傳統(tǒng)電力電子應(yīng)用中,IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD(快恢復(fù)二極管)為主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關(guān)斷行為的潛力,對開關(guān)損耗是很大的拖累。為此,基本半導(dǎo)體研發(fā)推出了一種混合式IGBT(即混合碳化硅分立器件)來解決這一問題,即在IGBT中把續(xù)流二極管用碳化硅肖特基二極管替代硅基FRD,可使IGBT的開通與關(guān)斷的潛力得以全部釋放,開關(guān)損耗大幅降低。
今天的“SiC科普小課堂”——混合式IGBT話題第五講中,基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒將從應(yīng)用角度為大家介紹不同拓撲中混合式IGBT器件的應(yīng)用優(yōu)勢如何體現(xiàn),以及基本半導(dǎo)體的產(chǎn)品選型推薦。
基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT,使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低,適用于儲能(ESS)、車載充電器(OBC)、不間斷電源(UPS)、光伏組串逆變器等領(lǐng)域。
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原文標題:SiC科普小課堂 | 談混合式IGBT的應(yīng)用場景及基本半導(dǎo)體的相應(yīng)產(chǎn)品推薦
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