在電子領(lǐng)域,尤其是功率電子領(lǐng)域,一項(xiàng)前沿技術(shù)正逐漸嶄露頭角:氮化鎵(GaN)。荷蘭芯片制造商 Nexperia 贊助的行業(yè)活動吸引了眾多參與者,他們認(rèn)為在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域,特別是在功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用中,GaN 技術(shù)正迎來廣泛應(yīng)用的機(jī)會。
例如,Kubos Semiconductor 公司正在開發(fā)一種名為立方GaN的新材料,這是氮化鎵的立方晶體結(jié)構(gòu)。Kubos 首席執(zhí)行官 Caroline O'Brien 指出:“立方GaN不僅可以在大型晶圓(直徑達(dá)150毫米或更大)上生產(chǎn),還可以擴(kuò)展到更大的晶圓尺寸,而且可以輕松集成到現(xiàn)有的生產(chǎn)線中?!?/span>
同時(shí),其他公司也在不斷努力擴(kuò)大寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體在電源管理領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。英國的電氣化專家Ricardo正在積極利用GaN和碳化硅技術(shù)來拓展其電力業(yè)務(wù)。
Ricardo公司的首席工程師Temoc Rodriguez指出,特斯拉是第一家在汽車制造中采用碳化硅(SiC)來替代絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的汽車制造商,這標(biāo)志著一種趨勢,即更多地使用WBG材料來提高功率效率、減小功率轉(zhuǎn)換器尺寸和重量。
另一方面,瑞典公司Hexagem的首席執(zhí)行官M(fèi)ikael Bj?rk介紹了他們正在開發(fā)的硅基GaN技術(shù),旨在在成本上更具競爭力,同時(shí)在未來應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)規(guī)模優(yōu)勢。Bj?rk表示:“我們想辦法使GaN達(dá)到更高的額定電壓?!?/span>
Nexperia是這一行業(yè)活動的贊助商之一,他們指出每一代新的GaN技術(shù)都在性能方面穩(wěn)步取得進(jìn)展,這些進(jìn)展有可能超越硅技術(shù)目前的成本優(yōu)勢。支持者認(rèn)為,這些進(jìn)展是因?yàn)樵诠杓夹g(shù)上的漸進(jìn)改進(jìn)已經(jīng)無法滿足新一代電子器件的需求。
應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
隨著全球?qū)p少二氧化碳排放的壓力不斷增加,各行各業(yè),從汽車到電信,都不得不投資于更高效的電力轉(zhuǎn)換和電氣化。硅基功率半導(dǎo)體技術(shù),如IGBT,存在著工作頻率和速度上的基本限制,同時(shí)在高溫和低電流性能方面表現(xiàn)不佳。高壓硅場效應(yīng)管(Si FET)的頻率和高溫性能同樣受到限制。
這些局限性促使應(yīng)用設(shè)計(jì)人員考慮采用寬帶隙半導(dǎo)體材料,如GaN。
Kubos Semiconductor的O'Brien表示:“隨著設(shè)計(jì)尺寸的減小和效率的提高,我認(rèn)為GaN有望在以前未被廣泛采用的應(yīng)用中嶄露頭角,例如小型基站。對于較小的系統(tǒng)設(shè)計(jì)來說,這是一個(gè)真正的機(jī)會?!?/span>
其中一個(gè)關(guān)鍵特性是GaN的開關(guān)頻率響應(yīng),特別是在高達(dá)5-10千瓦的DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中。Ricardo公司的Rodriguez補(bǔ)充道:“這標(biāo)志著電信和能源領(lǐng)域的標(biāo)志,同時(shí)還可以考慮在消費(fèi)電子產(chǎn)品中應(yīng)用。有許多以DC/DC轉(zhuǎn)換器為核心的應(yīng)用,可以提高效率并節(jié)省能源?!?/span>
除了更高的電壓外,Hexagem的Bj?rk還強(qiáng)調(diào)晶圓尺寸的縮小,同時(shí)優(yōu)化GaN器件的生產(chǎn)以降低成本。Bj?rk預(yù)測:“目前市場定位為150毫米晶圓,但未來可能擴(kuò)大到200毫米晶圓,甚至可能嘗試300毫米晶圓。”
然而,值得注意的是,雖然硅基GaN技術(shù)是目前應(yīng)用最廣泛的GaN技術(shù)之一,但在器件開發(fā)方面并不是沒有挑戰(zhàn)。
Bj?rk說:“氮化鎵和硅的晶格常數(shù)非常不同,因此它們不匹配。在將GaN置于硅上之前,您必須生長出相當(dāng)先進(jìn)的不同層堆疊。當(dāng)你按這個(gè)要求做時(shí),就會產(chǎn)生很多缺陷和過早破損的晶圓。另一個(gè)問題是GaN和硅之間的熱膨脹不匹配,當(dāng)你將其加熱到大約1000°C時(shí),當(dāng)你冷卻這兩種材料時(shí),它們會以不同的速率收縮,最終可能會破壞結(jié)構(gòu)。”
不過,Nexperia的GaN應(yīng)用總監(jiān)Jim Honea指出,從車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器到牽引和輔助逆變器等汽車應(yīng)用都在利用GaN技術(shù)?;裟醽喺f:“電動汽車大型電池的開發(fā)正在創(chuàng)造許多過去沒有人想象到的應(yīng)用?!?/span>
此外,Nexperia的Dilder Chowdhury指出,低Qrr或反向恢復(fù)電荷有助于簡化濾波器設(shè)計(jì),從而提高開關(guān)性能。GaN功率晶體管還可以與常見的柵極驅(qū)動電路并聯(lián)使用。然而,高電壓和高開關(guān)頻率仍然是最大的挑戰(zhàn),特別是對于傳統(tǒng)硅工程師而言。
隨著電動汽車制造商尋求提高續(xù)航里程,GaN功率集成電路(IC)作為一種減小尺寸和重量同時(shí)提高效率的方法備受關(guān)注。GaN可用于設(shè)計(jì)比硅基系統(tǒng)小四倍、重量輕四倍的電力電子系統(tǒng),其能量損失與硅基系統(tǒng)相當(dāng)。此外,零反向恢復(fù)電荷可以減少電池充電器和牽引逆變器的開關(guān)損耗,同時(shí)還帶來更高的開關(guān)頻率和更快的開關(guān)速率等優(yōu)點(diǎn)。
支持者還聲稱,寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)人員提供了提高效率和功率密度的新途徑。與硅器件一樣,單個(gè)GaN器件的電流處理能力仍然有上限,因此常常采用并聯(lián)GaN器件的方法來優(yōu)化性能。
GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角,受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域,特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,展現(xiàn)了巨大的潛力。這將有助于滿足全球減排壓力,推動更高效的電力轉(zhuǎn)換和電氣化,為未來的電子器件設(shè)計(jì)師提供了全新的可能性。
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