為了保護環(huán)境,降低功耗已成為全球面臨的重大挑戰(zhàn),正因如此,變頻器日益廣泛用于各類型設(shè)備。借助變頻器提高能效是重要目標。要求大電流和高功率的應(yīng)用中通常使用硅(Si)IGBT,因為在大電流條件下,IGBT的飽和電壓低于MOSFET。然而,IGBT在關(guān)斷過程中的拖尾電流導(dǎo)致?lián)p耗增加,限制了其在高速開關(guān)中的應(yīng)用。
基于CoolSiC? MOSFET的技術(shù),CIPOS? Maxi IPM IM828系列推出全球首款采用壓鑄模封裝的1200 V碳化硅IPM,集成了一個優(yōu)化的6通道1200V SOI柵極驅(qū)動器和6個CoolSiC? MOSFET。作為最小巧、最緊湊的1200V等級封裝,這款SiC MOSFET IPM使用簡便,因為其嵌入式SOI柵極驅(qū)動IC經(jīng)專門優(yōu)化,可減小開關(guān)振蕩。此外,它采用緊湊式封裝,得益于使用具備很高熱導(dǎo)率的DBC基板,IM828-XCC提供的額定功率超過4.8 kW,具有出色的功率密度、可靠性和性能。它針對工業(yè)應(yīng)用進行了優(yōu)化,例如供暖通風空調(diào)(HVAC),風扇電機,泵和電機驅(qū)動器的功率因數(shù)校正。采用先進的電機控制引擎 (MCE),無需任何編碼即可實現(xiàn)最先進的無傳感器磁場定向控制 (FOC)。
產(chǎn)品規(guī)格:EVAL-M1-IM828-A
相關(guān)器件:IM828-XCC,IMBF170R1K0M1,ICE5QSAG和IFX25001ME V33
?場景應(yīng)用圖
?產(chǎn)品實體圖
?展示板照片
?方案方塊圖
?核心技術(shù)優(yōu)勢
? 1200V 絕緣體上硅(SOI) 門極驅(qū)動IC
? 集成自舉功能
? 過電流保護
? 全通道欠壓鎖定保護
? 觸發(fā)保護時六個開關(guān)器件全部關(guān)閉
? 內(nèi)置死區(qū)時間,防止直通短路
? 獨立的熱敏電阻用于過溫保護
? 當VBS=15V時,允許負VS電勢達到-11V
? 獨立的熱敏電阻用于過溫保護
? 三相橋低端開路,適用于單/三電阻相電流采樣
? 故障清除時間可調(diào)
? 節(jié)約系統(tǒng)成本,設(shè)計簡單
? 投入市場周期短
?方案規(guī)格
? 輸入電壓: 380~480VAC
? 4.8kW電機功率輸出
? 輸出電流: 15A/19A (低速)
? EMI濾波器
? 默認配置單相分流電流傳感
? 直流母線電壓檢測
? 故障診斷輸出
-
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1258文章
3732瀏覽量
247692 -
BLDC
+關(guān)注
關(guān)注
202文章
777瀏覽量
96613 -
Infineon
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
86瀏覽量
28919 -
IPM
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
157瀏覽量
38864
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論