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半導(dǎo)體核心技術(shù)外流中國(guó) 韓研議提高相關(guān)刑責(zé)

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-01-04 09:54 ? 次閱讀

韓國(guó)致力于發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù),該行業(yè)在其經(jīng)濟(jì)和國(guó)防等領(lǐng)域具有關(guān)鍵影響。然而,近年來(lái),已有多起技術(shù)外流事件被發(fā)現(xiàn),這引起了社會(huì)各界對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的高度關(guān)注。

近期,韓國(guó)主要的半導(dǎo)體制造三星電子曝出重大泄密案,員工和供應(yīng)商泄露了公司的重大技術(shù)信息,引發(fā)巨大經(jīng)濟(jì)損失。據(jù)悉,兩名涉事員工金某和方某已被當(dāng)?shù)貦z方起訴,他們涉嫌在2016年向中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)(CXMT)透露了三星集團(tuán)18納米DRAM制程秘訣。

根據(jù)調(diào)查,金某在跳槽到長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)后,泄露了三星公司的蒸鍍相關(guān)資料以及7項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)信息,獲得了數(shù)千億韓元的收益,更以5億韓元的稅后收入從三星及相關(guān)廠家挖走了20余位技術(shù)人員。

另一方面,方某作為為三星供應(yīng)半導(dǎo)體設(shè)備的高管,協(xié)同金某將含有關(guān)鍵設(shè)計(jì)技術(shù)的公司資料泄露給了長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。

值得注意的是,就在此案公開(kāi)的半年前,一位負(fù)責(zé)三星電子投資的常務(wù)涉嫌接受中資,計(jì)劃在中國(guó)建立“復(fù)制版本”的三星半導(dǎo)體工廠,該行為推斷至少導(dǎo)致三星電子損失3000億韓元(約合新臺(tái)幣73億元)。

據(jù)報(bào)道,韓國(guó)最高審判機(jī)構(gòu)量刑委員會(huì)考慮針對(duì)此類(lèi)重大知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵權(quán)案件,提議調(diào)整相關(guān)的法律法規(guī),并將其列為首要任務(wù);且韓國(guó)的警察部門(mén)也提出,由于此類(lèi)技術(shù)外流造成的損失及造成損失的規(guī)模難以估測(cè),且肇事人往往受到輕微的懲罰,因此需要升級(jí)對(duì)這類(lèi)違法行為的懲罰標(biāo)準(zhǔn)。

此外,檢方還指出,目前的法律體系將技術(shù)外流分為在國(guó)內(nèi)流失和流向國(guó)外兩種情況,但是惡性程度不同,需要進(jìn)一步細(xì)化為5到6種標(biāo)準(zhǔn)。

盡管諸如三星電子這樣的大型企業(yè)已經(jīng)加強(qiáng)了保護(hù)商業(yè)秘密的管理和措施,但保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的重任不能僅僅依靠企業(yè)自身,員工的道德和法律觀念也至關(guān)重要。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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