士蘭微電子推出高性能汽車驅(qū)動模塊—600A/1200V IGBT模塊

隨著人們對環(huán)保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求，新能源汽車的市場需求逐漸增大，已然成為汽車發(fā)展的大趨勢，但是新能源汽車充電時間長、續(xù)航里程短等問題仍然是汽車廠商和車主們的痛點。因此，需要更好的汽車驅(qū)動產(chǎn)品來實現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。

針對這一需求，士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅(qū)動模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力，為用戶帶來更高的效率和更好的體驗。

該模塊產(chǎn)品阻斷電壓可以達到1200V，可以滿足800V平臺新能源汽車快速充電的需求，在5C倍率的充電速度下，可以實現(xiàn)5min充電0-80%。同時，該模塊峰值工況下支持850V電壓，輸出電流350-400Arms，輸出動能強，汽車加速快，這對于追求速度與激情的消費者來說是極其重要的。

士蘭微電子基于自主研發(fā)的精細溝槽 FS-V 技術(shù)開發(fā)的這款六單元拓撲模塊，可以為車輛提供高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級特性，從而為嚴苛的環(huán)境條件下的逆變器運行提供更可靠的保障。

與傳統(tǒng)的驅(qū)動模塊相比，士蘭600A/1200V IGBT模塊的電流密度更高，可以將更多的功率輸出到驅(qū)動軸，提高車輛的加速性能和行駛距離。此外，該模塊還具有高短路能力和高阻斷電壓等級，可以保護逆變器免受突發(fā)電流和電壓的損害，從而延長逆變器的壽命。

該模塊IGBT芯片采用士蘭最新一代的場截止5代（Field-Stop V）技術(shù)和最先進的精細溝槽技術(shù)，較之前常規(guī)IGBT工藝具有更窄的臺面寬度，用于降低飽和壓降，提高器件的功率密度，縮小芯片的尺寸；且硅厚度只有110um，可以使得器件-40度下耐壓大于1200V，大大降低了器件的飽和壓降和關斷損耗；其低 VCE(sat)特性使該模塊具備正溫度系數(shù)，具有較低的靜態(tài)損耗，以及低開關損耗，可以增大模塊的輸出能力，提高整個電控系統(tǒng)的效率；采用導熱性優(yōu)良的DBC，進一步降低模塊熱阻，提高輸出能力。

產(chǎn)品驗證數(shù)據(jù)顯示，該模塊的規(guī)格和同封裝下的輸出能力已經(jīng)超過了同類競品，達到了世界一流水平。這也意味著，士蘭600A/1200V IGBT模塊是一款創(chuàng)新產(chǎn)品，它可以為混動和純電動汽車等應用帶來更高的燃油效率和更快的充電速度，進而改善車輛的性能和駕駛體驗。

二十多年來，士蘭微電子堅持走“設計制造一體化”道路，打通了“芯片設計、芯片制造、芯片封裝”全產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)了“從5吋到12吋”的跨越，為汽車客戶與零部件供應商提供一站式的服務。

士蘭微電子應用于汽車電子的產(chǎn)品不僅涵蓋了主驅(qū)、車載充電機、車身電子、底盤電子和智能座艙等功率器件，還包括驅(qū)動IC、電源IC、電機IC和MCU等系列產(chǎn)品，可以為客戶提供更可靠、更具性價比、更高性能的產(chǎn)品和解決方案。在穩(wěn)產(chǎn)保供的大方針下，全力以赴促進客戶和行業(yè)的共同發(fā)展。
責任編輯：彭菁