近日,越來越多的企業(yè)如韓國 SK 海力士和三星電子正積極投身于 DRAM 微型化創(chuàng)新以及新材料研發(fā)。
據(jù) TheElec報道,SK Hynix 已決定在其第 6 帶(即 1c 工藝,約為 10nm)DRAM 生產(chǎn)過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠(MOR),這是 MOR 首次應用于 DRAM 大規(guī)模生產(chǎn)。
據(jù)悉,SK Hynix 所生產(chǎn)的 1c DRAM 包含五個極紫外(EUV)層,其中一層將采用 MOR 技術(shù)進行繪制。同時,消息人士透露,三星電子也有意采用此類無機 PR 材料。
值得注意的是,Inpria 是日本化學公司 JSR 的子公司,在無機光刻膠領域處于領先地位;而 MOR 被視為先進芯片光刻的化學放大光刻膠(CAR)的未來發(fā)展方向。
此外,自 2022 年起,Inpria 便開始與 SK Hynix 共同開展 MOR 研究。SK Hynix 曾表示,Sn(基)氧化物光刻膠的使用將有助于提升下一代 DRAM 的性能及降低成本。
TheElec 進一步指出,三星電子亦在考慮將 MOR 引入 1c DRAM 生產(chǎn),目前三星電子在 1c DRAM 上共運用了 6~7 個 EUV 層,而美光僅使用了 1 層。
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