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首批MEMS加速度計8英寸晶圓的小批量試生產(chǎn)

要長高 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2023-10-25 17:36 ? 次閱讀

2023年10月23日,北京賽微電子股份有限公司旗下的子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技(北京)有限公司成功通過了客戶的驗(yàn)證,他們代工制造的某款MEMS加速度計獲得了客戶的認(rèn)可。賽萊克斯北京隨后收到了該客戶的采購訂單,開始進(jìn)行首批MEMS加速度計8英寸晶圓的小批量試生產(chǎn)。

賽微電子的全資子公司瑞典Silex在MEMS慣性傳感器領(lǐng)域已經(jīng)具有豐富的業(yè)務(wù)經(jīng)驗(yàn)。

近年來,賽萊克斯北京持續(xù)增加研發(fā)投入,自主積累基礎(chǔ)工藝,并積極探索各類MEMS器件的生產(chǎn)技巧,致力于為全球通信、生物醫(yī)療、工業(yè)汽車、消費(fèi)電子等各領(lǐng)域的客戶,尤其是中國本土客戶,提供高質(zhì)量的MEMS工藝開發(fā)和晶圓制造服務(wù),推動公司在本土打造和提升自主可控的MEMS生產(chǎn)制造能力,加速本土化替代進(jìn)程。

根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律和公司在國內(nèi)外生產(chǎn)線的實(shí)際運(yùn)營經(jīng)驗(yàn),不同類型的MEMS芯片通常需要經(jīng)歷從工藝開發(fā)到風(fēng)險試產(chǎn)再到規(guī)模量產(chǎn)的過程,時間消耗會有所不同。

mems加速度計制作工藝

MEMS加速度計的制作工藝通常包括以下關(guān)鍵步驟:

1. 基底準(zhǔn)備:選擇適當(dāng)?shù)幕撞牧希ǔJ枪瑁⊿i)晶圓。對晶圓進(jìn)行清洗和化學(xué)處理,以獲得干凈的表面。

2. 膜層沉積:使用化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)等技術(shù),在晶圓表面沉積薄膜層,通常采用多層結(jié)構(gòu)。其中,上層是感應(yīng)電極,下層是懸浮結(jié)構(gòu)。

3. 光刻:將光刻膠覆蓋在膜層上,使用投影曝光機(jī)和掩膜板,將光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,形成所需的結(jié)構(gòu)圖案。

4. 腐蝕加工:使用濕法或干法腐蝕工藝,將未被光刻膠覆蓋的部分物質(zhì)去除,形成加速度計的結(jié)構(gòu)。通常,通過腐蝕來實(shí)現(xiàn)感應(yīng)電極和懸浮結(jié)構(gòu)。

5. 電極和導(dǎo)線連接:在加速度計結(jié)構(gòu)上制作金屬電極和導(dǎo)線,用于檢測和傳輸電信號。通常使用蒸鍍或其他金屬沉積技術(shù)進(jìn)行電極和導(dǎo)線的制作。

6. 清洗和包封:對制作好的MEMS加速度計進(jìn)行清洗和包封,以保護(hù)其結(jié)構(gòu)免受外界污染和損壞。這通常包括使用特殊的封裝材料和技術(shù)。

7. 測試和質(zhì)量控制:對制作好的MEMS加速度計進(jìn)行測試,以確保其性能符合要求。包括靜態(tài)和動態(tài)特性測試,以及溫度和濕度等環(huán)境條件下的穩(wěn)定性測試。

MEMS加速度計的制作工藝可能會因制造商和產(chǎn)品的不同而有所差異。上述步驟僅為一般參考,具體的制作工藝可能還涉及其他步驟和技術(shù)。制作MEMS加速度計需要高精度和復(fù)雜的工藝和設(shè)備,以確保制造出穩(wěn)定和可靠的傳感器器件。

編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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