Aston? 質譜分析儀保護 CVD 工藝免受干泵故障的影響

上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質譜儀 Aston? 為半導體生產而設計, 作為一個強大的平臺, Aston? 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供半導體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室在大批量生產中的氣體偵測分析, 實現(xiàn)尾氣在線監(jiān)控, 診斷并在一系列應用中提供更高的控制水平, 適用于光刻, 電介質和導電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.

Aston? 質譜分析儀耐受腐蝕性氣體和氣化污染物冷凝液, 能夠在半導體生產遇到的惡劣工況下可靠運行, 與傳統(tǒng)質量分析儀相比, 使用 Aston? 的維修間隔更長. 它包括自清潔功能, 盡可能的清除由于某些工藝中存在的冷凝物沉積而導致的污垢積累.

Aston? 質譜分析儀典型應用: 保護 CVD 工藝免受干泵故障的影響
真空泵是半導體加工廠中應用廣泛的設備之一. 真空泵對于在真空環(huán)境操作下的各種化學氣相沉積工藝至關重要, 這些工藝在真空下運行, 以確保在較低的加工溫度下獲得均勻, 保形的沉積涂層. 干泵通常是惰性且可靠的, 但在苛刻的半導體制造工藝中進行泵送時, 干泵可能會出現(xiàn)意外故障.

災難性故障
電介質沉積冷凝液和苛刻的工藝氣體 (如 NF3) 可能會導致性能下降或突然失效模式, 包括沉積物突然吸入, 排氣堵塞, 沉積導致干泵卡死以及干泵部件的腐蝕退化. 干泵故障通常會對 10片甚至 100片在加工中的晶圓造成不可修復的損壞. 此外, 工具停機和清理可能會導致大量開支和收入損失.

CVD 工藝過程中, 已污染的干泵

上海伯東Aston? 質譜分析儀提供解決方案
通過在故障前, 提前更換或使干泵離線, 可以減輕災難性的真空損失, 從而提高生產線良率.
數據驅動干泵故障預測. 通過測量進入 (進氣) 和排出 (排氣) 干泵的氣體的分子類型和質量 (分壓), 可以對破壞性腐蝕或沉積物堆積進行建模. 僅氣體壓力和體積僅部分指示氣流的腐蝕性或堵塞性. 至關重要的是流經干泵的氣體成分. Aston? 質譜分析儀通過對干泵暴露在氣體濃度下的情況進行建模, 并將模型與實際泵故障相關聯(lián), 可以較準確的預測干泵的預期運行壽命.

在惡劣的 CVD 環(huán)境中, Aston? 利用可操作的數據預測和防范因 PV-CVD 干泵引起的災難性故障, 能夠對破壞性腐蝕或沉積進行預測建模, 優(yōu)化氮氣吹掃成本.
適用場景: 多個腔室連接到 1個干泵, 高濃度的電介質會導致災難性的泵故障 (一次損失 10-100 片的晶圓)

通過使用上海伯東 Atonarp 過程控制質譜儀 Aston? 可以提高半導體制造工藝的產量, 吞吐量和效率, 此款質譜儀可以在新工藝腔室的組裝過程中進行安裝, 也可將其加裝到已運行的現(xiàn)有腔室, 可在短時間內實現(xiàn)晶圓更高產量! Atonarp 質譜由統(tǒng)一的軟件平臺, 光學和質譜技術的突破性創(chuàng)新提供支持, 可提供實時, 可操作, 全面的分子譜分析數據.

Atonarp Aston? 質譜儀半導體行業(yè)應用
1.介電蝕刻: Dielectric Etch
2.金屬蝕刻: Metal Etch EPD
3.CVD 監(jiān)測: CVD Monitoring
4.腔室清潔 EPD: Chamber Clean EPD
5.腔室指紋: Chamber Fingerprinting
6.腔室匹配: Chamber Matching
7.高縱橫比蝕刻: High Aspect Ratio Etch
8.小開口面積 <0.3% 蝕刻: Small Open Area <0.3% Etch
9.ALD
10.ALE