據(jù)報道,在昨日的摩根大通投資者活動中,美光宣布其2025 年HBM存儲器相關(guān)的供需談判已經(jīng)達成初步共識。
該公司管理團隊明確指出,已經(jīng)和下游客戶就明年HBM產(chǎn)品的訂購數(shù)量和定價達成了基本協(xié)議。
美光預(yù)計,HBM內(nèi)存將在2024財年為其帶來數(shù)億美元的收入,并在2025財年進一步增長至數(shù)十億美元。
此外,美光還預(yù)計,未來幾年內(nèi),其HBM內(nèi)存位元產(chǎn)能的年均增長率將達到50%。
為了滿足HBM領(lǐng)域的旺盛需求,美光決定將本財年的資本支出預(yù)算由原計劃的75~80億美元調(diào)整為80億美元(約合人民幣579.2億元)。
在HBM技術(shù)方面,美光本季度推出了12層堆疊的HBM3E內(nèi)存樣品,預(yù)計這款產(chǎn)品將成為推動2025年業(yè)績增長的主要動力。
在非HBM領(lǐng)域,美光預(yù)計高AI算力PC對通用內(nèi)存的需求將增長40~80%,同時LPDDR內(nèi)存在數(shù)據(jù)中心市場的份額也將逐步擴大。
總的來說,美光預(yù)測DRAM內(nèi)存行業(yè)的長期增長率將保持在15%左右,而NAND行業(yè)的長期增長率則有望超過20%。
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