0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存,技術(shù)再突破

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:網(wǎng)絡整理 ? 2024-08-07 11:21 ? 次閱讀

三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進入量產(chǎn)階段,再次引領內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實現(xiàn)了對上一代產(chǎn)品0.71mm厚度的顯著縮減,縮減幅度高達9%,展現(xiàn)了三星在內(nèi)存封裝技術(shù)上的深厚積累和創(chuàng)新能力。

該內(nèi)存封裝不僅以極致纖薄著稱,更在性能上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。通過采用先進的12nm級LPDDR DRAM技術(shù),并巧妙設計4堆棧、每堆棧2層的結(jié)構(gòu),三星成功打造出既輕薄又強大的內(nèi)存解決方案。此次量產(chǎn)的LPDDR5X內(nèi)存封裝提供12GB與16GB兩種容量版本,滿足不同應用場景的多樣化需求。

尤為值得一提的是,這款內(nèi)存在耐熱性能上也實現(xiàn)了顯著提升,較之前代產(chǎn)品提升了21.2%,這一進步無疑為移動設備在高強度使用下的穩(wěn)定性與耐用性提供了更強有力的保障。三星電子的這一創(chuàng)新成果,無疑將為智能手機、平板電腦等移動設備市場注入新的活力,推動整個行業(yè)向更加輕薄、高效、可靠的方向發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15820

    瀏覽量

    180786
  • 內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    2933

    瀏覽量

    73688
  • 封裝技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    531

    瀏覽量

    67936
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    三星LPDDR4X車載內(nèi)存通過高通汽車模組驗證

    三星電子近日宣布了一項重要進展,其專為高級車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)及高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)設計的LPDDR4X車載內(nèi)存已成功通過高通最新驍龍數(shù)字底盤平臺的嚴格驗證。這一成就不僅標志著
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:02 ?369次閱讀

    三星電子實現(xiàn)低功耗LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)

    三星電子于6日正式宣布,其已成功實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存儲器(LPDDR5X DRAM)的量產(chǎn),這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領行業(yè),同時提供12GB及16GB的存儲容量選項。
    的頭像 發(fā)表于 08-06 15:30 ?417次閱讀

    三星開始量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品

    行業(yè)芯事行業(yè)資訊
    電子發(fā)燒友網(wǎng)官方
    發(fā)布于 :2024年08月06日 10:51:02

    三星開始量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應用

    深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存)開始
    的頭像 發(fā)表于 08-06 08:32 ?237次閱讀

    三星10.7Gbps LPDDR5X成功在聯(lián)發(fā)科天璣平臺上完成兼容性驗證

    7月16日,三星電子宣布了一項重大技術(shù)突破,其最新研發(fā)的10.7千兆比特每秒(Gbps)LPDDR5X DRAM已成功在聯(lián)發(fā)科技即將推出的下一代天璣旗艦移動平臺上完成兼容性驗證。此次合
    的頭像 發(fā)表于 07-16 16:15 ?330次閱讀

    三星10.7Gbps LPDDR5X在聯(lián)發(fā)科技下一代天璣移動平臺上完成驗證

    三星今日宣布,已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。 此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16GB
    的頭像 發(fā)表于 07-16 15:55 ?567次閱讀

    美光推出Crucial英睿達LPCAMM2內(nèi)存模組,采用LPDDR5X技術(shù),首家聯(lián)發(fā)

    此款LPCAMM2內(nèi)存采用了LPDDR5X技術(shù),最高速度達到7500MT/s,遠超DDR5 SO-DIMM的1.3倍,同時還能將待機功耗降低80%。與焊接式
    的頭像 發(fā)表于 05-08 11:41 ?445次閱讀

    10.7Gbps,LPDDR5X還能繼續(xù)卷性能

    10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存,也是市面上目前最快的LPDDR5X產(chǎn)品,相比前代性能提升25%。 LPDDR5X,從8533Mbps開始突破
    的頭像 發(fā)表于 04-28 09:01 ?3304次閱讀
    10.7Gbps,<b class='flag-5'>LPDDR5X</b>還能繼續(xù)卷性能

    三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高

    值得注意的是,此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存
    的頭像 發(fā)表于 04-17 16:29 ?564次閱讀

    三星推出專為人工智能應用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

    近日,三星宣布已開發(fā)出其首款支持高達10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 14:58 ?599次閱讀

    美光LPDDR5X與UFS 4.0賦能三星Galaxy S24系列,AI體驗升級

    美光科技近日宣布,其低功耗LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0移動閃存存儲技術(shù)已成功應用于三星Galaxy S24系列部分設備中,為全球手機用戶帶來了前所未有的人工智能體驗。
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:52 ?4387次閱讀

    美光LPDDR5X內(nèi)存模塊LPCAMM2掀起革新風暴

    進入新時代,隨著人工智能PC等新技術(shù)的崛起,傳統(tǒng)內(nèi)存已然無法滿足現(xiàn)實需求。近期,全球內(nèi)存巨頭美光首次發(fā)布了新型基于LPDDR5x的LPCAMM2內(nèi)存
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:25 ?609次閱讀

    LPDDR5X來襲!準備迎接內(nèi)存速度大爆炸!

    如今,智能、互聯(lián)和帶寬密集型應用依賴于超快、低延遲的內(nèi)存訪問,以實現(xiàn)我們?nèi)粘I钏蕾嚨囊幌盗泄δ?。那么,什么樣?b class='flag-5'>技術(shù)能夠滿足這些要求?答案就是LPDDR5X SDRAM JEDEC標準,它是
    的頭像 發(fā)表于 12-18 17:19 ?2119次閱讀
    <b class='flag-5'>LPDDR5X</b>來襲!準備迎接<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>速度大爆炸!

    三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

    三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問三星今后將開發(fā)的
    的頭像 發(fā)表于 12-01 09:45 ?637次閱讀

    三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

    三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
    的頭像 發(fā)表于 11-23 18:13 ?913次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>D1a nm <b class='flag-5'>LPDDR5X</b>器件的EUV光刻工藝