DC-DC 12V異步升壓15-30W大功率芯片 藍(lán)牙音響快充升壓芯片F(xiàn)P6296

深圳市雅欣控制技術(shù)有限公司是一家專業(yè)IC芯片代理售賣及方案開(kāi)發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。歷經(jīng)十八載的風(fēng)風(fēng)雨雨，以“專注如一，精益求精”的企業(yè)奮斗精神為指引，獲得臺(tái)灣遠(yuǎn)翔，MST（美伽科技）一級(jí)代理資質(zhì)，企業(yè)不斷發(fā)展壯大現(xiàn)由深圳總部，臺(tái)州辦事處，常州辦事處及中山辦事處組成，區(qū)域性布局增強(qiáng)了品牌影響力。現(xiàn)我司主要致力于推廣銷售霍爾IC，電源管理，LED驅(qū)動(dòng)系列產(chǎn)品。

1、電源系列主要產(chǎn)品包括電壓升降壓管理，LED驅(qū)動(dòng)，鋰電充電管理，LDO系列等；

2、霍爾產(chǎn)品主要包括遠(yuǎn)翔FD,FS全系列，MST全系列霍爾；

3、LED驅(qū)動(dòng)方面，依托遠(yuǎn)翔LED驅(qū)動(dòng)芯片，憑借我司專業(yè)工程的開(kāi)發(fā)能力及其豐富的工作經(jīng)驗(yàn)積累，可以為便攜式燈具廠商提供最優(yōu)化的解決方案、最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及集成實(shí)施、最完善的技術(shù)培訓(xùn)和咨詢服務(wù)。

概述
FP6296是一顆電流控制模式升壓轉(zhuǎn)換器，脈波寬度調(diào)變（PWM），內(nèi)置15m?/10A/14V MOS，能做大功率高轉(zhuǎn)換效率，周邊元件少節(jié)省空間，適合用在便攜式裝置上，寬工作電壓2.7V-12V，單節(jié)雙節(jié)鋰電都能使用，精準(zhǔn)反饋電壓1.2V（正負(fù)2%），過(guò)電流保護(hù)透過(guò)外部電阻調(diào)整，電流控制模式讓暫態(tài)響應(yīng)和系統(tǒng)穩(wěn)定性能好，輕載進(jìn)入省電模式，達(dá)到輕載高效率，SOP-8L(EP)封裝。

特色
1.工作電壓范圍2.7-12V
2.可調(diào)輸出電壓最高13V
3.固定工作頻率400KHz
4.VFB反饋電壓1.2V（正負(fù)2%）
5.內(nèi)置15m?，10A,14V MOS
6.關(guān)機(jī)耗電流最大1μA
7.過(guò)溫保護(hù)150℃
8.內(nèi)置軟啟動(dòng)
9.可調(diào)整過(guò)電流保護(hù)2A-10A
10.封裝SOP-8L(EP)

應(yīng)用范圍
快充旅充移動(dòng)電源
藍(lán)牙音響
便攜式產(chǎn)品
充電器
電子煙

電路圖

應(yīng)用元件
1.C1,C2,C5,C6,C8:輸入與輸出穩(wěn)壓濾波電容。
2.C9：HVDD濾波電容。
3.C3：HVDD經(jīng)過(guò)內(nèi)部穩(wěn)壓管到Vcc產(chǎn)生5V，此電壓會(huì)提供內(nèi)部電路與驅(qū)動(dòng)MOS，需要加穩(wěn)壓電容。
4.C4,C10,R4:系統(tǒng)補(bǔ)償回路元件，關(guān)系到LX方波穩(wěn)定度與暫態(tài)相應(yīng)速度。
5.R1,R2:FB分壓電阻，決定輸出電壓。
6.R3：改變阻值，調(diào)整過(guò)流保護(hù)點(diǎn)。
7.R10:EN到輸入上拉電阻，控制EN下拉地，關(guān)閉IC
8.Rout：HVDD限流電阻，避免輸出電壓過(guò)高，擊傷IC
9.C12,R8:突波吸收元件，降低LX開(kāi)關(guān)切換突波
10.L1：電感具有儲(chǔ)能與濾波功能，感值越大電感漣波越小，相對(duì)感值越小漣波越大。選用電感注意電感是否適合高頻操作，及電感額定飽和電流值
11.D1:當(dāng)LX截止時(shí)，D1肖特基管導(dǎo)通，提供電感放電回路。

布板說(shuō)明

1.大電流路徑走線要粗，鋪銅走線最佳
2.開(kāi)關(guān)切換連接點(diǎn)L1,LX,與D1，走線要短而粗，鋪銅走線最佳
3.輸入電容C9靠近HVDD與GND Pin，達(dá)到穩(wěn)壓與濾波功效
4.分壓電阻R1,R2靠近FB與GND Pin
5.FB Pin 遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)切換點(diǎn)L1,LX與D1,避免受到干擾
6.輸入電容C1,C2的地，輸出電容C5,C6,C8地與GND Pin，鋪銅走線，上下層地多打洞連接
7.輸出電容C5的地一定要靠近IC底部散熱片GND Pin,降低開(kāi)關(guān)切換突波與輸出高頻雜訊
8.突波吸收元件R8，C12兩者靠近，且靠近LX與GND Pin，R9，C13兩者靠近，且靠近D1
9.板子多余空間建議鋪地

EMI對(duì)策
R8，C12兩者靠近，且靠近LX與GND Pin；R9，C13兩者靠近，且靠近D1，輸出電容C5的地一定要靠近IC底部散熱片GND Pin，L2使用磁珠Bead或電感，磁珠參考以下規(guī)格，電感選用1μH~2.2μH