SK海力士創(chuàng)新下一代HBM，融入計(jì)算與通信功能
SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新時(shí)代，開發(fā)了一種融合計(jì)算與通信功能的下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位，同時(shí)進(jìn)一步拉大與后來(lái)者的差距。
據(jù)業(yè)界專家透露，SK海力士計(jì)劃為HBM賦予更多新功能，如計(jì)算、緩存以及網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存等。這些新增功能將使得HBM不僅作為高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)拿浇?，還能承擔(dān)更多的計(jì)算與數(shù)據(jù)處理任務(wù)，從而大大提高整體系統(tǒng)的性能和效率。
為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，SK海力士已經(jīng)開始積極獲取半導(dǎo)體IP。IP作為半導(dǎo)體芯片內(nèi)執(zhí)行特定功能的基本電路單元，是打造高性能芯片的關(guān)鍵。SK海力士將通過整合多種IP來(lái)構(gòu)建其下一代HBM芯片，確保其在技術(shù)和性能上領(lǐng)先市場(chǎng)。
這一創(chuàng)新舉措無(wú)疑將加劇HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)，但SK海力士的領(lǐng)先地位和技術(shù)實(shí)力無(wú)疑將使其在這一市場(chǎng)中保持領(lǐng)先地位。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
26635瀏覽量
212560 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
930瀏覽量
38351 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
351瀏覽量
14655
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
SK海力士探索無(wú)焊劑鍵合技術(shù)，引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存（HBM）的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息，
SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)
SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計(jì)劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè)，SK
SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高，將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備，意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品，進(jìn)
SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%，達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率
據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日，SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作，計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項(xiàng)合作中，臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確?；A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。
SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK
SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄
SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績(jī)主要?dú)w功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)H
SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM
SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)
自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；
SK海力士聯(lián)手臺(tái)積電推出HBM4，引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新
SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠及存儲(chǔ)器廠
剛剛！SK海力士出局！
在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達(dá)已經(jīng)向SK
SK海力士預(yù)計(jì)3月量產(chǎn)HBM3E，供貨英偉達(dá)
長(zhǎng)達(dá)半年的嚴(yán)格性能評(píng)估。據(jù)此，SK海力士計(jì)劃在今年3月開始量產(chǎn)這款高頻寬記憶體，以供應(yīng)給英偉達(dá)作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100的首選存儲(chǔ)器。
SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對(duì)此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場(chǎng)對(duì) HBM 存儲(chǔ)的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以
追趕SK海力士，三星、美光搶進(jìn)HBM3E
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來(lái)越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來(lái)看，
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論