前言記錄:
簡化放大器設(shè)計、適用于寬帶應(yīng)用、極低的Crss、簡單的偏置電路、低噪聲、高增益(最小10dB)?
D2219UK 金電極通用型硅DMOS射頻場效應(yīng)晶體管
其實拿到這個料的規(guī)格手冊不難看出,為什么標注品牌 TT Electronics 但是手冊中顯示的卻是Semelab?
TT Electronics與Semelab前者收購合并后者
2008年8月21日,傳感器和電子元件技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者TT Electronics宣布,通過結(jié)合這兩家領(lǐng)先公司的創(chuàng)新、創(chuàng)意和技術(shù),收購了Semelab Ltd.大部分業(yè)務(wù)的資產(chǎn),TT electronics和Semelab將為汽車、國防、航空航天、電信、計算和工業(yè)電子市場的客戶提供令人振奮的新解決方案。
關(guān)鍵詞解釋
DMOS:(Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)是一種半導(dǎo)體器件制造技術(shù),主要用于制造功率場效應(yīng)晶體管(Power MOSFETs)。DMOS技術(shù)通過兩次擴散過程來形成晶體管的源極和漏極,從而實現(xiàn)較高的擊穿電壓和較低的導(dǎo)通電阻。
RF FET:(Radio Frequency Field-Effect Transistor)通常是指射頻場效應(yīng)晶體管
金電極:金電極指的是該場效應(yīng)晶體管的柵極使用了金作為電極材料。金具有較低的電阻率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性和抗氧化性,因此被廣泛用作半導(dǎo)體器件的電極材料。使用金電極可以降低柵極電阻,改善器件的開關(guān)特性,提高其可靠性。在射頻場效應(yīng)晶體管中,金電極有助于降低柵極電容,改善高頻性能。
D2219UK實物圖
D2219UK實物圖TT Electronics 的 D2219UK,金電極多用途硅DMOS RF FET,該RF FET是一種功率型硅DMOS FET,具有2.5W的輸出功率、12.5V的工作電壓和高達1GHz的工作頻率。主要特點包括簡化放大器設(shè)計、適合寬帶應(yīng)用、極低的反向傳輸電容Crss、簡單的偏置電路、低噪聲和高增益(最小10dB)。文檔提供了詳細的電氣特性參數(shù)、典型S參數(shù)、以及測試夾具圖。D2219UK可用于高頻/甚高頻/超高頻通信系統(tǒng),覆蓋1MHz到1GHz的頻率范圍。
基本信息
型號:D2219UK
品牌:TT Electronics(原Semelab)
覆蓋頻率:1MHz到1GHz的頻率范圍
連續(xù)漏極電流 (ID):2A
漏源電壓 (Vdss):40V
柵源電壓 (Vgs):20V
輸入電容:12皮法
最高工作溫度:200℃
最大功耗:17.5瓦
引腳:8
包裝:50/盒子
封裝:SO8封裝
應(yīng)用范圍
高頻/甚高頻/超高頻通信,頻率范圍從1 MHz到1 GHz
簡化放大器設(shè)計
適用于寬帶應(yīng)用
低噪聲
高增益,最小10分貝
用于1 GHz的功率放大器
負載失配容忍度高達20:1
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