0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基本半導(dǎo)體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領(lǐng)先技術(shù)

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-04 11:37 ? 次閱讀

近日,第38屆日本國(guó)際電子科技博覽會(huì)(NEPCON JAPAN)在東京有明國(guó)際展覽中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大舉行。此次盛會(huì),作為亞洲電子行業(yè)的一大重要平臺(tái),匯聚了眾多前沿科技和產(chǎn)品。

在此次博覽會(huì)上,基本半導(dǎo)體攜旗下全系碳化硅功率器件及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品亮相,吸引了眾多行業(yè)人士駐足交流、洽談合作?;景雽?dǎo)體的展示重點(diǎn)包括自主研發(fā)的汽車(chē)級(jí)和工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊、碳化硅MOSFET二極管、門(mén)極驅(qū)動(dòng)器、門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片等產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的展出,不僅展現(xiàn)了公司在碳化硅功率器件領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累,也凸顯了其在創(chuàng)新能力方面的卓越表現(xiàn)。

碳化硅功率器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的關(guān)鍵組成部分,尤其在汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中,發(fā)揮著不可或缺的作用?;景雽?dǎo)體的展品以其卓越的性能、高效的能源轉(zhuǎn)換率和可靠的穩(wěn)定性,贏得了參觀者的高度評(píng)價(jià)和關(guān)注。

在展示期間,基本半導(dǎo)體的團(tuán)隊(duì)積極與行業(yè)人士進(jìn)行深入的交流和探討,分享了在碳化硅功率器件領(lǐng)域的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)和市場(chǎng)應(yīng)用前景。這不僅加強(qiáng)了公司與行業(yè)內(nèi)的聯(lián)系和合作,也為公司在未來(lái)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

本次NEPCON JAPAN的成功參展,不僅展示了基本半導(dǎo)體在碳化硅功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也進(jìn)一步提升了公司在亞洲乃至全球電子行業(yè)的影響力。未來(lái),基本半導(dǎo)體將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級(jí),為推動(dòng)碳化硅功率器件在更多領(lǐng)域的應(yīng)用貢獻(xiàn)力量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1695

    瀏覽量

    90187
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2663

    瀏覽量

    48722
  • 基本半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    69

    瀏覽量

    10110
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件有哪些應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表,以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景,成為能源革命中的重要推動(dòng)力。本文將從市場(chǎng)資訊的角度,深入探討
    的頭像 發(fā)表于 10-24 15:46 ?273次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?348次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?388次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱(chēng)SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?307次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來(lái)
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?299次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類(lèi)

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?384次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和分類(lèi)

    碳化硅(SiC)功率器件的開(kāi)關(guān)性能比較

    過(guò)去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?512次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的開(kāi)關(guān)性能比較

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

    碳化硅功率器件是一類(lèi)基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見(jiàn)的
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?362次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1023次閱讀

    碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場(chǎng)前景

    碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,使其功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文
    的頭像 發(fā)表于 01-17 09:44 ?630次閱讀

    碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2641次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

    隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-06 14:15 ?678次閱讀

    碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件

    其未來(lái)應(yīng)用前景廣闊,具有很高的實(shí)用性。 首先,碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術(shù)中的熱門(mén)研究方向之一。相較于硅基功率
    的頭像 發(fā)表于 12-21 11:27 ?546次閱讀

    碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

    隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:29 ?1173次閱讀

    碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

      隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,電力電子領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 12-14 09:14 ?691次閱讀