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ESD干擾路徑介紹

冬至子 ? 來源:韜略科技EMC ? 作者:李義君 ? 2023-10-13 17:23 ? 次閱讀

高頻特性下的寄生參數(shù)

在生活中靜電是廣泛存在的,特別是在干燥的冬季,人們尤其能夠感知。

不過相比于他的存在,我們更關(guān)心的是它對我們生活的影響:

1、對人的健康有一定的影響。

2、易燃、易爆環(huán)境由靜電引起的火災爆炸。

3、對電子產(chǎn)品的干擾、損壞。

如何最大化去避免靜電放電對電子產(chǎn)品產(chǎn)生干擾和損壞,這需要對靜電放電的特點和干擾形式了解清楚,才能在產(chǎn)品設計時保證產(chǎn)品的ESD可靠性。這也是我們討論的重點。

靜電放電的特點:

1、ESD是一種高頻現(xiàn)象。

2、高電場容性耦合,初始的電場可以容性耦合到表面積較大的網(wǎng)絡上,一般在離ESD電弧10CM處可以產(chǎn)生幾KV/m的高電場。

3、強磁場感性耦合,電弧會產(chǎn)生一個1至幾百兆的強磁場,一般在離ESD電弧10CM處可以產(chǎn)生幾十A/m的強磁場。

4、破壞性脈沖大電流、高電壓。

5、共模干擾為主。

高頻特性下的寄生參數(shù)

根據(jù)ESD的電流波形,可以看出ESD是一種高頻現(xiàn)象,所以產(chǎn)品的寄生參數(shù)是改變放電路徑的重要因素。

圖片

如圖,當回流環(huán)路上流過ESD電流時,由于回路的寄生參數(shù)(如寄生電感,在高頻下必定存在寄生參數(shù),無法做到兩點間的阻抗為零),回路上將產(chǎn)生脈沖電壓:

U(V)=L(H)*dI(A)/dt(S)

L:寄生電感,1cm的縫隙大概為10nH

圖片

dI:ESD峰值電流(參考:6KV---22.5A,8KV---30A可參考ESD測試標準中的電流波形驗證參數(shù))

dt:ESD電流波形的上升時間(1ns)

脈沖電壓U產(chǎn)生后通過寄生電容C流過信號線的干擾電流為:

I(A)=C(F)*dv(V)/dt(S)

C:寄生電容(印制線與參考地的寄生電容估算C(pF)≈0.1*S(c㎡)/H(cm);S為等效面積,H為距離)

dv:脈沖電壓U

dt:ESD電流波形上升時間(1ns)

這個脈沖電流流過信號線產(chǎn)生的電壓即為干擾電壓。

總結(jié): 根據(jù)干擾機理,減小回路阻抗是減小脈沖電壓的根本,其中減小寄生電感很重要,保證回路的完整性以及縮短回路距離都會有利于減小寄生電感。寄生電容是導致干擾路徑形成的主因,所以避免形成大的寄生電容是產(chǎn)品優(yōu)良的ESD抗擾度的保證。

擴展:

如何減小寄生參數(shù)?

1、印制線間寄生電容(為容性串擾提供了條件)

相鄰層上下平行布置印制線之間的寄生電容C主要取決于線寬W、線間距h和長度。C(pF/cm)與W/h成函數(shù)關(guān)系。h一定時,W越大單位電容越大。W一定時,h越大單位電容越小。所以減小線寬和增加間距已及相鄰層上的布線要相互垂直,避免電容耦合。

同層相鄰沒有地平面的印制線主要取決于線間距,線距越大單位電容越小。相鄰帶地平面的印制線取決于線間距d、線寬W、與地平面的距離h。h一定時,d越大或W越小單位電容越小。所以布線時,遵循3W原則很重要。根據(jù)測算,帶地平面的印制線間電容要小的多。

2、金屬外殼與內(nèi)部印制板之間的電容

增加外部金屬殼與內(nèi)部PCB板的距離可以減小相互的電容。屏蔽以及將敏感線布在中間層可以減小外部干擾對內(nèi)部的影響。

3、回路寄生電感和感性串擾

回路“地”盡量要保持完整。

線連接要使用頻蔽線纜,并且兩端良好搭接。避免“豬尾巴”出現(xiàn)。

板與板之間的連接器一般不能提供很好的低阻抗路徑,應考慮導電泡棉等進行地連接。

避免大環(huán)路布線,這是導致感性竄擾的重要原因。

有必要時,可制作人工“地”,如銅箔等。并與金屬端口連接。

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