本文重點(diǎn)介紹了一項(xiàng)新發(fā)展:將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)中,且無(wú)需外部供電。我們將深入探討這一解決方案的優(yōu)勢(shì)、性能以及通過(guò)60W適配器電子驗(yàn)證板獲得的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
在電力電子應(yīng)用中,例如反激式變換器或功率因數(shù)校正(PFC),通常需要檢測(cè)開關(guān)電流,以實(shí)現(xiàn)峰值/谷值電流模式控制或過(guò)流保護(hù)。如表1所示,有多種方法可以完成這項(xiàng)任務(wù)。
電流傳感通常是通過(guò)與主FET串聯(lián)連接的外部分流電阻或電流變壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這種新方法采用集成電流傳感電阻,無(wú)需外部電源。
表1通過(guò)將電流傳感集成到GaN開關(guān)中,可以最小化因傳感電阻造成的損失,從而提高效率并增加熱耗散。此外,該解決方案優(yōu)化了門回路拓?fù)?,通過(guò)在源極和接地之間建立直接連接,從而實(shí)現(xiàn)GaN FET的更清晰的門源電壓(Vgs)。
傳統(tǒng)電流傳感方法與新方法的比較如圖1所示。前者使用離散的GaN FET和外部的RSENSE電阻,而提議的解決方案則使用帶有集成電流傳感電阻的GaN FET。需要注意的是,額外的引腳(CS)是必需的。
電流傳感輸出(Ics)是主FET電流(Ids)的一部分。設(shè)置電阻(Rset)放置在CS和SS之間,將電流(Ics)轉(zhuǎn)化為電壓(Vcs)??梢栽诤笃谠黾覴C濾波器作為可選措施,以消除振鈴和開關(guān)噪聲。在4.0 A電流下,所需的準(zhǔn)確度范圍在-3.5%到3.5%之間,溫度范圍為0°C至105°C。這個(gè)準(zhǔn)確度水平足以滿足多種控制器的要求,包括QR反激、AHB和PFC。
圖1
集成電流傳感的優(yōu)勢(shì)
集成電流傳感解決方案的主要優(yōu)勢(shì)包括:
通過(guò)最小化傳感電阻導(dǎo)致的損失和消除熱熱點(diǎn)來(lái)提高效率。為了獲得與傳統(tǒng)離散GaN系統(tǒng)相當(dāng)?shù)男?,可以使用具有更高RDS(on)的集成GaN,從而獲得成本優(yōu)勢(shì)。
可以使用Kelvin源來(lái)驅(qū)動(dòng),更清晰的驅(qū)動(dòng)回路和接地。在離散方法中,由于存在公共源電感以及RSENSE在電流通過(guò)時(shí)引起的波動(dòng)電壓,無(wú)法使用Kelvin源。
該解決方案無(wú)需額外電源。這使得解決方案緊湊且易于使用。
從傳統(tǒng)配置遷移到使用傳感電阻的配置非常簡(jiǎn)單。通過(guò)使用0Ω電阻,可以將相同的PCB布局修改為兼容新IC組件和傳統(tǒng)的離散GaN + RSENSE。
新IC組件中輔助電路的加入將ESD從200 V提高到2 kV。一般來(lái)說(shuō),GaN FET的ESD評(píng)級(jí)較低,除非采用GaN工藝的ESD電路,該電路的開發(fā)水平低于硅ESD電路。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果
該提議的解決方案采用5×6毫米的PDFN封裝,經(jīng)過(guò)400 V 6 A雙脈沖測(cè)試(DPT),從而評(píng)估主要FET開關(guān)特性和準(zhǔn)確快速的電流傳感性能。采用的DPT測(cè)試配置的電路圖如圖2所示。
圖2在400 V 6 A硬開關(guān)開關(guān)和硬關(guān)斷期間,F(xiàn)ET的開關(guān)行為如圖3所示。通過(guò)圖2所示的DPT測(cè)試設(shè)備評(píng)估CS性能。當(dāng)Vds的振鈴小于其穩(wěn)態(tài)值的20%時(shí),Vgs和Vcs均顯示出明確的波形。當(dāng)FET啟用時(shí),iL和歸一化的Ics對(duì)應(yīng)良好。在FET缺失的情況下,Vcs = 0 V且Ics = 0 A。
Vcs通過(guò)數(shù)學(xué)函數(shù)縮放為Ids,結(jié)果顯示在所有電流水平下與Ids保持良好的一致性。測(cè)得的電流傳感響應(yīng)時(shí)間約為200 ns,該值小于或等于常見控制器的消隱時(shí)間。
圖3當(dāng)FET關(guān)閉時(shí),排水電流(Ids)和收集電流(Ics)都會(huì)縮放至零。CCM工藝通常在推挽PFC和降壓變換器中觀察到。
60瓦GaN適配器
新設(shè)備還經(jīng)過(guò)了與商業(yè)60瓦高密度適配器的測(cè)試。通過(guò)對(duì)離散FET + RSENSE結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡(jiǎn)單調(diào)整,RSENSE組件被去除。相反,該單元的CS引腳連接到控制器的CS引腳。這使得控制器能夠接收有關(guān)主FET電流的信息,用于峰值電流調(diào)節(jié)和過(guò)流保護(hù)。
在連續(xù)運(yùn)行兩個(gè)小時(shí)(90 VAC,20 VOUT,3 A)后,GaN設(shè)備的溫度達(dá)到92°C,安全低于約125°C的工作極限,因此無(wú)需強(qiáng)制冷卻。
與傳統(tǒng)的離散GaN FET + RSENSE方法相比,采用當(dāng)前傳感解決方案的GaN實(shí)現(xiàn)了0.4%的效率提升。同樣,一種RDS(on)約為350 mΩ且具備CS能力的成本較低的GaN FET也能在效率和熱性能上與傳統(tǒng)配置(由150 mΩ的RDS(on)和傳感電阻RSENSE組成)實(shí)現(xiàn)可比性。
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