HBM出現(xiàn)缺貨漲價，又一半導體巨頭加入擴產

預計未來兩年HBM供應仍將緊張。

據(jù)電子時報援引業(yè)內人士消息稱，由于人工智能服務器需求激增，高帶寬內存（HBM）價格已開始上漲。

目前，全球前三大存儲芯片制造商正將更多產能轉移至生產HBM，但由于調整產能需要時間，很難迅速增加HBM產量，預計未來兩年HBM供應仍將緊張。

另據(jù)韓媒報道，三星計劃投資1萬億韓元（約合7.6億美元）擴產HBM，目標明年底之前將HBM產能提高一倍，公司已下達主要設備訂單。據(jù)悉，三星已收到AMD與英偉達的訂單，以增加HBM供應。

本次三星將在天安工廠展開擴產，該廠主要負責半導體封裝等后道工藝。HBM主要是通過垂直堆疊多個DRAM來提高數(shù)據(jù)處理速度，因此只有增加后段設備才能擴大出貨量。三星計劃生產目前正在供應的HBM2和HBM2E等產品，并計劃于下半年量產8層堆疊HBM3和12層HBM3E。

值得一提的是，6月已有報道指出，另一存儲芯片巨頭SK海力士已著手擴建HBM產線，目標將HBM產能翻倍。擴產焦點在于HBM3，SK海力士正在準備投資后段工藝設備，將擴建封裝HBM3的利川工廠。預計到今年年末，后段工藝設備規(guī)模將增加近一倍。SK海力士的這一投資金額大約也在1萬億韓元（約合7.6億美元）水平。

業(yè)內預計，明年三星與SK海力士都將進一步擴大投資規(guī)模。由于谷歌、蘋果、微軟等科技巨頭都在籌劃擴大AI服務，HBM需求自然水漲船高，“若想滿足未來需求，三星、SK海力士都必須將產能提高10倍以上。”

HBM或迎量價齊升

HBM主要是通過硅通孔（Through SiliconVia, 簡稱“TSV”）技術進行芯片堆疊，以增加吞吐量并克服單一封裝內帶寬的限制，將數(shù)個DRAM裸片像樓層一樣垂直堆疊。

SK海力士表示，TSV是在DRAM芯片上搭上數(shù)千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術。該技術在緩沖芯片上將數(shù)個DRAM芯片堆疊起來，并通過貫通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號、指令、電流。相較傳統(tǒng)封裝方式，該技術能夠縮減30%體積，并降低50%能耗。

憑借TSV方式，HBM大幅提高了容量和數(shù)據(jù)傳輸速率。與傳統(tǒng)內存技術相比，HBM具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸。隨著存儲數(shù)據(jù)量激增，市場對于HBM的需求將有望大幅提升。

HBM的高帶寬離不開各種基礎技術和先進設計工藝的支持。由于HBM是在3D結構中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起，因此開發(fā)過程極為復雜。鑒于技術上的復雜性，HBM是公認最能夠展示廠商技術實力的旗艦產品。

2013年，SK海力士將TSV技術應用于DRAM，在業(yè)界首次成功研發(fā)出HBM。隨后，SK海力士、三星、美光等存儲巨頭在HBM領域展開了升級競賽。

實際上，2023年開年后三星、SK海力士的HBM訂單快速增加，之前另有消息稱HBM3較DRAM價格上漲5倍。

隨著AI技術不斷發(fā)展，AI訓練、推理所需計算量呈指數(shù)級增長，2012年至今計算量已擴大30萬倍。處理AI大模型的海量數(shù)據(jù)，需要寬廣的傳輸“高速公路”即帶寬來吞吐數(shù)據(jù)。

HBM通過垂直連接多個DRAM，顯著提高數(shù)據(jù)處理速度。它們與CPU、GPU協(xié)同工作，可以極大提高服務器性能。其帶寬相比DRAM大幅提升，例如SK海力士的HBM3產品帶寬高達819GB/s。同時，得益于TSV技術，HBM的芯片面積較GDDR大幅節(jié)省。

國盛證券指出，HBM最適用于AI訓練、推理的存儲芯片。受AI服務器增長拉動，HBM需求有望在2027年增長至超過6000萬片。Omdia則預計，2025年HBM市場規(guī)?？蛇_25億美元。

廣發(fā)證券也補充稱，HBM方案目前已演進為高性能計算領域擴展高帶寬的主流方案，并逐漸成為主流AI訓練芯片的標配。

AIGC時代為HBM帶來的需求增量主要體現(xiàn)在兩方面：一方面，單顆GPU需要配置的單個HBM的Die層數(shù)增加、HBM個數(shù)增加；另一方面，大模型訓練需求提升拉動對AI服務器和AI芯片需求，HBM在2023年將需求明顯增加，價格也隨之提升。

審核編輯：劉清