隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。近年來,隨著高質(zhì)量單晶GaN襯底的商業(yè)化,與垂直型Si或SiC電力電子器件結(jié)構(gòu)相近的垂直型GaN(GaN-on-GaN)器件得到快速發(fā)展,并逐步由實驗室研究邁向產(chǎn)業(yè)化,將具有更大的潛力發(fā)揮GaN材料的優(yōu)勢并提升器件性能。
近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國際會議中心召開。期間,“氮化鎵功率電子器件”技術(shù)分會上,深圳大學(xué)劉新科研究員做了“低成本垂直GaN功率器件”的主題報告,分享了最新技術(shù)進展,涉及閘門工程技術(shù)、邊緣終端技術(shù)、N極歐姆接觸技術(shù)、垂直GaN功率晶體管、GaN基功率器件等內(nèi)容。
GaN基功率器件具有高頻、高功率、高壓等特點,GaN在GaN技術(shù)道路上具有極低的缺陷密度(~103cm-2);橫向和垂直裝置;在給定的器件面積下,更大的電流和更高的耐受電壓;超高器件可靠性,無電流崩潰等等獨特特性。報告中介紹了GaN上GaN的全HVPE生長(漂移層>20μm),O2處理的低開啟電壓,He注入的高擊穿電壓,2kV雪崩擊穿GaN on GaN JBS,通過N面歐姆工程實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的FOM,深圳大學(xué)GaN-on-GaN器件的發(fā)展。其中,研究顯示,Kelvin探針力顯微鏡(KPFM)的結(jié)果顯示了OPT后電勢的降低,表明功函數(shù)的增加,這意味著電子很容易穿過金屬-半導(dǎo)體接觸的勢壘。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:深圳大學(xué)劉新科研究員:低成本垂直GaN功率器件
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