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長飛先進(jìn)武漢基地宿舍樓提前封頂,預(yù)計明年7月投產(chǎn)

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-10 16:13 ? 次閱讀

據(jù)中國光谷5月10日消息披露,長飛先進(jìn)武漢基地項目首棟宿舍樓近日提前完工。這標(biāo)志著,項目步入投產(chǎn)階段,有望在今年6月實現(xiàn)全面完工,并于明年7月正式投產(chǎn)。項目落成后,將成為我國最大的碳化硅功率半導(dǎo)體制造基地。

長飛先進(jìn)武漢基地坐落在武漢新城核心區(qū)域,由長飛先進(jìn)半導(dǎo)體(武漢)有限公司斥資打造,總投資預(yù)計逾200億元。

該項目專注于第三代半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)和生產(chǎn),涵蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等多個領(lǐng)域。項目投產(chǎn)后,預(yù)計每年可產(chǎn)出36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊。

2023年9月1日,長飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地在武漢新城舉行了奠基儀式,當(dāng)時公布的計劃是一期工程將于2025年竣工。

據(jù)悉,該項目占地面積達(dá)22.94萬平方米,建筑面積約30.15萬平方米,主要建設(shè)內(nèi)容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套設(shè)施等,建設(shè)周期為578天。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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