英飛凌訴英諾賽科專利糾紛，涉及GaN功率半導(dǎo)體

芯片巨頭英飛凌今日宣稱已在美國(guó)法庭發(fā)起針對(duì)中國(guó)同行英諾賽科的專利訴訟，涉及與其氮化鎵（GaN）技術(shù)相關(guān)的重要美國(guó)專利。作為全球領(lǐng)先的氮化鎵供應(yīng)商，英飛凌貴在于此先進(jìn)技術(shù)。GaN是優(yōu)秀的寬體材料，擁有卓越的開關(guān)性能，可打造出更為緊湊高效且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的電力系統(tǒng)。

英飛凌現(xiàn)已通過(guò)下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機(jī)構(gòu)涉嫌侵犯有關(guān)GaN技術(shù)的美國(guó)專利，尋求永久禁令。據(jù)悉，該專利覆蓋GaN功率半導(dǎo)體的核心部分，和英飛凌專有的GaN器件的可靠性和性能息息相關(guān)。訴訟已被提交至加利福尼亞州中區(qū)地方法院審理。

英飛凌在起訴書中指責(zé)多個(gè)產(chǎn)品侵犯了其在美國(guó)范圍內(nèi)的廣泛專利權(quán)，涉及汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域中的GaN晶體管制造及運(yùn)營(yíng)。公司方面強(qiáng)調(diào)，這些行為未經(jīng)許可，可能給消費(fèi)者和社會(huì)帶來(lái)潛在的危害。

英飛凌公司電源與傳感器系統(tǒng)部門的總裁Adamwhite表示，GaN功率晶體管的生產(chǎn)需依賴全新的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和工藝，經(jīng)過(guò)多年的實(shí)踐和積累，已經(jīng)無(wú)可爭(zhēng)議地成為了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。公司堅(jiān)持保護(hù)自身知識(shí)產(chǎn)權(quán)，以確?？蛻艉妥罱K用戶的權(quán)益。眾所周知，多年來(lái)，英飛凌在與GaN技術(shù)相關(guān)的研發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)和制造上投入巨大。公司仍將不斷加大力度維護(hù)自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，以此來(lái)保護(hù)歷年所累積的寶貴投資。

值得一提的是，日前，英飛凌順利完成對(duì)于GaN Systems的收購(gòu)，成功躋身業(yè)內(nèi)前茅，鞏固了其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。目前，英飛凌以逾350個(gè)專利族的實(shí)力雄踞行業(yè)領(lǐng)軍者之席。據(jù)市場(chǎng)分析師預(yù)測(cè)，至2028年，低壓大電流應(yīng)用的GaN收入將保持高達(dá)49%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率，有望突破20億美元的新高。