ROHM | 在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項 — 探頭的CMRR

?在對橋式結(jié)構(gòu)中的HS MOSFET進行測試時，所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會降低，波形波動可能會增加。

?尤其是在測量VGS時，涉及到測量數(shù)伏級的浪涌，因此需要區(qū)分觀測到的波形是原始波形還是CMRR不足引起的波動波形。

?光隔離差分探頭的CMRR頻率特性非常好，可觀測到原始波形。

SiC MOSFET柵-源電壓測量：

在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項
探頭的CMRR

在對橋式結(jié)構(gòu)中的高邊（HS）MOSFET進行測試時，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來觀測波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會降低，波形波動可能會增加。尤其是在測量柵-源電壓VGS時，涉及到測量幾伏級的浪涌，因此需要區(qū)分觀測到的波形是原始波形還是CMRR不足引起的波動波形。

圖1為在橋式結(jié)構(gòu)中HS開關(guān)時和LS開關(guān)時的波形比較。所用的差分電壓探頭是日本橫河（YOKOGAWA）公司生產(chǎn)的701297（150MHz，1400V）。通過對比波形可以看出，LS開關(guān)時的換流側(cè)（HS）VGS波動較大。這是由于當(dāng)換流側(cè)以20～50V/ns的高速dV/dt變化時，探頭的CMRR降低而引起的。

圖1. HS開關(guān)時和LS開關(guān)時的VGS波形比較

圖2是旨在確認這個原理而對差分電壓探頭的CMRR性能進行測試的結(jié)果。該測試是將電壓探頭頭部的正極和負極分別連接到HS和LS的Driver Source引腳進行測試的。這種測試方法在泰克（Tektronix）的應(yīng)用指南“ABCs of Probes”(*5)中有詳細介紹，請參考。

圖2. 隔離型電壓探頭的CMRR性能

在圖2中，導(dǎo)通時和關(guān)斷時的波形中，在Driver Source引腳的電位處，HS和LS均在開關(guān)時出現(xiàn)電壓波動。然而，在開關(guān)動作結(jié)束后，LS恢復(fù)到了開關(guān)前的狀態(tài)，而HS則殘留了一定電位。這就是造成CMRR誤差的原因。這種殘余電位會隨著時（找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城）間的流逝（數(shù)微秒）而消失。在本次測試中，Driver Source引腳的電位在VDS上升時向負側(cè)變化，在VDS下降時向正側(cè)變化，不過受差分探頭特性的影響，有時也會向相反的方向變化。最近，測量設(shè)備制造商推出了一種光隔離差分探頭，它不受CMRR的影響，作為可以準(zhǔn)確測量波形的有效解決方案而備受關(guān)注。

下面介紹一下光隔離差分探頭與普通高壓差分探頭之間的性能差異。光隔離差分探頭是采用泰克（Tektronix）IsoVu?技術(shù)的、由泰克生產(chǎn)的產(chǎn)品（TIVH08、MMCX50X）。

用于測試的電路板（P02SCT3040KR-EVK-001）上，有用來安裝MMXC連接器的圖案，該連接器可以連接光隔離探頭。如圖3所示，在測試時，同時連接了光隔離探頭和普通的高壓差分探頭。正如此前介紹過的，為了盡可能地消除測量位置和差分電壓探頭的安裝位置對波形造成的影響，電壓探頭的測量位置是在SiC MOSFET正下方焊接了一根短的延長線，并連接了一個100Ω的阻尼電阻。圖4為兩種探頭的柵-源電壓VGS波形。

圖3. 光隔離差分探頭（下）與普通的高壓差分探頭（上）

圖4. 使用光隔離差分探頭和普通的高壓差分探頭

觀測到的HS開關(guān)時的VGS波形和CMRR性能比較

由于HS正在執(zhí)行開關(guān)動作，因此HS的柵-源電壓VGS由于普通高壓差分探頭的CMRR降低而導(dǎo)致在導(dǎo)通后超過18V驅(qū)動電壓，并在關(guān)斷后降至0V以下（綠線）。而光隔離探頭在18V和0V處沒有顯示出可能受CMRR影響的波動，由此可以認為采用光隔離探頭能夠觀測到準(zhǔn)確的開關(guān)工作波形。

從圖5所示的CMRR頻率特性比較中也可以看出這些結(jié)果(*4，*6) 。從圖中可以看出，與高壓差分探頭相比，光隔離探頭的CMRR頻率特性要好得多，就連數(shù)十MHz的共模噪聲都可以消除干凈。

圖5. 光隔離差分探頭與普通高壓差分探頭

之間的CMRR特性比較

審核編輯 黃宇