0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型Inpria MOR光刻膠

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-30 10:32 ? 次閱讀

近日,越來越多的企業(yè)如韓國 SK 海力士和三星電子正積極投身于 DRAM 微型化創(chuàng)新以及新材料研發(fā)。

據(jù) TheElec報道,SK Hynix 已決定在其第 6 帶(即 1c 工藝,約為 10nm)DRAM 生產(chǎn)過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠(MOR),這是 MOR 首次應用于 DRAM 大規(guī)模生產(chǎn)。

據(jù)悉,SK Hynix 所生產(chǎn)的 1c DRAM 包含五個極紫外(EUV)層,其中一層將采用 MOR 技術(shù)進行繪制。同時,消息人士透露,三星電子也有意采用此類無機 PR 材料。

值得注意的是,Inpria 是日本化學公司 JSR 的子公司,在無機光刻膠領域處于領先地位;而 MOR 被視為先進芯片光刻的化學放大光刻膠(CAR)的未來發(fā)展方向。

此外,自 2022 年起,Inpria 便開始與 SK Hynix 共同開展 MOR 研究。SK Hynix 曾表示,Sn(基)氧化物光刻膠的使用將有助于提升下一代 DRAM 的性能及降低成本。

TheElec 進一步指出,三星電子亦在考慮將 MOR 引入 1c DRAM 生產(chǎn),目前三星電子在 1c DRAM 上共運用了 6~7 個 EUV 層,而美光僅使用了 1 層。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2291

    瀏覽量

    183125
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    305

    瀏覽量

    30069
  • SK海力士
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    930

    瀏覽量

    38351
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM

    SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著
    的頭像 發(fā)表于 08-29 16:39 ?560次閱讀

    SK海力士M16晶圓廠擴產(chǎn),DRAM產(chǎn)能將增18%

    SK 海力士,作為全球知名的半導體巨頭,近期宣布了一項重要的擴產(chǎn)計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道,S
    的頭像 發(fā)表于 08-16 17:32 ?942次閱讀

    SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

    SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK
    的頭像 發(fā)表于 08-14 17:06 ?646次閱讀

    SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

    在半導體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù),這一舉措不僅標志著
    的頭像 發(fā)表于 07-17 09:58 ?707次閱讀

    SK海力士加大1b DRAM產(chǎn)能以滿足市場需求

    在全球半導體產(chǎn)業(yè)風起云涌的當下,SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露,該公司正積極擴大其第5代1b DRAM生產(chǎn)規(guī)模,
    的頭像 發(fā)表于 06-17 16:30 ?513次閱讀

    SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)

    SK海力士在半導體領域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM生產(chǎn)中,首次采用
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:02 ?668次閱讀

    SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

    值得注意的是,目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm(第六代10+nm級)制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道,三星電子與SK海力士預計今年內(nèi)實現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 05-14 14:56 ?407次閱讀

    SK海力士、三星電子年內(nèi)啟動1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

    三星近期在Memcon 2024行業(yè)會議中聲稱,計劃于今年底以前實現(xiàn)1c nm工藝的量產(chǎn)。另據(jù)行業(yè)消息人士透露,SK海力士已確定在第三季度實現(xiàn)1c納米
    的頭像 發(fā)表于 04-09 16:53 ?772次閱讀

    剛剛!SK海力士出局!

    在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經(jīng)向
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:12 ?510次閱讀

    關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

    與正光刻膠相比,電子束負光刻膠會形成相反的圖案?;诰酆衔锏呢撔?b class='flag-5'>光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:36 ?2081次閱讀
    關(guān)于<b class='flag-5'>光刻膠</b>的關(guān)鍵參數(shù)介紹

    SK海力士持續(xù)投資無錫的原因

    無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程
    發(fā)表于 01-31 11:23 ?731次閱讀

    光刻膠分類與市場結(jié)構(gòu)

    光刻膠主要下游應用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用,占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%,是第三達應用場景。
    發(fā)表于 01-03 18:12 ?1096次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>分類與市場結(jié)構(gòu)

    韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

    據(jù)報道,韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務,收購后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠,并通過了
    的頭像 發(fā)表于 11-29 17:01 ?782次閱讀

    光刻膠國內(nèi)市場及國產(chǎn)化率詳解

    KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應用于150
    發(fā)表于 11-29 10:28 ?592次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>國內(nèi)市場及國產(chǎn)化率詳解

    光刻膠黏度如何測量?光刻膠需要稀釋嗎?

    光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠
    發(fā)表于 11-13 18:14 ?1335次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>黏度如何測量?<b class='flag-5'>光刻膠</b>需要稀釋嗎?