三星電子近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品正在與全球多家合作伙伴進(jìn)行順利的供應(yīng)測(cè)試。這一進(jìn)展標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)努力與投入取得了積極成果。
公司方面表示,對(duì)于所有產(chǎn)品,三星始終將質(zhì)量和可靠性放在首位。此次HBM產(chǎn)品的測(cè)試,正是公司不斷追求卓越的體現(xiàn)。三星致力于為客戶提供最佳解決方案,以滿足不斷變化的市場(chǎng)需求。
此前有媒體報(bào)道稱,三星的HBM芯片在通過(guò)美國(guó)半導(dǎo)體巨頭英偉達(dá)測(cè)試時(shí)遇到了發(fā)熱和功耗問(wèn)題。然而,隨著此次供應(yīng)測(cè)試的順利進(jìn)行,三星似乎已經(jīng)克服了這些挑戰(zhàn)。未來(lái),我們有理由相信,三星將繼續(xù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
進(jìn)入八月,市場(chǎng)傳言四起,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子(簡(jiǎn)稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已
發(fā)表于 08-23 15:02
?603次閱讀
近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對(duì)此傳
發(fā)表于 08-08 10:06
?542次閱讀
8月7日,市場(chǎng)上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)(Nvidia)測(cè)試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而,
發(fā)表于 08-07 15:23
?253次閱讀
1. 三星:HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn),營(yíng)收貢獻(xiàn)將增長(zhǎng)至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器(
發(fā)表于 08-01 11:08
?611次閱讀
韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過(guò)英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試,預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)
發(fā)表于 07-05 16:09
?529次閱讀
英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM(高帶寬內(nèi)存)的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示,英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存,并否認(rèn)了三星
發(fā)表于 06-06 10:06
?489次閱讀
三星電子近期宣布,其與全球多家合作伙伴在高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品的供應(yīng)測(cè)試上進(jìn)展順利。該公司表示,將繼續(xù)致力于提升所有產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,確
發(fā)表于 05-28 09:46
?367次閱讀
但三星電子發(fā)表聲明予以否認(rèn),堅(jiān)稱正與多家全球合作伙伴順利開展HBM芯片測(cè)試工作,并持續(xù)與其他商業(yè)
發(fā)表于 05-27 11:02
?279次閱讀
針對(duì)媒體報(bào)道三星電子高帶寬存儲(chǔ)(HBM)產(chǎn)品未達(dá)英偉達(dá)品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的傳聞,三星予以明確否認(rèn)。該報(bào)道列舉了散熱及功耗等問(wèn)題,并稱三星的
發(fā)表于 05-27 09:51
?326次閱讀
這是三星首次公開承認(rèn)未能通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的原因。三星在聲明中表示,HBM是定制化存儲(chǔ)產(chǎn)品,需“依據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化”,并強(qiáng)調(diào)正與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。然而,對(duì)于具體客戶信息,
發(fā)表于 05-24 14:17
?406次閱讀
近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和
發(fā)表于 05-24 14:10
?458次閱讀
三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作,以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而,業(yè)界傳出消息,因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問(wèn)題,導(dǎo)致8層
發(fā)表于 05-17 11:10
?457次閱讀
業(yè)內(nèi)評(píng)論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問(wèn)題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過(guò)程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致
發(fā)表于 05-16 17:56
?1119次閱讀
英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與
發(fā)表于 03-25 11:42
?653次閱讀
三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著
發(fā)表于 03-08 10:10
?595次閱讀
評(píng)論