半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)詳細(xì)報(bào)告

圖: 渦流法

資料來(lái)源：KLA，方正證券研究所資料

橢圓偏振法基本原理為：將一束橢圓偏振光按照一定的入射角照射到樣品上，已知入射光的偏振態(tài)，可根據(jù)偏振態(tài)的改變來(lái)確定薄膜材料的具體結(jié)構(gòu)，得到其厚度和光學(xué)參數(shù)信息（如復(fù)折射率、厚度或復(fù)介電常數(shù)等）。

圖: 橢圓偏振法原理圖

資料來(lái)源：Wikimedia，方正證券研究所

目前非光學(xué)測(cè)量薄膜膜厚產(chǎn)品主要有科磊的Filmetrics R50系列，光學(xué)測(cè)量薄膜膜厚產(chǎn)品主要有包括科磊的Aleris系列和SpectraFilm系列。國(guó)內(nèi)光學(xué)測(cè)量薄膜膜厚產(chǎn)品有上海精測(cè)的EFILM系列。

關(guān)鍵尺寸測(cè)量設(shè)備：主要用于芯片生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵尺寸（CD）、高度、側(cè)壁角的在線測(cè)量和關(guān)鍵設(shè)備（光刻機(jī)、涂膠顯影設(shè)備等）的性能監(jiān)控。其中關(guān)鍵尺寸測(cè)量主要用于顯影后檢查（ADI：After Development Inspection）和刻蝕后檢查（AEI：After Etch Inspection）。目前主要依靠光學(xué)散射儀的非成像式測(cè)量技術(shù)，光學(xué)散射儀又稱為光學(xué)關(guān)鍵尺寸測(cè)量?jī)x（OCD），其原理是通過(guò)測(cè)量樣品的散射信息，求解逆散射問(wèn)題來(lái)重構(gòu)待測(cè)樣品的三維形貌。

圖: 光學(xué)散射測(cè)量基本流程

資料來(lái)源：《集成電路制造在線光學(xué)測(cè)量檢測(cè)技術(shù)：現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)》，方正證券研究所

OCD測(cè)量的基本流程主要包括正問(wèn)題和反問(wèn)題兩個(gè)重要步驟，正問(wèn)題是通過(guò)一定的散射測(cè)量裝置獲得待測(cè)樣品結(jié)構(gòu)的散射信息，需要解決的是儀器測(cè)量問(wèn)題，反問(wèn)題是需要從測(cè)量得到的散射數(shù)據(jù)中提取待測(cè)樣品的三維形貌參數(shù)，需要解決的是構(gòu)建光與待測(cè)樣品結(jié)構(gòu)間相互作用的正向散射模型并選擇合適的求解算法。

測(cè)量?jī)x器：目前主要使用的光學(xué)散射裝置可以分為角分辨散射儀和光譜散射儀。角分辨散射儀的優(yōu)點(diǎn)在于由于采用單一波長(zhǎng)，在數(shù)據(jù)分析時(shí)不需要對(duì)樣品材料的介電函數(shù)進(jìn)行假設(shè)；此外可以相對(duì)容易擴(kuò)展到較短的波長(zhǎng)范圍，如EUV和X射線。其劣勢(shì)在于其中包含移動(dòng)組件，限制了測(cè)量速度。光譜散射儀的優(yōu)勢(shì)在于測(cè)量速度非?？?，目前常用的一種基于光譜橢偏儀（SE）的散射儀，其可以達(dá)到很高的垂直分辨率，相對(duì)于角分辨散射儀，可以獲得更多的測(cè)量信息。其劣勢(shì)在于，為了精確測(cè)量，尤其是在橢偏散射測(cè)量中，需要精確的校準(zhǔn)，并需要預(yù)先確定樣品材料在較寬光譜范圍內(nèi)的光學(xué)常數(shù)。實(shí)際使用中，為了提高測(cè)量靈敏度，通常將兩種散射測(cè)量方式相結(jié)合。

圖: 不同光學(xué)散射測(cè)量裝置示意圖注：(a)(b)角分辨散射儀；(c)(d)光譜散射儀

資料來(lái)源：《集成電路制造在線光學(xué)測(cè)量檢測(cè)技術(shù)：現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)》，方正證券研究所

構(gòu)建正向散射模型并選擇求解算法：在光學(xué)散射測(cè)量中，從散射測(cè)量數(shù)據(jù)中提取出待測(cè)樣品三維形貌參數(shù)的本質(zhì)上是逆散射問(wèn)題的求解過(guò)程。目前主要有兩種求解方法，分別是庫(kù)匹配法和非線性回歸法。庫(kù)匹配的參數(shù)提取過(guò)程中，是事先建立散射仿真數(shù)據(jù)庫(kù)，然后將測(cè)量數(shù)據(jù)跟仿真數(shù)據(jù)比較，得到最佳匹配測(cè)試數(shù)據(jù)的仿真數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的待測(cè)參數(shù)值。非線性回歸法是不斷調(diào)整輸入?yún)?shù)，使得測(cè)量數(shù)據(jù)與正向散射模型計(jì)算出來(lái)的仿真數(shù)據(jù)差異降至允許范圍內(nèi)。庫(kù)匹配法的優(yōu)勢(shì)在于可以快速提取待測(cè)參數(shù)，但是需要事先建立并存儲(chǔ)龐大的仿真數(shù)據(jù)庫(kù)，且準(zhǔn)確度受數(shù)據(jù)庫(kù)網(wǎng)格間距的限制。非線性回歸法的優(yōu)勢(shì)是不需要建立仿真數(shù)據(jù)庫(kù)，且可以得到比較準(zhǔn)確的結(jié)果，但是由于每次迭代都要調(diào)用正向散射模型來(lái)計(jì)算仿真數(shù)據(jù)，因此非常耗時(shí)。

除了OCD之外，原子力顯微鏡（AFM）和掃描電鏡（SEM）也是微納米線間距尺寸測(cè)量類儀器應(yīng)用最廣泛的兩類。二者所獲得圖像的橫向分辨力相近。AFM得到被測(cè)產(chǎn)品表面的形貌結(jié)構(gòu)圖像，是真正的三維圖像，并能測(cè)量樣品的三維信息。SEM只能提供二維圖像，但其圖像有很大的景深，視野較大。關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡（CD-SEM）是具有自動(dòng)定位并測(cè)量線條功能的掃描電鏡，廣泛用于半導(dǎo)體產(chǎn)線線寬的監(jiān)控。

電子行業(yè)專題報(bào)告15敬請(qǐng)關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款s掃描電子顯微鏡是利用材料表面特征的差異，在電子束作用下通過(guò)試樣不同區(qū)域產(chǎn)生不同的亮度差異，從而獲得具有一定襯度的圖像。成像信號(hào)是二次電子、背散射電子或吸收電子，其中二次電子是最主要的成像信號(hào)。高能電子束轟擊樣品表面，激發(fā)出樣品表面的各種物理信號(hào)，再利用不同的信號(hào)探測(cè)器接受物理信號(hào)轉(zhuǎn)換成圖像信息。

圖: 電子束與物質(zhì)相互作用產(chǎn)生的信息

圖: 掃描電鏡原理圖

資料來(lái)源：《SEM在半導(dǎo)體工藝研究中的應(yīng)用實(shí)例》，方正證券研究所資料來(lái)源：鑠思百檢測(cè)，方正證券研究所

算法：CD-SEM 獲得測(cè)量圖形的影像后．CD-SEM進(jìn)行測(cè)量并將數(shù)據(jù)上傳。CD-SEM在測(cè)量算法上需要不斷優(yōu)化和提高，以使測(cè)量結(jié)果真實(shí)準(zhǔn)確反映樣品的性能。例如，推出新的測(cè)量方式，包括邊緣粗糙度（Edge Roughness間隙（Gap）、扭曲度（Wiggling）、疊對(duì)（Overlay）、圖形重心（Center Gravity）等，此外還需要不斷提高測(cè)量可靠性，以及對(duì)產(chǎn)品工藝波動(dòng)的敏感度。

圖: SEM圖像

圖: 將SEM圖像做成Line Profile計(jì)算出測(cè)定值

資料來(lái)源：Hitachi High-Tech官網(wǎng)，方正證券研究所

2.2檢測(cè)

圖形晶圓缺陷檢測(cè)：光學(xué)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備是通過(guò)高精度光學(xué)檢測(cè)技術(shù)，對(duì)晶圓上的缺陷和污染進(jìn)行檢測(cè)和識(shí)別，向晶圓廠提供不同生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)中晶圓的產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題，并確認(rèn)工藝設(shè)備的運(yùn)行情況是否正常，從而提高良率，節(jié)約成本。光學(xué)檢測(cè)技術(shù)是通過(guò)從深紫外到可見(jiàn)光波段的寬光譜照明或者深紫外單波長(zhǎng)高功率的激光照明，以高分辨率大成像視野的光學(xué)明場(chǎng)或暗場(chǎng)的成像方法，獲取晶圓表面電路的圖案圖像，實(shí)時(shí)地進(jìn)行電路圖案的對(duì)準(zhǔn)、降噪和分析，以及缺陷的識(shí)別和分類，實(shí)現(xiàn)晶圓表面圖形缺陷的捕捉。

光學(xué)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備分為明場(chǎng)和暗場(chǎng)兩大類別，兩者的主要區(qū)別是：明場(chǎng)設(shè)備是收集晶圓表面垂直反射的光信號(hào)來(lái)分析缺陷，而暗場(chǎng)設(shè)備是收集晶圓表面散射回來(lái)的光信號(hào)來(lái)分析。如果晶圓表面是平整沒(méi)有缺陷的，則明場(chǎng)設(shè)備反射回來(lái)的光是相對(duì)比較完整的入射光，而暗場(chǎng)設(shè)備的入射光則被全反射,其接收到的是散射光信號(hào)。

隨著設(shè)備行業(yè)不斷發(fā)展，明場(chǎng)與暗場(chǎng)的定義也在變化，現(xiàn)在明場(chǎng)一般指的照明光路和采集光路在臨近晶圓段共用同一個(gè)顯微物鏡，而暗場(chǎng)指照明光路和采集光路在物理空間上是完全分離的。因?yàn)榇怪狈瓷浜蜕⑸涔庑盘?hào)的差別，明場(chǎng)設(shè)備的檢測(cè)靈敏度比暗場(chǎng)設(shè)備的高，但明場(chǎng)設(shè)備掃描速度也較慢。

圖表23:明場(chǎng)和暗場(chǎng)光學(xué)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備

資料來(lái)源：《28納米關(guān)鍵工藝缺陷檢測(cè)與良率提升》，方正證券研究所

明場(chǎng)光學(xué)圖形圓片缺陷檢測(cè)設(shè)備發(fā)展趨勢(shì)：更亮的光源照明、更寬的光譜范圍、更高的呈現(xiàn)分辨率、更大數(shù)值孔徑、更大成像視野等。傳統(tǒng)光源以氙燈或汞放電燈，到目前的激光持續(xù)放電燈。光源波長(zhǎng)范圍為180~650nm，光學(xué)系統(tǒng)以透鏡為主，為了在寬光譜波長(zhǎng)范圍中達(dá)到更好的光學(xué)分辨率，會(huì)加入多層反射鏡片降低色差。針對(duì)不同類型的晶圓，明場(chǎng)光學(xué)圖形晶圓缺陷檢測(cè)可以使用不同的配置，即不同光學(xué)參數(shù)和系統(tǒng)參數(shù)的組合，當(dāng)前的設(shè)備的配置數(shù)量超過(guò)一萬(wàn)種。當(dāng)前市場(chǎng)上的主流設(shè)備是KLA的39xx系列、29xx系列和應(yīng)用材料的UVision系列。

電子束圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備。隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步和先進(jìn)工藝對(duì)缺陷容忍度降低，與普通光學(xué)明場(chǎng)和暗場(chǎng)晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備相比，電子束圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備對(duì)圖形的物理缺陷（顆粒、突起、橋接、空穴等）具有更高的分辨率，以及特有的通過(guò)電壓襯度檢測(cè)隱藏缺陷的能力。由于具有可以通過(guò)電壓襯度成像檢測(cè)到光學(xué)顯微鏡下不可見(jiàn)的缺陷等優(yōu)勢(shì)，逐步發(fā)揮越來(lái)越大的作用，成為光學(xué)檢測(cè)設(shè)備的有力補(bǔ)充。

電子束圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備是一種利用掃描電子顯微鏡在前道工序中對(duì)集成電路晶圓上的刻蝕圖形直接進(jìn)行缺陷檢測(cè)的工藝檢測(cè)設(shè)備。其核心是掃描電子顯微鏡，通過(guò)聚焦電子束對(duì)晶圓表面進(jìn)行掃描，接受反射回來(lái)的二次電子和背散射電子，將其轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)的晶圓表面形貌的灰度圖像。通過(guò)比對(duì)晶圓上不同芯片同一位置的圖像，或者通過(guò)圖像和芯片設(shè)計(jì)圖形的直接比對(duì)，可以找出刻蝕或設(shè)計(jì)上的缺陷。其性能強(qiáng)調(diào)具有更高的掃描和圖像采集速率、更大的掃描場(chǎng)、高速的樣品運(yùn)動(dòng)定位能力以及在低入射電壓下的圖像質(zhì)量。

與光學(xué)缺陷檢測(cè)設(shè)備相比，雖然電子束檢測(cè)設(shè)備在性能上占優(yōu)，但因逐點(diǎn)掃描的方式導(dǎo)致其檢測(cè)速度太慢，不能滿足晶圓廠對(duì)吞吐能力的需求，無(wú)法大規(guī)模替代光學(xué)設(shè)備承擔(dān)在線檢測(cè)任務(wù)，目前主要用于先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā)，工作模式主要為抽樣檢測(cè)。當(dāng)前市場(chǎng)上的主流供應(yīng)商是ASML（收購(gòu)漢民微測(cè)科技）和應(yīng)用材料。

圖: ASML HMI系列電子束圖形晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

資料來(lái)源：ASML官網(wǎng)，方正證券研究所

無(wú)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備：其作用是檢測(cè)裸晶圓缺陷，為后續(xù)圖形化檢測(cè)打下基礎(chǔ)。無(wú)圖形晶圓表面檢測(cè)系統(tǒng)能夠檢測(cè)的缺陷類型包括顆粒污染、凹坑、水印、劃傷、淺坑、外延堆垛、CMP突起、晶坑、滑移線等，應(yīng)用領(lǐng)域主要有三類：

（1）芯片制造：主要包括來(lái)料品質(zhì)檢測(cè)、工藝控制、晶圓背面污染檢測(cè)、設(shè)備潔凈度監(jiān)測(cè)等；

（2）硅片制造：主要包括工藝研發(fā)中的缺陷檢測(cè)、硅片出廠前的終檢流程；

（3）半導(dǎo)體設(shè)備制造：主要包括工藝研發(fā)中的缺陷檢測(cè)、設(shè)備的工藝品質(zhì)評(píng)估（顆粒、金屬污染）等。

檢測(cè)過(guò)程：無(wú)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)圖形晶圓表面的缺陷計(jì)數(shù)、識(shí)別缺陷的類型和空間分布。通過(guò)將單波長(zhǎng)光束照明到晶圓表面，利用大采集角度的光學(xué)系統(tǒng)，收集在高速移動(dòng)中的晶圓表面上存在的缺陷散射光信號(hào)。通過(guò)多維度的光學(xué)模式和多通道的信號(hào)采集，實(shí)時(shí)識(shí)別晶圓表面缺陷、判別缺陷的種類，并報(bào)告缺陷的位置。

圖: 無(wú)圖形晶圓缺陷檢測(cè)過(guò)程

資料來(lái)源：Hitachi High-Tech官網(wǎng)，方正證券研究所

暗場(chǎng)無(wú)圖形檢測(cè)：光學(xué)缺陷檢測(cè)中，暗場(chǎng)散射技術(shù)通常用于晶圓等精密元件的表面缺陷檢測(cè)，具有非接觸、非破壞、靈敏度高以及檢測(cè)速度快等諸多優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，相比于明場(chǎng)檢測(cè)，暗場(chǎng)檢測(cè)檢測(cè)速度更快，更適用于高頻的三維形貌，并能檢測(cè)遠(yuǎn)小于系統(tǒng)分辨率和光學(xué)尺寸的缺陷，因此尤其適用于無(wú)圖形晶圓缺陷檢測(cè)。

圖: 典型暗場(chǎng)散射示意圖和不同缺陷散射示意圖

資料來(lái)源：《基于暗場(chǎng)散射的無(wú)圖形晶圓表面缺陷檢測(cè)系統(tǒng)研制》，方正證券研究所

最小靈敏度和吞吐量是關(guān)鍵指標(biāo)。最小靈敏度表示設(shè)備能夠檢測(cè)到晶圓表面最小顆粒缺陷的直徑，該指標(biāo)的數(shù)值越小，表明設(shè)備能夠檢測(cè)到晶圓表面更小尺寸的缺陷；吞吐量表示該設(shè)備單位時(shí)間內(nèi)完成檢測(cè)的晶圓數(shù)量，該指標(biāo)的數(shù)值越大，表明設(shè)備的檢測(cè)速度越快。

3. 量測(cè)檢測(cè)持續(xù)升級(jí)，是前道設(shè)備主賽道之一

2024年全球晶圓廠設(shè)備開(kāi)支有望恢復(fù)至970億美金。根據(jù)SEMI最新全球半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)報(bào)告，2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2022年創(chuàng)新高的1074億美金同比下降18.6％至874億美金，隨后在2024年恢復(fù)至1000億美元以上的市場(chǎng)規(guī)模。2023年市場(chǎng)規(guī)模的下降主要是芯片需求疲軟及消費(fèi)及移動(dòng)終端產(chǎn)品庫(kù)存增加。2024年市場(chǎng)需求的回暖主要得益于半導(dǎo)體庫(kù)存修正結(jié)束以及高性能計(jì)算（HPC）和汽車領(lǐng)域半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)。

前道設(shè)備仍是行業(yè)主要反彈驅(qū)動(dòng)力。分設(shè)備所處環(huán)節(jié)來(lái)看，2023年晶圓廠設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將同比下降18.8%至764億美金，同時(shí)也將是2024年總體設(shè)備市場(chǎng)重返1000億美金最主要的推動(dòng)力，預(yù)計(jì)屆時(shí)晶圓廠設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到878億美金。后道設(shè)備市場(chǎng)方面，由于宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境面臨挑戰(zhàn)，同時(shí)半導(dǎo)體行業(yè)整體需求疲軟，2023年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)同比下降15%至64億美金（2024年預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)7.9%），封裝設(shè)備預(yù)計(jì)同比下降20.5%至46億美金（2024年預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)16.4%）。

先進(jìn)制程設(shè)備需求較穩(wěn)定，存儲(chǔ)用設(shè)備市場(chǎng)波動(dòng)劇烈。在晶圓制造設(shè)備中，分應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看，2023年代工和邏輯廠所用設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)同比下降6%至501億美金，仍然是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)占比最高的應(yīng)用領(lǐng)域，2023年先進(jìn)制程設(shè)備需求維持平穩(wěn)，成熟節(jié)點(diǎn)的設(shè)備需求略有下降，預(yù)計(jì)2024年這一領(lǐng)域的投資規(guī)模將增長(zhǎng)3%。由于消費(fèi)和企業(yè)市場(chǎng)需求同時(shí)疲軟，2023年DRAM設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)收縮28.8%至88億美金，但隨著市場(chǎng)逐步修復(fù)，SEMI預(yù)計(jì)2024年這一市場(chǎng)將增長(zhǎng)31%至116億美金。2023年NAND設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將大幅收縮51%至84億美金，同時(shí)2024年亦將同比強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)59%至133億美金。

圖:全球半導(dǎo)體設(shè)備分環(huán)節(jié)市場(chǎng)規(guī)模（億美金）

圖: 全球晶圓制造設(shè)備分應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模（十億美金）

資料來(lái)源：SEMI，方正證券研究所

中國(guó)大陸引領(lǐng)2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。分地域來(lái)看，中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣省、韓國(guó)主導(dǎo)全球設(shè)備市場(chǎng)。其中SEMI預(yù)計(jì)中國(guó)大陸將在2024年引領(lǐng)全球市場(chǎng)規(guī)模，同時(shí)我們也看到近年來(lái)中國(guó)大陸在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)份額呈上升趨勢(shì)，大陸設(shè)備市場(chǎng)重要性日益提升。

圖: 中國(guó)大陸設(shè)備市場(chǎng)重要性日益提升（左軸：十億美金）

資料來(lái)源：Wind，方正證券研究所

半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)明顯的周期性，受下游廠商資本開(kāi)支節(jié)奏變化較為明顯。2017年，存儲(chǔ)廠商的大幅資本開(kāi)支推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備迎來(lái)巨大需求，且這一勢(shì)頭一直延續(xù)到2018年上半年。但隨后產(chǎn)能過(guò)剩致使存儲(chǔ)價(jià)格走低，導(dǎo)致DRAM和NAND廠商紛紛推遲設(shè)備訂單。存儲(chǔ)產(chǎn)能過(guò)剩一直持續(xù)到2019年上半年，同時(shí)上半年整體半導(dǎo)體行業(yè)景氣度不佳，雖然下半年隨著行業(yè)景氣度恢復(fù)，以臺(tái)積電為代表的晶圓廠陸續(xù)調(diào)高資本開(kāi)支大幅擴(kuò)產(chǎn)，2019年全年半導(dǎo)體設(shè)備需求同比仍回落約2%。2020年全球各地先后受疫情影響，但存儲(chǔ)行業(yè)資本支出修復(fù)、先進(jìn)制程投資疊加數(shù)字化、5G帶來(lái)的下游各領(lǐng)域強(qiáng)勁需求，全年設(shè)備市場(chǎng)同比增長(zhǎng)19%。伴隨半導(dǎo)體廠商新一輪資本開(kāi)支開(kāi)啟，2021年全球設(shè)備市場(chǎng)繼續(xù)大幅增長(zhǎng)44%。當(dāng)前海外設(shè)備龍頭應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)等均預(yù)計(jì)2022年全球設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步增長(zhǎng)。

圖: 半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)增速周期性

資料來(lái)源：Wind，方正證券研究所

過(guò)程控制全球半導(dǎo)體設(shè)備總市場(chǎng)占比約10.5%，持續(xù)有升級(jí)需求。2021年全球過(guò)程控制設(shè)備市場(chǎng)空間約104億美元，其中光刻相關(guān)（套刻誤差量測(cè)、掩膜板測(cè)量及檢測(cè)等）相關(guān)需求約28億美元、缺陷檢測(cè)需求約58億美元、膜厚測(cè)量需求約17億美元。過(guò)程控制市場(chǎng)中在全球半導(dǎo)體設(shè)備總市場(chǎng)（包括晶圓制造和封裝測(cè)試設(shè)備）占比約10.5%，相對(duì)穩(wěn)定，隨著制程微縮、3D堆疊推進(jìn)，晶圓制造對(duì)于量測(cè)、檢測(cè)需求不斷增加，精度要求也不斷提高，過(guò)程控制設(shè)備持續(xù)有升級(jí)需求。

圖: 全球過(guò)程控制市場(chǎng)（億美金）

資料來(lái)源：VLSI，中科飛測(cè)招股書(shū)，Gartner，Wind，方正證券研究所

審核編輯：黃飛