普賽斯儀表 | 光電探測器電性能參數(shù)測試解決方案

光電探測器光電測試

光電探測器一般需要先對晶圓進行測試，封裝后再對器件進行二次測試，完成最終的特性分析和分揀操作，光電探測器在工作時，需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對，從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作；測試時比較關注暗電流、反向擊穿電壓、結電容、響應度、串擾等參數(shù)。

利用數(shù)字源表（SMU)進行光電探測器光電性能表征

實施光電性能參數(shù)表征分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨立的電壓源或電流源，可輸出恒壓、恒流或者脈沖信號，還可以當作表，進行電壓或者電流測量；支持Trig觸發(fā)，可實現(xiàn)多臺儀表聯(lián)動工作；針對光電探測器單個樣品測試以及多樣品驗證測試，可直接通過單臺數(shù)字源表、多臺數(shù)字源表或插卡式源表搭建完整的測試方案。

普賽斯數(shù)字源表搭建光電探測器光電測試方案

暗電流測試推薦使用普賽斯S系列或P系列源表, S系列源表最小電流100pA, P系列源表最小電流10pA。當測量低電平電流（<1μA）時，可以使用三同軸連接器和三同軸電纜。

反向擊穿電壓測試時，擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺式源表或P系列脈沖源表，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，最大電3500V。

結電容是光電二極管的一個重要參數(shù)，對光電二極管的帶寬和響應有很大影響。光電二極管C-V測試方案由S系列源表、LCR、測試夾具盒以及上位機軟件組成。

光電二極管的響應度定義為在規(guī)定波長和反向偏壓下，產(chǎn)生的光電流(Ip)和入射光功率(Pin)之比，單位通常為A/W。測試時推薦使用普賽斯S系列或P系列源表。

在激光雷達領域，各光電探測器之間的間隔也非常小，光串擾的存在會嚴重影響激光雷達的性能。以陣列探測器為例，光串擾測試(Crosstalk)是指在規(guī)定的反向偏壓、波長和光功率下，陣列二極管中光照單元的光電流與任意一個相鄰單元光電流之比的最大值。

測試時推薦使用普賽斯S系列、P系列或者CS系列多通道測試方案，CS系列最高能實現(xiàn)40通道的同時測量。

光耦(OC)電性能測試方案

對于光耦器件，其主要電性能表征參數(shù)有：正向電壓、反向電流、輸入端電容、發(fā)射極-集電極擊穿電壓、電流轉換比等。

正向電壓VF指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以mA電流來測試正向工作電壓。測試時推薦使用普賽斯S系列或P系列源表。

反向漏電流IR指在最大反向電壓情況下，流過光電二極管的反向電流，一般反向漏電流在nA級。測試時推薦使用普賽斯S系列或P系列源表，由于源表具備四象限工作的能力，可以輸出負電壓，無需調(diào)整電路。當測量低電平電流(<1μA)時，推薦使用三同軸連接器和三同軸電纜。

發(fā)射極-集電極擊穿電壓BVCEO測試根據(jù)器件的規(guī)格不同，其耐壓指標也不一致，所需的儀表也不同。擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺式源表或P系列脈沖源表，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列。

電流轉換比CTR指輸出管的工作電壓為規(guī)定值時，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比。測試時推薦使用普賽斯S系列或P系列源表。

隔離電壓是指光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。通常隔離電壓較高，需要大電壓設備進行測試，推薦E系列源表，最大電壓3500V。