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三星電子實(shí)現(xiàn)低功耗LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)

要長(zhǎng)高 ? 2024-08-06 15:30 ? 次閱讀

三星電子于6日正式宣布,其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級(jí)低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(LPDDR5X DRAM)的量產(chǎn),這款存儲(chǔ)器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè),同時(shí)提供12GB及16GB的存儲(chǔ)容量選項(xiàng)。

LPDDR5X不僅采用了前沿的12納米工藝技術(shù),還創(chuàng)新性地構(gòu)建了四層堆疊結(jié)構(gòu),并通過(guò)優(yōu)化印刷電路板(PCB)與環(huán)氧樹(shù)脂模塑料(EMC)的生產(chǎn)流程,實(shí)現(xiàn)了性能與效率的雙重飛躍。與上一代產(chǎn)品相比,其封裝厚度顯著縮減約9%,而耐熱性能則大幅提升了約21.2%,展現(xiàn)了卓越的耐用性與穩(wěn)定性。

尤為值得一提的是,三星電子通過(guò)精進(jìn)的封裝后搭接(Back-lap)技術(shù),成功將LPDDR5X的封裝厚度降至業(yè)界最低水平,這一突破不僅促進(jìn)了電子設(shè)備向更加輕薄化發(fā)展的趨勢(shì),還有效改善了終端設(shè)備的熱管理效能,極大地降低了因過(guò)熱導(dǎo)致的性能衰減,如速度下降和屏幕亮度降低等問(wèn)題。

隨著技術(shù)的不斷演進(jìn),LPDDR5X的應(yīng)用領(lǐng)域已不再局限于傳統(tǒng)的移動(dòng)設(shè)備,而是廣泛拓展至AI加速器、個(gè)人電腦等多元化用戶數(shù)據(jù)生成設(shè)備中,成為支撐這些設(shè)備高效運(yùn)行的核心存儲(chǔ)組件。

展望未來(lái),三星電子計(jì)劃將這款0.65毫米的LPDDR5X DRAM芯片供應(yīng)給全球移動(dòng)處理器制造商及移動(dòng)設(shè)備生產(chǎn)商,旨在進(jìn)一步推動(dòng)低功耗DRAM市場(chǎng)的發(fā)展壯大。同時(shí),公司還透露將持續(xù)加大研發(fā)投入,豐富LPDDR5X產(chǎn)品線,包括探索開(kāi)發(fā)六層堆疊的24GB及八層堆疊的32GB等更高容量、更緊湊的封裝模塊,以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能、低功耗存儲(chǔ)解決方案的日益增長(zhǎng)需求。

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