Ti60F100 內(nèi)外flash操作方案

有客戶認(rèn)為Ti60F100內(nèi)部flash容量比較小，只有16Mb，需要外掛flash.這里我們提供了內(nèi)部flash和外部flash分別操作的方案。

該程序是通過SOC操作4線的外部flash和內(nèi)部flash.程序先經(jīng)過外部flash的擦除，寫入和讀出操作，再經(jīng)過外部flash的擦除，寫入和讀出操作，每次讀出后會進(jìn)行數(shù)據(jù)的比較以判斷寫入和讀出的數(shù)據(jù)是否一致。

硬件方案如下：

由于使用的RSICV是softjtag操作，所以使用了兩個(gè)下載器。在硬件設(shè)計(jì)外外掛一片64Mb的flash。

外部flash管腳分配

IO的連接方案如下：

內(nèi)flash與外部flash除片選信號分開外，對于4線flash，IO[3:2]是分開的，其余信號都是共用。SOC操作flash時(shí)，我們通過一個(gè)GPIO來控制flash的選擇

可能會有人有疑問為什么內(nèi)外flash的管腳能夠共用呢？因?yàn)閮?nèi)部flash的管腳也拉到GPIO上面的原因。如下圖SSL_N,CCK，CDI0,1和都是與內(nèi)部flash相通的。

外部flash的data2,data3及cs_n的接口配置。

添加SPI flash block，如下圖，使能Enable Register Interface, Read/Write Width設(shè)置為4。

FPGA通過GPIO來控制操作內(nèi)部與外部flash,如下圖，通過gpio_0來控制選擇內(nèi)部flash還外部flash,int_flash_select為高,表示選擇內(nèi)部flash，為低則選擇外部flash。

調(diào)試

程序經(jīng)過擦除-->寫入-->讀出操作后，內(nèi)存0x20000的數(shù)據(jù)為下圖所示。

程序經(jīng)過擦除-->寫入-->讀出操作后，內(nèi)存0x20000的數(shù)據(jù)為下圖所示。