耗盡型MOSFET為負載提供過壓保護的應用
耗盡型MOSFET
應用電路如下：
在上述電路中，選擇合適的穩(wěn)壓二極管VD1,即可得到穩(wěn)定的輸出電壓Vout。
輸出電壓Vout與穩(wěn)壓二極管VD1的穩(wěn)壓值Vz滿足關系式：Vout=Vz+VR1=Vz+|Vth|
(Vth即DMD4523E在一定電流下的閾值電壓)。
使用DMD4523E時輸入電壓最高可達400V(需考慮DMD4523E的功耗)。上述應用可以為負載電路提供良好的過壓保護。
DMD4523E
DMD4523E系列產品在容性負載、儀表、通訊設備中用于瞬態(tài)浪涌抑制、過流過壓保護的應用。
該電路中僅使用一顆耗盡型MOSFET+電阻R，就能限制流過負載回路的電流大小，為負載回路提供過流保護。
該系列產品可工作在較高電壓下，能為負載回路提供過壓保護及瞬態(tài)浪涌抑制。當負載出現(xiàn)短路時，為負載提供過流保護。該系列MOSFET響應速度快，電路結構簡單。
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