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佰維發(fā)布CXL 2.0 DRAM,賦能高性能計(jì)算

BIWIN佰維 ? 來(lái)源:佰維 ? 作者:佰維 ? 2023-12-27 10:35 ? 次閱讀

導(dǎo)語(yǔ):CXL是一種開放式全新互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),可在主機(jī)處理器與加速器、內(nèi)存緩沖區(qū)、智能I/O設(shè)備等設(shè)備之間提供高帶寬、低延遲連接,從而滿足高性能異構(gòu)計(jì)算的要求,并且其維護(hù)CPU/GPU內(nèi)存空間和連接設(shè)備內(nèi)存之間的一致性,突破內(nèi)存墻瓶頸,縮減整體響應(yīng)時(shí)間。此外,CXL支持部署新的內(nèi)存層,可以彌合主內(nèi)存和SSD存儲(chǔ)之間的延遲差距。

隨著AI應(yīng)用爆發(fā),“內(nèi)存墻”成為制約計(jì)算系統(tǒng)性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和電氣接口之上,CXL內(nèi)存擴(kuò)展功能可在服務(wù)器中的直連DIMM插槽之外實(shí)現(xiàn)額外的內(nèi)存容量和帶寬,支持內(nèi)存池化和共享,滿足高性能CPU/GPU的算力需求。

近日,佰維成功研發(fā)并發(fā)布了支持CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內(nèi)存擴(kuò)展模塊。佰維CXL 2.0 DRAM采用EDSFF(E3.S)外形規(guī)格,內(nèi)存容量高達(dá)96GB,同時(shí)支持PCIe 5.0×8接口,理論帶寬高達(dá)32GB/s,可與支持CXL規(guī)范及E3.S接口的背板和服務(wù)器主板直連,擴(kuò)展服務(wù)器內(nèi)存容量和帶寬。同時(shí),佰維可針對(duì)無(wú)E3.S接口的服務(wù)器背板提供CXL AIC轉(zhuǎn)接卡。

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佰維CXL 2.0 DRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

1 搭載高性能內(nèi)存擴(kuò)展控制器,遵循CXL2.0 Type3標(biāo)準(zhǔn),支持PCIe5.0x8接口,理論帶寬高達(dá)32GB/s。
2 嚴(yán)選優(yōu)質(zhì)DDR5內(nèi)存顆粒,容量高達(dá)96GB。
3 支持On-Die ECC、Side-Band ECC、SDDC、SECDED等功能。
4 允許多達(dá)16臺(tái)主機(jī)同時(shí)訪問(wèn)內(nèi)存的不同部分,支持內(nèi)存池化共享。
5 同步開源發(fā)布CXL DRAM軟件工具包,以確保用戶無(wú)障礙部署CXL擴(kuò)展內(nèi)存。工具包特點(diǎn):可提供CXL的顯示,隱式API,客戶可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行使用;可提供應(yīng)用層級(jí)的CXL的numa工具使用方法,建立應(yīng)用層級(jí)對(duì)CXL的直觀感受。

Latency性能方面,在實(shí)際測(cè)試中,佰維CXL 2.0 DRAM掛載于node 2節(jié)點(diǎn),與掛載于node 0節(jié)點(diǎn)的CPU存取Latency為247.1ns,帶寬超過(guò)21GB/s,Latency性能優(yōu)異,賦能數(shù)據(jù)高速處理。

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Latency測(cè)試

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Bandwidth測(cè)試

人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)對(duì)高速數(shù)據(jù)處理的需求持續(xù)增長(zhǎng),佰維CXL 2.0 DRAM兼具支持內(nèi)存容量和帶寬擴(kuò)展、內(nèi)存池化共享、高帶寬、低延遲、高可靠性等特點(diǎn),賦能AI高性能計(jì)算。目前,佰維可為客戶和合作伙伴提供32GB~96GB CXL 2.0 DRAM的功能樣機(jī),進(jìn)行聯(lián)合評(píng)估和測(cè)試。未來(lái),佰維將持續(xù)關(guān)注CXL技術(shù),賦能高性能計(jì)算需求。

延伸:AIC轉(zhuǎn)接卡

針對(duì)無(wú)E3.S接口的服務(wù)器背板,佰維可提供AIC轉(zhuǎn)接卡,助力服務(wù)器實(shí)現(xiàn)CXL RDIMM內(nèi)存擴(kuò)展。

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關(guān)于佰維

深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司(科創(chuàng)板股票代碼:688525)成立于2010年,公司專注于存儲(chǔ)芯片研發(fā)與封測(cè)制造,是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),國(guó)家級(jí)專精特新小巨人企業(yè),并獲得國(guó)家大基金戰(zhàn)略投資。公司緊緊圍繞半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈,構(gòu)筑了研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式,在存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲(chǔ)芯片封測(cè)、測(cè)試研發(fā)、全球品牌運(yùn)營(yíng)等方面具有核心競(jìng)爭(zhēng)力,并積極布局芯片IC設(shè)計(jì)、先進(jìn)封測(cè)、芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)等技術(shù)領(lǐng)域。公司存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)智能終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動(dòng)存儲(chǔ)等信息技術(shù)領(lǐng)域。

憑借優(yōu)異的綜合競(jìng)爭(zhēng)力,公司榮獲國(guó)家級(jí)“專精特新小巨人企業(yè)”、“國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)”、“海關(guān)AEO高級(jí)認(rèn)證企業(yè)”、“十大最佳國(guó)產(chǎn)芯片廠商”、“廣東省復(fù)雜存儲(chǔ)芯片研發(fā)及封裝測(cè)試工程技術(shù)研究中心”、深圳市“博士后創(chuàng)新實(shí)踐基地”、“深圳知名品牌”、深圳市南山區(qū)“專精特新企業(yè)增加值十強(qiáng)”等稱號(hào);產(chǎn)品獲得“全球電子成就獎(jiǎng)年度存儲(chǔ)器”、“中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)年度最佳存儲(chǔ)器”、“硬核中國(guó)芯最佳存儲(chǔ)芯片”、“中國(guó)汽車行業(yè)優(yōu)秀汽車電子創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)”等榮譽(yù)。

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原文標(biāo)題:佰維發(fā)布CXL 2.0 DRAM,賦能高性能計(jì)算

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