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打破索尼壟斷!業(yè)內(nèi)首顆,國產(chǎn)1.8億像素全畫幅CIS芯片成功試產(chǎn)!

半導體芯科技SiSC ? 來源:晶合集成 ? 2024-08-20 16:49 ? 次閱讀

晶合集成官方公眾號官宣,該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅(2.77 英寸)CIS(CMOS 圖像傳感器),為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。打破了日本索尼在超高像素全畫幅CIS領域長期壟斷地位,為本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻力量。

以下為晶合集成官方報道內(nèi)容:

晶合集成在CMOS圖像傳感器(以下簡稱CIS)產(chǎn)品上持續(xù)加速推進。近期,晶合集成與國內(nèi)先進設計公司思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅(2.77英寸)CIS,為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇,推動全畫幅CIS進入發(fā)展新階段。

為滿足8K高清化的產(chǎn)業(yè)要求,高性能CIS的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺,攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限,同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。

首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn),既標志著光刻拼接技術在大靶面傳感器領域的成功運用,也為未來更多大靶面全畫幅、中畫幅傳感器的開發(fā)鋪平了道路。同時,該產(chǎn)品具備1.8億超高像素 8K 30fps PixGain HDR模式高幀率及超高動態(tài)范圍等多項領先性能,創(chuàng)新優(yōu)化光學結構,可兼容不同光學鏡頭,提升產(chǎn)品在終端靈活應用的適配能力,打破了日本索尼在超高像素全畫幅CIS領域長期壟斷地位,為本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻力量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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