jì)元,芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏
    發(fā)表于 03-08 08:37

    英飛凌與Wolfspeed擴(kuò)展并延長(zhǎng)150mm碳化硅供應(yīng)協(xié)議

    英飛凌科技與Wolfspeed宣布,將擴(kuò)展并延長(zhǎng)他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過(guò)這次擴(kuò)展,雙方的合作新增了一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這一合作不僅有助于
    的頭像 發(fā)表于 02-02 10:35 ?700次閱讀

    英飛凌與Wolfspeed延長(zhǎng)150mm碳化硅供應(yīng)協(xié)議

    英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布,將擴(kuò)展并延長(zhǎng)雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。這一合作旨在滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,并提升
    的頭像 發(fā)表于 01-31 17:31 ?780次閱讀

    英飛凌與Wolfspeed延長(zhǎng)硅碳化(SiC)供應(yīng)協(xié)議

    英飛凌技術(shù)公司與美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅(SiC)材料和功率半導(dǎo)體器件的制造商 — 已經(jīng)擴(kuò)大并延長(zhǎng)了他們的現(xiàn)有長(zhǎng)期150毫米碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 01-30 17:06 ?467次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>與Wolfspeed延長(zhǎng)硅<b class='flag-5'>碳化</b>(SiC)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>供應(yīng)協(xié)議

    英飛凌與Wolfspeed擴(kuò)展并延長(zhǎng)多年期 150mm 碳化硅供應(yīng)協(xié)議

    技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed(NYSE代碼:WOLF)近日宣布擴(kuò)展并延長(zhǎng)雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過(guò)此次擴(kuò)展,雙方的合作又新增了一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這不僅有助于提升
    發(fā)表于 01-30 14:19 ?264次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>與Wolfspeed擴(kuò)展并延長(zhǎng)多年期 150mm <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>供應(yīng)協(xié)議

    英飛凌與Wolfspeed擴(kuò)大并延長(zhǎng)供應(yīng)協(xié)議

    英飛凌科技(Infineon Technologies)與美國(guó)半導(dǎo)體制造商Wolfspeed近日宣布,雙方將擴(kuò)大并延長(zhǎng)現(xiàn)有的供應(yīng)協(xié)議。這一協(xié)議的擴(kuò)展將進(jìn)一步加強(qiáng)英飛凌與Wolfsp
    的頭像 發(fā)表于 01-24 17:19 ?807次閱讀

    英飛凌與Wolfspeed擴(kuò)大碳化硅合作,滿足市場(chǎng)需求

    英飛凌和美國(guó)碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發(fā)表聲明,延長(zhǎng)并擴(kuò)大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)合同。該合作內(nèi)容
    的頭像 發(fā)表于 01-24 14:26 ?631次閱讀

    ?英飛凌與Wolfspeed擴(kuò)大并延伸多年期碳化硅150mm供應(yīng)協(xié)議

    )與全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:WOLF)于今日宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長(zhǎng)期 150mm 碳化硅供應(yīng)協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于 2018 年
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:51 ?452次閱讀

    碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

    的制備成本相當(dāng)高,因此人們通常希望能夠從一個(gè)大型碳化硅錠中切割出盡可能多的薄碳化硅晶片襯底。而工業(yè)的發(fā)展使得晶片尺寸不斷增大,這使人們對(duì)切割
    的頭像 發(fā)表于 01-23 09:42 ?4569次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>的激光<b class='flag-5'>切割</b>技術(shù)介紹

    英飛凌碳化硅供應(yīng)商SK Siltron CSS達(dá)成協(xié)議

    英飛凌與韓國(guó)SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達(dá)成了一項(xiàng)重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 01-17 14:08 ?588次閱讀

    三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

    碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:45 ?2686次閱讀
    三種<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延生長(zhǎng)爐的差異

    羅姆國(guó)富工廠將于明年生產(chǎn)8英寸碳化硅 目標(biāo)增長(zhǎng)35倍

    11月上旬,羅姆株式會(huì)社社長(zhǎng)松本功在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布,他們將在日本宮崎縣的國(guó)富工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅,預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:07 ?1154次閱讀