01
帶隙基準(zhǔn)理論基礎(chǔ)
與溫度關(guān)系很小的電壓或者電流基準(zhǔn),在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中具有重要的應(yīng)用,比如在電流鏡結(jié)構(gòu)中,需要對(duì)一“理想的”基準(zhǔn)電流進(jìn)行精確復(fù)制,這一“理想的”基準(zhǔn)電流,一般由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生。怎樣才能產(chǎn)生一個(gè)對(duì)溫度變化保持恒定的量呢?我們可以這樣假設(shè):如果將兩個(gè)具有相反溫度系數(shù)的量,以適當(dāng)?shù)臋?quán)重進(jìn)行相加,那么最終的結(jié)果就會(huì)顯示出零溫度系數(shù)。例如,對(duì)于隨溫度變化向相反方向變化的電壓和來(lái)說(shuō),我們選取系數(shù)和,使得,這樣就得到了具有零溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)。下面,我們將分析,如何產(chǎn)生這兩種隨溫度變化反方向變化的電壓。
02
負(fù)溫度系數(shù)電壓
雙極性晶體管的基極-發(fā)射極電壓,具有負(fù)溫度系數(shù)。對(duì)于一個(gè)雙極性器件,我們可以寫出,其中,,飽和電流正比于,其中為少數(shù)載流子濃度,為硅的本征載流子濃度。這些參數(shù)與溫度的關(guān)系可以表示為,其中,,并且,其中,,為硅的帶隙能量,所以有:
其中,b為一比例系數(shù)。寫出,我們就可以計(jì)算基極-發(fā)射極電壓隨溫度的系數(shù)了。在對(duì)T取導(dǎo)數(shù)時(shí),我們一定要知道也是溫度的系數(shù)。為了簡(jiǎn)化分析,我們暫時(shí)假設(shè)保持不變,這樣有:
于是我們有:
所以有:
最終可得到:
上式給出了在給定溫度T下基極-發(fā)射極電壓的溫度系數(shù),從中可以看出,它與本身的大小有關(guān)。當(dāng),T=300K時(shí),。
03
正溫度系數(shù)電壓
如果兩個(gè)雙極性晶體管工作在不相等的電流密度下,那么它們的基極-發(fā)射極電壓的差值就與絕對(duì)溫度成正比。
圖一
對(duì)于圖一,如果兩個(gè)同樣的晶體管()偏置的集電極電流分別為和并忽略它們的基極電流,那么有:
這樣,的差值就表現(xiàn)出正溫度系數(shù):
04
帶隙基準(zhǔn)
利用上面得到的正、負(fù)溫度系數(shù)的電壓,我們現(xiàn)在可以設(shè)計(jì)出一個(gè)令人滿意的零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。我們有,這里是兩個(gè)工作在不同電流密度下的雙極性晶體管的基極-發(fā)射極電壓的差值。那么我們?cè)趺催x擇系數(shù)和呢?在室溫下,,,因此我們可以選擇令,選擇使得,也就是,這樣得到的零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)為:
05
實(shí)現(xiàn)電路
圖二
圖二為帶隙基準(zhǔn)電路的實(shí)現(xiàn)原理圖,Q1為單個(gè)晶體管,Q2為n個(gè)并聯(lián)的晶體管,我們?cè)赬點(diǎn)和Y點(diǎn)引入運(yùn)算放大器,利用運(yùn)算放大器的特性強(qiáng)制X點(diǎn)和Y點(diǎn)點(diǎn)位相等,那么有,即I=,所以有。選擇,我們有輸出電壓為:
我們選擇合適的電阻值,即可滿足的條件。例如,可以選擇n=31,。
06
總結(jié)
至此,我們已經(jīng)完成了最簡(jiǎn)單的帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)。在實(shí)際電路中,由于運(yùn)放的輸入失調(diào)等效應(yīng),還需要加入反饋回路等結(jié)構(gòu),以確保帶隙基準(zhǔn)電路能夠穩(wěn)定的工作。最終實(shí)現(xiàn)的電路會(huì)相對(duì)復(fù)雜,但是核心電路的原理基本上大同小異。
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