劉開輝教授課題組在12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備研究中取得進(jìn)展

近日，北京大學(xué)物劉開輝教授課題組與合作者提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體性二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓高效批量化制備，尺寸從2英寸擴(kuò)展至與主流半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過(guò)渡。2023年7月4日，相關(guān)研究成果表于Science Bulletin期刊。

研究背景

近年來(lái)，二維過(guò)渡金屬硫族化合物是最具應(yīng)用前景的二維半導(dǎo)體材料體系之一，有望推動(dòng)新一代高性能電子、光電子器件變革性技術(shù)應(yīng)用。

晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體的批量制備，是推動(dòng)相應(yīng)先進(jìn)技術(shù)向產(chǎn)業(yè)化過(guò)渡的關(guān)鍵所在。二維半導(dǎo)體薄膜尺寸需達(dá)到與硅基技術(shù)兼容的直徑300 mm（12-inch）標(biāo)準(zhǔn)，以平衡器件產(chǎn)量與制造成本。因此，批量化、大尺寸、低成本制備過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓是二維材料走向?qū)嶋H應(yīng)用亟待解決的關(guān)鍵問(wèn)題之一。

目前，基于化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備的二維半導(dǎo)體晶圓尺寸主要集中在2-4英寸，生產(chǎn)效率通常限制于每批次一片，難以滿足逐漸增長(zhǎng)的二維半導(dǎo)體在基礎(chǔ)研究、產(chǎn)業(yè)化制造等方面的材料需求。

研究?jī)?nèi)容

針對(duì)上述難題，劉開輝團(tuán)隊(duì)與合作者提出了一種全新的模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)策略，實(shí)現(xiàn)了2-12英寸過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓的批量化制備。

團(tuán)隊(duì)介紹

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