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帶隙基準(zhǔn)電路_cmos無(wú)運(yùn)放帶隙基準(zhǔn)源

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低電壓帶基準(zhǔn)電壓技術(shù)解決方案 本文采用一種低電壓帶基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。在TSMC0.13μm
2010-04-17 15:41:413877

低壓低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)及啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)

介紹了一種低壓電流模電壓基準(zhǔn)電路,并提出了一種新穎的啟動(dòng)電路結(jié)構(gòu).電路采用預(yù)先設(shè)置電路工作點(diǎn)和反饋控
2010-04-13 08:58:4453

一種3ppmoC基準(zhǔn)電壓的設(shè)計(jì)

采用二級(jí)溫度補(bǔ)償對(duì)傳統(tǒng)電流模式結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓電路進(jìn)行改進(jìn),基于chartered 0.35um cmos工藝,使用cadence spectre進(jìn)行仿真,結(jié)果表明工作電壓為2v時(shí),電路可以輸出100mv—1.8v的寬范
2010-02-23 11:39:5428

一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的CMOS基準(zhǔn)電壓設(shè)計(jì)

本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單高電源抑制比的CMOS 基準(zhǔn)電壓,供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS 工藝。Spectre 仿真結(jié)果表明,基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40~+80℃時(shí),溫度系數(shù)為45.53×10-6/
2010-01-11 14:20:4327

基于BiCMOS工藝的基準(zhǔn)電壓設(shè)計(jì)

電壓基準(zhǔn)是模擬集成電路的重要單元模塊,本文在0.35um BiCMOS 工藝下設(shè)計(jì)了一個(gè)基準(zhǔn)電壓。仿真結(jié)果表明,該基準(zhǔn)電路在典型情況下輸出電壓為1.16302V,在-45℃~105℃范圍
2010-01-11 11:42:0531

一種抵消曲率系數(shù)的高精度低溫漂CMOS基準(zhǔn)的設(shè)計(jì)

一種抵消曲率系數(shù)的高精度低溫漂CMOS基準(zhǔn)的設(shè)計(jì):傳統(tǒng)的基準(zhǔn)使用PTAT電壓對(duì)三極管Vbe的溫度系數(shù)進(jìn)行線(xiàn)性補(bǔ)償來(lái)得到與溫度無(wú)關(guān)的基準(zhǔn)電壓,但由于忽略了Vbe的曲率系數(shù)
2009-12-21 10:15:4620

采用LT1495運(yùn)構(gòu)成的參考基準(zhǔn)電路

采用LT1495運(yùn)構(gòu)成的參考基準(zhǔn)電路
2009-10-13 16:27:221563

采用運(yùn)構(gòu)成的基準(zhǔn)電源電路

采用運(yùn)構(gòu)成的基準(zhǔn)電源電路
2009-10-13 16:11:02976

采用運(yùn)構(gòu)成的正負(fù)基準(zhǔn)電壓電路

采用運(yùn)構(gòu)成的正負(fù)基準(zhǔn)電壓電路
2009-10-13 15:50:411636

參考電路的設(shè)計(jì)原理

本教程簡(jiǎn)要地討論不同參考電路的設(shè)計(jì),重點(diǎn)討論造成嚴(yán)重麻煩的技術(shù)問(wèn)題。針對(duì)各種問(wèn)題給出了實(shí)際解決方案,并證明了解決這些問(wèn)題的一種方法。教程參考多年來(lái)
2009-09-30 10:06:357

一種低功耗差動(dòng)CMOS基準(zhǔn)

        設(shè)計(jì)了一種采用0.6μmCMOS工藝的低功耗差動(dòng)基準(zhǔn)電壓電路。在設(shè)計(jì)中采用兩個(gè)pn結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)來(lái)減小運(yùn)失調(diào)電壓的影響,并采用自偏置共
2009-09-04 08:57:3430

一種采用曲率補(bǔ)償技術(shù)的高精度基準(zhǔn)電壓的設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了采用曲率補(bǔ)償,具有較高的溫度穩(wěn)定性的高精度基準(zhǔn)電壓。設(shè)計(jì)中沒(méi)有使用運(yùn)算放大器,電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,且避免運(yùn)算放大器所帶來(lái)的高失調(diào)和必須補(bǔ)償?shù)娜毕?。?/div>
2009-08-31 11:29:4426

一種低壓低功耗共共柵基準(zhǔn)電壓的實(shí)現(xiàn)

提出了一種低壓低功耗的基準(zhǔn)電壓電路,設(shè)計(jì)基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process,并使用了低壓共共柵電流鏡結(jié)構(gòu)減少了對(duì)電源電壓的依賴(lài),消除了精度與余度之間的矛盾,并用HL50S-
2009-08-22 09:27:5326

基準(zhǔn)電路的研究

本文闡述了Banba 和Leung 兩種基本基準(zhǔn)電壓電路的工作原理,分析了Leung結(jié)構(gòu)對(duì)于Banba 結(jié)構(gòu)改進(jìn)的方法,分別對(duì)兩個(gè)電路的參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計(jì),并仿真其性能,由此來(lái)比較了
2009-03-11 17:28:3670

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