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DIP8芯朋微PN8044非隔離電源芯片18V300MA

jf_55571714 ? 來源:jf_55571714 ? 作者:jf_55571714 ? 2023-07-21 16:09 ? 次閱讀

PN8044,18V 300MA DIP8 非隔離電源芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源,PN8044內(nèi)置650V高壓啟動模塊。

PN8044產(chǎn)品特征:內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET.內(nèi)置高壓啟動電路.優(yōu)化適用于18V輸出非隔離應(yīng)用.PN8044半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率5.4W @230VAC。PN8046半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率9W @230VAC,改善EMI的降頻調(diào)制技術(shù),好的負(fù)載調(diào)整率和工作效率,過載保護(hù)(OLP)過溫保護(hù)(OTP)欠壓保護(hù)(UVLO)。

1.高壓啟動:在啟動階段,PN8044高性能ac-dc電源芯片內(nèi)部高壓啟動管提供3mA電流對外部VDD電容進(jìn)行充電;當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDON,芯片開始工作,高壓啟動管停止對VDD電容充電。啟動過程結(jié)束后,輸出通過隔離二極管對VDD電容提供能量,供芯片繼續(xù)工作。

2. 恒壓工作模式:芯片通過VDD管腳對輸出進(jìn)行電壓采樣,VDD電壓經(jīng)過內(nèi)部分壓電阻分壓得到采樣電壓VRF。當(dāng)VRF低于內(nèi)部基準(zhǔn)電壓VREF,芯片開啟集成的高壓功率管,對儲能電感充電,當(dāng)電感電流達(dá)到內(nèi)部基準(zhǔn)電流IPEAK,芯片關(guān)閉集成的高壓功率管,由系統(tǒng)二極管對儲能電感續(xù)流。

3.PFM 調(diào)制:芯片工作在PFM模式,同時內(nèi)部設(shè)置IPEAK隨芯片工作頻率FSW降低而降低,芯片開關(guān)周期每增大1us,Ipeak降低約6mA。由于芯片內(nèi)置采樣,最大Ipeak固定,當(dāng)輸出電壓和輸出電流固定時,電感感量是唯一調(diào)制工作頻率的參數(shù)。建議電感量為0.8~1.6mH, 如果感量過小,系統(tǒng)帶載能力會偏小,如果感量過大,容易造成電感飽和,影響可靠性。

4. 軟啟動:為了避免非隔離系統(tǒng)啟動階段因進(jìn)入深度CCM模式,帶來較大電流尖峰,PN8044設(shè)置軟啟動功能,通過限制Toffmin降低啟動階段的開關(guān)頻率。同時芯片設(shè)計較小的LEB時間(300ns),以降低LEB時間內(nèi)能量大小,避免系統(tǒng)啟動時的高電流尖峰。

5. 智能保護(hù)功能:PN8044高性能ac-dc電源芯片集成全面的保護(hù)功能,包括:過溫保護(hù)、VDD欠壓保護(hù)功能,并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式。過溫保護(hù)------當(dāng)芯片結(jié)溫超過150℃,芯片進(jìn)入過溫保護(hù)狀態(tài),輸出關(guān)閉,當(dāng)芯片結(jié)溫低于120度,芯片重新啟動。VDD 欠壓保護(hù) ------ 當(dāng)芯片 VDD 電壓低于VDDoff,芯片重新啟動。芯片異常自恢復(fù)的時間通過VDD電容調(diào)整,VDD電容越大,自恢復(fù)時間越長。

PN8044非隔離AC-DC電源芯片降壓電路,采用BUCK拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),常見于小家電控制板電源以及工業(yè)控制電源供電,其典型電路規(guī)格包含5V/0.5A、12V/0.5A和24V/0.5A等,滿足六級能效要求。

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審核編輯:湯梓紅

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