韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新里程碑。韓國(guó)貿(mào)易、工業(yè)和能源部近日宣布,本土半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab在釜山功率半導(dǎo)體元件和材料特區(qū)正式開(kāi)工建設(shè)韓國(guó)首座8英寸碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體工廠。該項(xiàng)目于5日上午舉行了隆重的奠基儀式。
EYEQ Lab自2018年5月成立以來(lái),憑借卓越的技術(shù)實(shí)力和敏銳的市場(chǎng)洞察力,迅速發(fā)展成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者。起初,EYEQ Lab只是一家無(wú)晶圓廠公司,但憑借強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力和不斷創(chuàng)新的業(yè)務(wù)模式,其業(yè)務(wù)發(fā)展迅猛,短短三年內(nèi)收入增長(zhǎng)了20倍。
如今,EYEQ Lab計(jì)劃投資1000億韓元,轉(zhuǎn)型為IDM(集成器件制造商),并建設(shè)這座8英寸SiC功率半導(dǎo)體晶圓廠。該工廠建成后,預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)到3萬(wàn)片,為韓國(guó)乃至全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新的活力。
此次建設(shè)8英寸SiC功率半導(dǎo)體工廠,不僅標(biāo)志著EYEQ Lab在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要布局,也展現(xiàn)了韓國(guó)政府對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度重視和大力支持。未來(lái),EYEQ Lab將繼續(xù)秉承創(chuàng)新、卓越的理念,為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
生產(chǎn)線已經(jīng)在2024年6月投入使用,下一個(gè)目標(biāo)是未來(lái)兩年在德國(guó)漢堡工廠里建設(shè)8英寸的SiC MOSFET和低壓GaN HEMT產(chǎn)線。 ? 雖然8英寸
發(fā)表于 07-01 07:35
?1.1w次閱讀
2024年9月27日,全球領(lǐng)先的晶圓代工巨頭力積電與印度塔塔集團(tuán)旗下的塔塔電子,在新德里隆重舉行了雙方合作的最終協(xié)議簽署儀式。這一里程碑式的合作標(biāo)志著印度即將迎來(lái)其首座12英寸晶圓廠,為印度乃至全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新的活力。
發(fā)表于 09-29 14:39
?606次閱讀
近日,日本礙子株式會(huì)(NGK,下文簡(jiǎn)稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國(guó)ICSCRM 2024展示8
發(fā)表于 09-21 11:04
?199次閱讀
臺(tái)積電在全球范圍內(nèi)擴(kuò)展其半導(dǎo)體制造版圖的步伐再次加快,8月20日,公司宣布在德國(guó)德累斯頓正式啟動(dòng)其歐洲首座12英寸晶圓廠的建設(shè)。此次奠基儀式由臺(tái)積電高層魏哲家親自主持,標(biāo)志著臺(tái)積電在歐
發(fā)表于 08-22 15:08
?542次閱讀
英飛凌于近期宣布,其位于馬來(lái)西亞的新晶圓廠正式進(jìn)入第一階段建設(shè),該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的8英寸碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體
發(fā)表于 08-16 16:48
?375次閱讀
在科技日新月異的今天,半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代工業(yè)的核心,正不斷引領(lǐng)著技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)變革。6月18日,廈門(mén)廣電網(wǎng)傳來(lái)喜訊,廈門(mén)士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目正式在海滄區(qū)拉開(kāi)建
發(fā)表于 06-19 16:35
?843次閱讀
隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期,8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球,各大半導(dǎo)體廠商紛紛加大投入,積極布局這一新興產(chǎn)業(yè)。
發(fā)表于 06-12 11:04
?313次閱讀
制造等產(chǎn)線擴(kuò)張;另一部分是源自過(guò)去十多年時(shí)間里,SiC襯底尺寸從4英寸完全過(guò)渡至6英寸,加上良率的提升。 ? 更大的襯底尺寸,意味著單片SiC晶圓所能夠制造的芯片數(shù)量更多,晶圓邊緣的浪
發(fā)表于 06-12 00:16
?2799次閱讀
本次合作四方預(yù)計(jì)將在位于廈門(mén)市海滄區(qū)的廈門(mén)士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司進(jìn)行合資運(yùn)營(yíng),主要目的是建造一座每月能生產(chǎn)6萬(wàn)片以SiC-MOSEFET為主導(dǎo)產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。
發(fā)表于 05-22 09:16
?358次閱讀
4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新,在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進(jìn)展,在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。
發(fā)表于 04-14 09:12
?772次閱讀
據(jù)悉,該座選址在薩爾州恩斯多夫的8英寸SiC晶圓廠計(jì)劃由沃爾弗斯普萊特負(fù)責(zé)籌備,耗資約27.5億歐元(約等于215億人民幣),同時(shí)得到德國(guó)聯(lián)邦政府以及薩爾州政府的共計(jì)4.1億歐元(約等
發(fā)表于 04-09 10:15
?460次閱讀
近年來(lái),隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,降低SiC成本的呼聲日益強(qiáng)烈,最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個(gè)成本結(jié)構(gòu)中占比最高,達(dá)到50%左右。
發(fā)表于 03-08 14:24
?1014次閱讀
,SiC襯底材料的應(yīng)用前景再次受到廣泛關(guān)注。SiC單晶采用物理氣相傳輸(PVT)方法制備,6英寸產(chǎn)品投入市場(chǎng),厚度約為10–30mm。相比之下,經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基石材料單晶硅(Si
發(fā)表于 12-20 13:46
?1925次閱讀
該晶圓廠的當(dāng)前規(guī)劃制程包括28納米、40納米和55納米,將專(zhuān)注于車(chē)用芯片市場(chǎng)。最終目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)每月4萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能,并且該晶圓廠位于豐田工廠附近。
發(fā)表于 11-01 16:26
?965次閱讀
環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯(cuò)估了客戶對(duì)8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能
發(fā)表于 10-27 15:07
?579次閱讀
評(píng)論