0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-09-05 08:03 ? 次閱讀

新品

采用第二代1200V CoolSiC MOSFET

集成伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

462de56c-6b1a-11ef-bb4b-92fbcf53809c.png

REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而開發(fā)的升級(jí)版逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器板。設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiC MOSFET。

采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關(guān)。驅(qū)動(dòng)電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器1ED3122MC12H。

產(chǎn)品型號(hào):

REF-DR3KIMBGSIC2MA

所用器件:

SiC MOSFET:

IMBG120R040M2H 40mΩ 1200V

柵極驅(qū)動(dòng)器:

1ED3122MC12H 10A,5.7kV(rms)

產(chǎn)品特點(diǎn)

用于集成驅(qū)動(dòng)的三相伺服電機(jī)

輸入電壓350VDC~800VDC

輸出電壓220VAC~480VAC

輸出功率4.2kW

CoolSiC MOSFET 1200V,40mΩ G2

EiceDRIVER Compact,10A,5.7kV(rms)

PCB直徑110mm

絕緣金屬基板(IMS)PCB

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

REF-DR3KIMBGSIC2MA是專為伺服電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而開發(fā)的升級(jí)版逆變板和柵極驅(qū)動(dòng)器板??蛻艨蓪⑵渥鳛闃?gòu)建自己的伺服電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器集成的參考。它采用了英飛凌最先進(jìn)的器件,如CoolSiC MOSFET 1200V G2和EiceDRIVER Compact單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

應(yīng)用價(jià)值

最先進(jìn)的英飛凌技術(shù)

緊湊型設(shè)計(jì)

具有高導(dǎo)熱性能的印刷電路板

自然冷卻,無(wú)需冷卻風(fēng)扇

過(guò)流檢測(cè)電路

帶有隔離放大器電流采樣

應(yīng)用領(lǐng)域

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器

伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制

框圖

46749f2a-6b1a-11ef-bb4b-92fbcf53809c.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    142

    文章

    7000

    瀏覽量

    212239
  • 驅(qū)動(dòng)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    8054

    瀏覽量

    145613
  • 伺服電機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    85

    文章

    2013

    瀏覽量

    57554
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    TMS320第二代數(shù)字信號(hào)處理數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TMS320第二代數(shù)字信號(hào)處理數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-02 09:55 ?0次下載
    TMS320<b class='flag-5'>第二代</b>數(shù)字信號(hào)處理<b class='flag-5'>器</b>數(shù)據(jù)表

    Power Master 半導(dǎo)體推出第二代 1200V eSiC MOSFET

    PowerMasterSemiconductor推出了第二代1200VeSiCMOSFET,以滿足直流電動(dòng)汽車充電站、太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)電源等一系列應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 07-17 10:53 ?4.2w次閱讀
    Power Master 半導(dǎo)體推出<b class='flag-5'>第二代</b> <b class='flag-5'>1200V</b> eSiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    第二代SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff

    第二代SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff
    的頭像 發(fā)表于 06-20 09:53 ?348次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>關(guān)斷損耗Eoff

    伺服驅(qū)動(dòng)器對(duì)伺服電機(jī)的控制要求

    伺服驅(qū)動(dòng)器對(duì)伺服電機(jī)的控制要求是一個(gè)復(fù)雜而深入的話題。以下是關(guān)于伺服驅(qū)動(dòng)器對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 06-14 15:24 ?619次閱讀

    伺服驅(qū)動(dòng)器伺服電機(jī)的區(qū)別

    在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,伺服驅(qū)動(dòng)器伺服電機(jī)是兩個(gè)不可或缺的關(guān)鍵組件。它們各自扮演著不同的角色,共同構(gòu)成了高精度的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)。本文將詳細(xì)探討伺服
    的頭像 發(fā)表于 06-06 18:00 ?2062次閱讀

    伺服馬達(dá)用齒輪減速機(jī)第二代PII系列

    第二代P系列是為高精度的經(jīng)濟(jì)型伺服馬達(dá)用齒輪減速機(jī),擁有極佳的效能與品質(zhì)。APEX的創(chuàng)新設(shè)計(jì),提供給您最小的尺寸,最輕的重量及最佳的運(yùn)轉(zhuǎn)性能。具有高效能、低噪音、低背隙、優(yōu)化的轉(zhuǎn)動(dòng)慣性、低升溫、使用壽命長(zhǎng)、適用于多種安裝尺寸、尺寸與重量極小化等特點(diǎn)。
    發(fā)表于 06-05 09:05 ?0次下載

    溝槽當(dāng)?shù)?,平面型SiC MOSFET尚能飯否?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。安森美在前代SiC MOSFET產(chǎn)品中,采用M1
    的頭像 發(fā)表于 04-08 01:55 ?3838次閱讀

    安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

    安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:57 ?1318次閱讀
    安森美發(fā)布了<b class='flag-5'>第二代</b><b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅 (SiC) <b class='flag-5'>MOSFET</b>—M3S

    全面提升!英飛凌推出新一碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2

    的設(shè)計(jì)解決了SiC MOSFET中柵極氧化物的可靠性問(wèn)題,并克服了常見(jiàn)的SiC MOSFET在控制和驅(qū)動(dòng)方面的限制,這加速了SiC MOSFET上車的節(jié)奏。 ? 在
    的頭像 發(fā)表于 03-19 18:13 ?2796次閱讀
    全面提升!英飛凌推出新一<b class='flag-5'>代</b>碳化硅技術(shù)<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> G2

    瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

    瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MO
    的頭像 發(fā)表于 03-13 09:24 ?814次閱讀

    瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

    近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 11:04 ?754次閱讀

    瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

    3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。
    的頭像 發(fā)表于 03-11 09:24 ?684次閱讀
    瞻芯電子開發(fā)的3款<b class='flag-5'>第二代</b>650<b class='flag-5'>V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

    伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)置參數(shù)教程

    伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的一種設(shè)備。通過(guò)合理設(shè)置參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高精度定位、速度控制和力矩控制等功能,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。本文將詳細(xì)介紹
    的頭像 發(fā)表于 01-25 11:36 ?6248次閱讀

    瞻芯電子推出第二代650V車規(guī)級(jí)TO263-7封裝助力高效高密應(yīng)用

    近日,瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,該產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 01-16 10:16 ?1665次閱讀
    瞻芯電子推出<b class='flag-5'>第二代</b>650<b class='flag-5'>V</b>車規(guī)級(jí)TO263-7封裝助力高效高密應(yīng)用

    伺服電機(jī)怎么連接驅(qū)動(dòng)器

    的參數(shù):了解伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓、額定電流、功率等參數(shù)。 準(zhǔn)備連接線路:為了保證電流傳輸?shù)目煽啃院头€(wěn)定性,選用合適的連接線,如高質(zhì)量的導(dǎo)線和插頭等。 、連接方法
    的頭像 發(fā)表于 12-20 09:47 ?4665次閱讀