采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。

配圖：英飛凌-1200-V-CoolSiC.jpg

相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。這種開關(guān)性能上的改進實現(xiàn)了高頻運行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS（th））大于4V且Crss/Ciss比率極低，因此在VGS=0 V時可實現(xiàn)可靠的關(guān)斷，而且沒有寄生導(dǎo)通的風(fēng)險。這使得單極驅(qū)動成為可能，從而降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。另外，新一代產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻（RDS（on）），減少了-55℃至175℃溫度范圍內(nèi)的傳導(dǎo)損耗。

先進的擴散焊接芯片貼裝工藝（.XT技術(shù)）顯著改善了封裝的熱性能，相比第一代產(chǎn)品，SiC MOSFET的結(jié)溫降低了25%。

此外，這款MOSFET的爬電距離為5.89 mm，符合800 V系統(tǒng)要求并減少了涂覆工作量。為滿足不同應(yīng)用的需求，英飛凌提供一系列RDS（on）選項，包括目前市場上唯一采用TO263-7封裝的9 mΩ型。

KOSTAL在其OBC平臺中使用CoolSiC MOSFET

KOSTAL Automobil Elektrik在其為中國OEM廠商提供的新一代OBC平臺中采用了英飛凌最新的CoolSiC MOSFET。KOSTAL是一家全球領(lǐng)先的汽車充電器系統(tǒng)供應(yīng)商，通過其標準化平臺方案為全球提供安全、可靠和高效的產(chǎn)品，可滿足各OEM廠商的要求及全球法規(guī)。

英飛凌科技車規(guī)級高壓芯片和分立器件產(chǎn)品線副總裁Robert Hermann表示：“低碳化是這十年的主要挑戰(zhàn)，讓我們更有動力與客戶一起推動汽車的電氣化進程。因此，我們十分高興能夠與KOSTAL合作。這個項目突出了我們的標準產(chǎn)品組合在采用先進SiC技術(shù)的車載充電器市場中的強大地位?！?/p>

KOSTAL ASIA副總裁兼技術(shù)執(zhí)行經(jīng)理Shen Jianyu表示：“英飛凌的新型1200V CoolSiC溝槽式MOSFET額定電壓高、魯棒性優(yōu)異，是我們未來一代OBC平臺的關(guān)鍵部件。這些優(yōu)勢有助于我們創(chuàng)造一個兼容的設(shè)計，以管理我們最先進的技術(shù)解決方案，實現(xiàn)優(yōu)化成本和大規(guī)模的市場交付?！?/p>