摘 要
充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。目前在充電樁領域,碳化硅應用處于快速增長階段,預計到2025年將提升至35%,市場規(guī)模將達200億元。
近年來,充電時長已經成為影響新能源汽車駕駛體驗的關鍵因素,市場對提高車輛充電速度的需求變得越來越迫切。高電壓和大電流都可縮短充電時間,但考慮到銅線損耗的因素,高壓大功率比大電流方案更有效率。而要提升充電速度,必然要關注大功率充電,在不提高整車電壓平臺的條件下,必須增大充電電流,但這樣也會導致端子、線纜的發(fā)熱量增加,繼而溫度升高。持續(xù)高溫容易損害充電裝置,嚴重的還會引發(fā)安全事故,為避免這種情況,必須將充電槍端子及線纜的發(fā)熱量及溫升降低,常用的方法就是增大導體截面積。然而增大導體截面積后會增加線纜的重量,用戶使用會很不方便??紤]到充電槍的電流約束,最適合的辦法是通過提升電壓平臺實現(xiàn)大功率充電。
圖 高壓快充架構下電池系統(tǒng)成本與低壓大電流架構的對比
目前主流車企均在布局高壓快充車型,預計2026年800伏以上高壓車型銷量將過半,但我國適配高壓快充的高壓充電樁數(shù)量不足。為此,主流車企和充電運營商正加快研發(fā)推出大功率快充樁,亟需更耐高壓、耐高溫、更小型化的新型功率器件,以滿足充電設備對效率和安全的更高要求。
作為第三代半導體材料,碳化硅具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異特性。與傳統(tǒng)硅材料比較,碳化硅器件能有效滿足充電樁設備耐高壓、耐高溫、更小型化新型器件的需求,幫助實現(xiàn)新能源汽車快速充電的目標。此外,碳化硅還能提高單位功率密度,減小模塊體積并簡化電路設計,對降低充電樁成本起到重要作用。
圖 傳統(tǒng)硅功率器件單向充電樁方案
圖 碳化硅功率器件雙向充電樁方案
傳統(tǒng)硅方案充電樁模塊電源中,DC/DC拓撲采用650V硅基超結MOSFET組成兩個全橋串聯(lián)的LLC,使用1200V碳化硅MOSFET以后,系統(tǒng)可以簡化為一個LLC諧振回路,器件數(shù)量大幅度減少,有利于提升系統(tǒng)可靠性。尤其是關斷損耗更小的碳化硅MOSFET,更適合充電樁電源模塊DC/DC部分的LLC/移相全橋等電路拓撲。
同時,1200V/40mΩ碳化硅MOSFET分立器件在風光儲充、車載充電、汽車空調等領域的電源模塊上被廣泛應用,規(guī)模優(yōu)勢使碳化硅MOSFET成本進一步降低,使得用1200V碳化硅MOSFET的系統(tǒng)成本比使用650V硅基超結MOSFET的更低,產品更具有競爭力。
此外,大功率(50kW~60kW)的充電模塊功率密度高,體積有限,如果采用分立器件,并聯(lián)數(shù)量會很多,給均流、安裝和散熱帶來了非常高的挑戰(zhàn),而采用碳化硅 MOSFET模塊方案,則可以很好地解決上述問題。
圖 基本半導體1200V碳化硅MOSFET E2B半橋模塊在充電樁中的應用
基本半導體PcoreTM2 E2B全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R120E2G3基于高性能晶圓平臺設計,在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、可靠性等方面表現(xiàn)出色。高溫(Tvj=150℃)下的RDS(on)參數(shù)僅比常溫(Tvj=25℃)時增加1.4倍左右。產品內置碳化硅肖特基二極管,使得續(xù)流二極管基本沒有反向恢復行為,大幅降低模塊的開通損耗。產品還引入氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板及高溫焊料,可改善長期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配,陶瓷板的可靠性大幅提升。
圖 PcoreTM2 E2B全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R120E2G3
在高壓快充的大背景下,以基本半導體為代表的碳化硅功率器件企業(yè)將不斷加大研發(fā)力度,確保先進技術能緊跟行業(yè)趨勢和市場需求,為充電樁設備制造企業(yè)提供更高性能的碳化硅功率器件。隨著新能源汽車、光伏產業(yè)的快速發(fā)展,碳化硅器件在電力設備行業(yè)中還將有更廣泛的應用,其市場規(guī)模還有巨大的成長空間,預計碳化硅功率器件在光伏逆變器的滲透率將從 2020年的10%增長至 2048年的85%。
關于
基本半導體
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體創(chuàng)新企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化。公司總部位于深圳,在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊,核心成員包括二十余位來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業(yè)大學、瑞士聯(lián)邦理工學院等國內外知名高校及研究機構的博士。
基本半導體掌握碳化硅核心技術,研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié),擁有知識產權兩百余項,核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等,性能達到國際先進水平,服務于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領域的全球數(shù)百家客戶。
基本半導體是國家級專精特新“小巨人”企業(yè),承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數(shù)十項研發(fā)及產業(yè)化項目,與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發(fā)中心,是國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一,獲批中國科協(xié)產學研融合技術創(chuàng)新服務體系第三代半導體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導體碳化硅功率器件工程技術研究中心。
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原文標題:SiCer小課堂 | 顯著提升充電效率,基本半導體應用于高壓快充的E2B碳化硅功率模塊方案解析
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